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[发明专利]锭生长装置的防止杂质沉积的高温内窥镜-CN202280008003.2在审
发明人：全韩雄;朴镇成;金漌镐;李泳敏 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种锭生长装置的高温内窥镜，具有提高用于防止杂质沉积的惰性气体的流速的结构，进而防止杂质沉积。本发明的一实施例的锭生长装置的防止杂质沉积的高温内窥镜可包括：框架，延伸至锭生长装置的腔室内部，并且在端部具有排放惰性气体的排气口；镜片，设置在所述框架的端部中心，并且被从所述排气口排放的惰性气体保护；及引导管，设置在所述框架的外面，并且形成从所述框架的端部延伸的引导部来引导所述惰性气体，进而提高流速，防止在所述镜片沉积杂质。
生长装置防止杂质沉积高温内窥镜

[发明专利]治疗或预防神经退行性病症的组合物和方法-CN201580027968.6有效
发明人：卡洛琳·M·休;布里安纳达·柯恩特乔罗;朴镇成 -专利权人：苏琼私人有限公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： A61K38/17 文献下载
摘要：本发明提供预防或治疗对象中的神经退行性病症的方法，所述方法包括向所述对象施用治疗有效量的增加细胞中Nix介导的线粒体自噬的试剂。还提供了鉴定对预防或治疗对象中的神经退行性病症有用的化合物的方法。
治疗预防神经退行性病组合方法

[发明专利]控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法-CN202280007765.0在审
发明人： 朴镇成;金漌镐;李泳敏;全韩雄 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：公开一种控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法，该方法通过测定预备坩埚中熔融硅的高度来在预备坩埚中保持一定量的熔融硅。本发明的控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法为控制向将熔融硅供给至锭生长装置的主坩埚的预备坩埚供给固态硅的方法，其可包括：管理范围设定步骤，设定上述预备坩埚中上述熔融硅的适当管理范围；高度测定步骤，为了确认上述熔融硅是否在上述熔融硅的适当管理范围内，测定装在上述预备坩埚中上述熔融硅的高度；供给量确定步骤，根据上述高度测定步骤中测定的高度确定要供给到上述预备坩埚的固态硅的供给量；及固态硅供给步骤，将根据上述供给量确定步骤确定的预定供给量的固态硅供给至上述预备坩埚。
控制生长装置预备坩埚供给固态方法

[发明专利]半导体层、其制造方法以及包括其的晶体管-CN202180027702.7在审
发明人：李炫炅;昔壮衒;朴正佑;朴镇成;洪泰贤;盛佳祯;金旼贞 -专利权人：韩松化学株式会社
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种用于制造半导体层的方法。该用于制造半导体层的方法可以包括以下步骤：准备衬底，和通过进行使第一反应源与包括In的第一前驱体反应的第一单元工艺和使第二反应源与包括Ga的第二前驱体反应的第二单元工艺以在所述衬底上形成包括铟(In)和镓(Ga)的半导体层。
半导体制造方法以及包括晶体管

[发明专利]节能型锭生长装置-CN202011412780.2在审
发明人：李英俊;朴镇成;全韩雄 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开节能型锭生长装置。本发明的节能型锭生长装置包括：腔室，在内部设置有坩埚，为了使得硅熔融而通过热源来对上述坩埚进行加热；侧面绝热材料，以对上述坩埚的侧面进行绝热的方式设置于上述腔室的内侧；以及观察部，以能够观察上述坩埚的内部的方式贯通上述腔室和侧面绝热材料来设置。
节能型生长装置

[实用新型]锭生长装置-CN202022889854.3有效
发明人：李泳敏;李京锡;朴镇成;裵东佑 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开锭生长装置。本实用新型实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；基座，包围上述主坩埚的外侧面，用于对上述主坩埚进行加热；加热器，设置有线圈，上述线圈以包围上述基座的外侧面的方式形成，通过接收电源来产生磁场，借助因上述磁场而产生的电磁感应来对上述基座进行加热；以及绝热部件，配置于上述线圈与上述基座之间。
生长装置

[发明专利]锭生长装置及其控制方法-CN202011403911.0在审
发明人： 朴镇成;李京锡;李英俊;金漌镐 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及锭生长装置。本发明实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；预备坩埚，通过接收固态硅材料来使其熔融，向上述主坩埚供给熔融硅；测定部，以贯通上述生长炉的方式设置，用于对上述主坩埚的熔融硅的表面高度变化进行测定；以及控制部，基于所测定的上述熔融硅的表面高度变化，对向上述主坩埚进行的上述预备坩埚的熔融硅的供给进行控制。
生长装置及其控制方法

[发明专利]锭生长装置-CN202011404804.X在审
发明人：李泳敏;李京锡;朴镇成;裵东佑 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开锭生长装置。本发明实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；基座，包围上述主坩埚的外侧面，用于对上述主坩埚进行加热；加热器，设置有线圈，上述线圈以包围上述基座的外侧面的方式形成，通过接收电源来产生磁场，借助因上述磁场而产生的电磁感应来对上述基座进行加热；以及绝热部件，配置于上述线圈与上述基座之间。
生长装置

[发明专利]锭生长装置-CN202011414600.4在审
发明人：金漌镐;李京锡;朴镇成 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开锭生长装置。在本发明一实施方式的锭生长装置中，锭生长装置包括：生长炉，用于使锭生长；以及主坩埚，收容于上述生长炉，收容熔融硅，本发明的锭生长装置中的上述主坩埚可包括：主坩埚底部；主坩埚侧面部，从上述主坩埚底部朝向上侧延伸而成；以及主坩埚倾斜部，设置有从上述主坩埚侧面部朝向上侧及外侧延伸而成的倾斜面，当从上述主坩埚侧面部的上侧向上述主坩埚的内部供给熔融硅时，沿着上述倾斜面向上述主坩埚的内部引导上述熔融硅，从而可防止上述熔融硅向上述主坩埚的周边飞溅。
生长装置

[发明专利]用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置及其控制方法-CN202011404020.7在审
发明人：全韩雄;朴镇成;李英俊;李泳敏;李永桓 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置及其控制方法，该装置可以精密测量向硅锭生长坩埚投入的熔融硅的投入量，从而可以有效进行投入量的控制，根据本发明的一实施方式，公开一种用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，其包括：预备坩埚，用于在接收固态的硅材料来进行加热以使其成为熔融状态的硅后，向硅锭生长的主坩埚供给熔融状态的硅；预备坩埚移动模块，用于向第一位置或第二位置中的一个倾斜上述预备坩埚，上述第一位置为在上述预备坩埚中装有上述固态的硅材料或上述熔融硅的姿势，上述第二位置为上述预备坩埚的上述熔融硅流向上述主坩埚的位置；以及控制部，用于控制上述预备坩埚移动模块。
用于坩埚供给装置及其控制方法

[发明专利]连续型锭生长装置-CN202011404336.6在审
发明人： 朴镇成;李京锡;李英俊;金漌镐;全韩雄 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及通过使得向预备坩埚供给的固态硅材料熔融来向主坩埚进行供给并可在以不会供给漂浮在熔融状态的硅的上部的浮游物的方式进行阻断的同时调节熔融状态的硅的供给量的连续型锭生长装置。
连续生长装置

[发明专利]锭生长装置-CN202011404329.6在审
发明人：金漌镐;李京锡;朴镇成;李英俊 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开锭生长装置。本发明实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅并通过沿着顺时针方向或逆时针方向进行旋转来使上述熔融硅沿着顺时针方向或逆时针方向旋转的主坩埚；基座，以包围上述主坩埚的外侧面的方式形成，沿着与上述主坩埚相同的方向进行旋转；以及预备熔融部，通过接收固态硅材料来熔融成熔融硅，向上述主坩埚供给上述熔融硅，可在上述预备熔融部设置用于收容上述熔融硅的预备坩埚，上述预备坩埚可沿着盛装在上述主坩埚的熔融硅进行旋转的方向来向上述主坩埚供给盛装在上述预备坩埚的熔融硅。
生长装置

[发明专利]连续型锭生长装置及其控制方法-CN202011404178.4在审
发明人：李英俊;李京锡;朴镇成 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开连续型锭生长装置。本发明的连续型锭生长装置可包括：生长炉，在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚；材料供给部，用于供给使上述熔融状态的硅熔融之前的固态硅材料；定量供给部，通过对从上述材料供给部供给的上述固态硅材料的量进行计量，来供给规定量的固态硅材料；以及预备熔融部，通过使从上述定量供给部供给的规定量的上述固态硅材料熔融，来向上述主坩埚供给熔融状态的硅，由此可从使锭生长的主坩埚的外部以完全被熔融的熔融硅的状态向上述主坩埚供给多晶硅等的固态硅材料，因而无需在主坩埚内形成分隔壁，因此可缩小主坩埚的大小，从而可减少设备的制造费用，由于主坩埚形成一个区域，因而具有可提高主坩埚内的温度控制便捷性的效果。
连续生长装置及其控制方法

[实用新型]用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置-CN202022897529.1有效
发明人：全韩雄;朴镇成;李英俊;李泳敏;李永桓 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，该装置可以精密测量向硅锭生长坩埚投入的熔融硅的投入量，从而可以有效进行投入量的控制，根据本实用新型的一实施方式，公开一种用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，其包括：预备坩埚，用于在接收固态的硅材料来进行加热以使其成为熔融状态的硅后，向硅锭生长的主坩埚供给熔融状态的硅；预备坩埚移动模块，用于向第一位置或第二位置中的一个倾斜上述预备坩埚，上述第一位置为在上述预备坩埚中装有上述固态的硅材料或上述熔融硅的姿势，上述第二位置为上述预备坩埚的上述熔融硅流向上述主坩埚的位置；以及控制部，用于控制上述预备坩埚移动模块。
用于坩埚供给装置

[实用新型]连续型锭生长装置-CN202022876962.7有效
发明人： 朴镇成;李京锡;李英俊;金漌镐;全韩雄 -专利权人：韩华思路信
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及通过使得向预备坩埚供给的固态硅材料熔融来向主坩埚进行供给并可在以不会供给漂浮在熔融状态的硅的上部的浮游物的方式进行阻断的同时调节熔融状态的硅的供给量的连续型锭生长装置。
连续生长装置

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