专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]有条件要求的预备注射-CN201480051509.7在审
  • M·霍尔特维克 - 赛诺菲-安万特德国有限公司
  • 2014-09-18 - 2016-05-04 - A61M5/31
  • 本发明涉及用于排出流体的装置,该装置具有用于控制装置的控制单元(510),控制单元(510)构造成控制流体剂量排出步骤,在流体剂量排出步骤期间流体剂量通过排出通道从流体储存器排出,其中控制单元(510)进一步构造成确定预备注射时间长度(T预备注射),其为从通过排出通道最后排出的流体体积开始的时间长度,其中控制单元(510)进一步构造成实施预备注射测试步骤(612–618),包括以下步骤:确定预备注射时间长度(T预备注射)是否比预定的预备注射时间长度(T阈值)长,以及如果预备注射时间长度(T预备注射)比预备注射时间长度(T阈值)长,则设定装置进入以下状态:只有在执行排出通道预备注射步骤(622–628)之后,才允许进一步的流体剂量排出步骤
  • 有条件要求预备注射
  • [发明专利]控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法-CN202280007765.0在审
  • 朴镇成;金漌镐;李泳敏;全韩雄 - 韩华思路信
  • 2022-06-17 - 2023-08-08 - C30B15/02
  • 公开一种控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法,该方法通过测定预备坩埚中熔融硅的高度来在预备坩埚中保持一定量的熔融硅。本发明的控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法为控制向将熔融硅供给至锭生长装置的主坩埚的预备坩埚供给固态硅的方法,其可包括:管理范围设定步骤,设定上述预备坩埚中上述熔融硅的适当管理范围;高度测定步骤,为了确认上述熔融硅是否在上述熔融硅的适当管理范围内,测定装在上述预备坩埚中上述熔融硅的高度;供给量确定步骤,根据上述高度测定步骤中测定的高度确定要供给到上述预备坩埚的固态硅的供给量;及固态硅供给步骤,将根据上述供给量确定步骤确定的预定供给量的固态硅供给至上述预备坩埚。
  • 控制生长装置预备坩埚供给固态方法
  • [发明专利]一种玻璃钢化机组的布片及卸片方法-CN201710076609.0有效
  • 韩俊峰 - 洛阳北方玻璃技术股份有限公司;上海北玻玻璃技术工业有限公司
  • 2017-02-13 - 2019-02-12 - C03B35/14
  • 一种玻璃钢化机组的布片及卸片方法,包括玻璃进入玻璃钢化机组钢化前在上片台上的布片步骤及玻璃钢化后从玻璃钢化机组出来在下片台上的卸片步骤;布片设备包括:装片台、预备上片台、上片台、预备上片传感器、上片传感器和上片控制装置;卸片设备包括取片台、预备下片台、下片台、预备下片传感器、下片传感器和下片控制装置;在布片步骤中,玻璃朝预备上片台逐片进给,再由预备上片台逐行向上片台输送,最后由上片台整体送入玻璃钢化机组中;在卸片步骤中,下片台上的玻璃逐排向预备下片台输送,再由预备下片台逐片将玻璃输送到取片台上取走。
  • 一种玻璃钢机组方法
  • [发明专利]CMOS器件及其制作方法-CN201510039572.5在审
  • 刘达;刘磊;高健;金霞;王岗 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2015-01-26 - 2016-08-24 - H01L27/092
  • 该制作方法包括:提供形成有栅极结构的衬底,在衬底上形成钨插塞,得到预备衬底;在预备衬底上形成金属互连层,进而形成CMOS器件;其中,在预备衬底上形成金属互连层的步骤之前,对预备衬底进行UV照射,和/或在预备衬底上形成金属互连层的步骤之后,对形成有金属互连层的预备衬底进行UV照射。该方法中,在形成有栅极结构的衬底上先形成钨插塞,再在得到的预备衬底上形成金属互连层。在形成金属互连层的步骤之前和/或之后,对基体进行UV照射,能够起到钝化栅极介质层中硅悬挂键的作用,从而能够减轻栅极介质层因硅悬挂键导致的漏电流、磁滞效应等问题。
  • cmos器件及其制作方法
  • [发明专利]凸轮轴成形方法-CN200810190652.0无效
  • 又贺晶;藤田智行 - 武藏精密工业株式会社
  • 2008-12-26 - 2009-07-01 - B23P11/00
  • 通过组装具有预定外径的预备轴与包括轴孔的凸轮凸角而成形出凸轮轴的方法,凸轮凸角轴孔具有比预备轴外径更大的直径。该方法包括:形成一侧伸出部分的步骤,其中在预备轴的沿轴向预定的位置上预先形成用于固定凸轮凸角的一侧表面的一侧伸出部分;插入步骤,其中从预备轴的上面尚未形成一侧伸出部分的侧部将预备轴插入凸轮凸角的凸轮凸角轴孔内;暂时固定步骤,其中通过将被插入的凸轮凸角的一侧表面压靠在一侧伸出部分上而将凸轮凸角和预备轴暂时固定在一起,以使凸轮凸角和预备轴沿周向被定位;和形成另一侧伸出部分的步骤,其中在预备轴的与已被暂时固定的凸轮凸角的另一侧表面邻近的外周部分上形成固定凸轮凸角的另一侧表面的另一侧伸出部分
  • 凸轮轴成形方法
  • [发明专利]用于大尺寸板双区域的超深PTH盲孔制作方法-CN202111040851.5有效
  • 洪浩;陈超;谢小南 - 九江明阳电路科技有限公司
  • 2021-09-06 - 2023-08-11 - H05K3/00
  • 本发明公开了用于大尺寸板双区域的超深PTH盲孔制作方法,包括以下步骤:上置板层预备步骤预备好上置板层;钻孔步骤:在预备好的上置板层的第一区域钻出第一加工孔,并在第二区域钻出第二加工孔;镀铜步骤:对第一加工孔和第二加工孔进行镀铜处理,使第一加工孔孔壁上形成有第一铜层;上置板层线路制作步骤:在完成镀铜步骤的上置板层上制作线路;下置板层预备步骤预备好下置板层;压合步骤:将完成线路制作的上置板层压合在下置板层上方,并形成PCB板;超深PTH盲孔后置加工步骤
  • 用于尺寸区域pth制作方法
  • [发明专利]一种可摘局部义齿的制作方法-CN201811130916.3有效
  • 孙玉春;王勇;周永胜;陈虎;叶红强;白鹤飞 - 北京大学口腔医学院
  • 2018-09-27 - 2021-10-01 - A61C13/00
  • 本发明涉及一种可摘局部义齿的制作方法,有以下步骤:1)针对需要可摘局部义齿修复的模型进行三维扫描;2)用可摘局部义齿CAD软件设计可摘局部义齿;3)基于设计完成的可摘局部义齿,设计并3D打印牙体预备导板;4)用该牙体预备导板引导,在模型上进行牙体预备;5)对牙体预备完成的模型,再次三维扫描并设计新的可摘局部义齿;6)将步骤5)中新设计的可摘局部义齿制造出来,即能连同牙体预备导板交给临床使用。本发明有助于减少可摘局部义齿牙体预备导板的引导误差,并可在临床上同步完成牙体预备与义齿戴入;显著提高可摘局部义齿的修复精度和效率。
  • 一种局部义齿制作方法
  • [发明专利]前牙美学修复的牙体预备量的测量及其预备方法-CN201510254413.7有效
  • 于海洋;陈端婧;李俊颖 - 四川大学
  • 2015-05-18 - 2015-08-05 - A61C19/04
  • 一种前牙美学修复的牙体预备量的测量及其预备方法,步骤是:A预备量的实体化:对由牙体原始模型得到的美观蜡型印模得到目标修复体石膏模型;对目标修复体石膏模型预备得到预备体石膏模型;在由牙体原始模型压制得到的硅橡胶导板中注入速凝树脂材料,再将预备体石膏模型置入其中就位,待速凝树脂材料凝固,拆去硅橡胶导板,即得内含预备体石膏模型的预备量实体;B预备量实体测量:测量预备量实体的切端、唇舌面以及两个邻面确定的3-13个关键点处的厚度;C牙体预备:按照预备量实体各个关键点处的厚度,在牙体对应的关键点处钻出对应厚度的深孔,再将各个面抛光处理,完成牙体预备。该方法可精确测量牙体的预备量并完成牙体的预备
  • 美学修复预备测量及其方法
  • [发明专利]一种基于多线程的SSDRAID-5持续写入方法-CN202310699101.1在审
  • 谢平;李培轩 - 青海师范大学
  • 2023-06-12 - 2023-09-29 - G06F3/06
  • 本发明涉及大数据存储技术领域,涉及一种基于多线程的SSDRAID‑5持续写入方法,包括:一、初始化;二、将I/O请求分配给线程;三、判断条带是否活跃,若否,则进行下一步;若是,则进行步骤十一;四、将该条带标记为活跃;五、执行预读请求;六、判断当前线程的预备队列是否有数据且数据是第一次写入;七、判断预备队列是否加锁;八、为预备队列加锁并取出数据,再为预备队列解锁;九、聚合当前线程数据和预备队列的数据;十、做异或校验后写入新数据和校验数据,然后进行步骤六;十一、获取当前活跃线程的ID;十二、判断预备队列是否加锁;十三、将线程的数据写入预备队列。
  • 一种基于多线程ssdraid持续写入方法

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