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[发明专利]一种稀土氟化物纳米晶/TiO₂复合光阳极及其制备方法-CN201110285640.8无效
发明人：付宏刚;李莹;王国凤;潘凯;蒋保江;范乃英 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：一种稀土氟化物纳米晶/TiO2复合光阳极及其制备方法，它涉及一种染料敏化太阳能电池的复合光阳极及其制备方法。本发明要解决现有的稀土纳米晶/TiO2复合光阳极存在对光的吸收率低、上转换效率低的问题。本发明的一种稀土氟化物纳米晶/TiO2复合光阳极由稀土氟化物纳米晶、商业TiO2和FTO导电玻璃制成制备而成；具体操作步骤如下：一、制备稀土氟化物纳米晶，二、制备混合溶胶，三、成型。
一种稀土氟化物纳米 tio sub 复合阳极及其制备方法

[发明专利]一种赤藓糖醇的溶析结晶方法-CN201210537162.X无效
发明人：张春桃;刘帮禹;姜伟奇;王海蓉 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C07C31/24 文献下载
摘要：其技术方案是：先向赤藓糖醇结晶母液中流加溶析剂，制得澄清的过饱和结晶液；再向过饱和结晶液中加入晶种控制成核，制得悬浊晶浆；然后向悬浊晶浆中分三个阶段以不同的速率连续加入溶析剂，制得悬浮浆液；最后对悬浮浆液采用程序控温法养晶改变晶种的粒度和加入量，在结晶过程中能对赤藓糖醇晶体产品的平均粒度和粒度分布进行调控。本发明具有生产成本低、生产周期短、平均粒度可控且粒度分布集中、单程结晶收率高和产品质量高的特点。
一种赤藓糖结晶方法

[发明专利]晶种合成法制备ZSM-23分子筛的方法-CN201210534930.6无效
发明人：孟祥举;吴勤明;肖丰收 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-12-09 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：本发明涉及分子筛制备方法，旨在提供一种晶种合成法制备ZSM-23分子筛的方法。该方法的具体步骤如下：将水与铝源混合均匀后，向其中加入NaOH，在搅拌下加入硅源，继续搅拌直到溶液形成硅铝凝胶，将ZSM-23分子筛晶种加入硅铝凝胶后搅拌；然后置于反应釜中，在140～180℃晶化2h～本发明的整个生产过程没有使用有机模板剂，且极大地缩短了晶化时间和降低晶化温度，这样就减少了在生产过程中不必要的损耗。
晶种合成法制备 zsm 23 分子筛方法

[发明专利]化学机械抛光系统及其相关方法-CN201010611010.0无效
发明人：宋健民 -专利权人：宋健民
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： B24B1/04 文献下载
摘要：在一方面中，举例而言，增加CMP工艺的抛光效能包含有于CMP工艺中对一位于一抛光垫以及一晶圆之间的接触接口产生振动处理，以使该抛光垫以及该晶圆之间所产生的振荡沿一大致上平行于该抛光垫之一工作表面的方向。该振动处理可包含对振动该抛光垫、振动该晶圆或振动该抛光垫与该晶圆。此类振动处理可使位于该接触接口的接触压力相较于未经振动处理的接触接口而言来的较低，从而将对该抛光垫或该晶圆的损害减至最小。
化学机械抛光系统及其相关方法

[发明专利]在半导体光刻工艺中进行的对准方法-CN201010153908.8无效
发明人：马骏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种在半导体光刻工艺中进行的对准方法，应用在半导体器件有源区AA及AA形成之前的离子注入层的光刻工艺时的对准过程，光刻机将具有AA或AA形成之前的离子注入层图形的光掩膜上的对准标记与制作在晶圆边缘的对准标记进行对准后光刻，其中在晶圆边缘的对准标记的制作步骤为：采用激光标记的方式在晶圆表面制作晶圆标识的同时，采用激光标记的方式在晶圆边缘表面刻出对准标记。
半导体光刻工艺进行对准方法

[发明专利]一种改进的聚晶金刚石刀片-CN201210076966.4无效
发明人：彭建;洪先志 -专利权人：成都一通密封有限公司
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： B23B27/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的聚晶金刚石刀片，由刀片本体和聚晶金刚石刀刃组成，刀片本体呈菱形片状结构，聚晶金刚石刀刃呈等腰锐角三角形片状结构，且其顶角角度与刀片本体锐角角度相同，聚晶金刚石刀刃刃口朝外的固定连接在刀片本体菱形结构的一个锐角上，其大小与其所在的刀片本体锐角大小匹配；聚晶金刚石刀刃顶角角度为55°，刃口的前角为9°，刃口的后角为9°，刀片本体的厚度为2.42mm。
一种改进金刚石刀片

[发明专利]一种无膦的制备油溶性半导体纳米晶的方法-CN201210000358.5无效
发明人：张皓;刘轶;姚栋;杨柏 -专利权人：吉林大学
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体纳米晶制备技术领域，具体涉及一种利用烷基硫醇在脂肪族胺中还原溶解硒粉的方法制备硒前驱体，并利用此前驱体制备高质量的油溶性半导体纳米晶的方法。是利用烷基硫醇在脂肪族胺中还原溶解硒粉制备硒前驱体，并利用此硒前驱体制备高质量的油溶性半导体纳米晶的方法。本发明利用烷基硫醇还原硒粉制备硒前驱体，由于烷基硫醇价格便宜，绿色环保，在空气中可以稳定存在，且其还原硒粉的反应可以在空气中完成，因此这种方法有效的降低了制备纳米晶的成本并且不会对环境造成破坏，很适合于纳米晶的工业化生产
一种制备油溶性半导体纳米方法

[发明专利]稀土离子掺杂的氧氟化物微晶玻璃光纤及其制备方法-CN200310108614.3无效
发明人：张军杰;戴世勋;汪国年;徐时清;胡丽丽 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2003-11-14 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： G02B6/16 文献下载
摘要：一种应用于上转换光纤激光器的稀土离子掺杂的氧氟化物微晶玻璃光纤及其制备方法。光纤纤芯材料为氧氟化物玻璃，光纤内包层材料是与纤芯材料在折射率、膨胀系数和软化温度都匹配的氧氟化物玻璃。拉制出的光纤经严格的热处理过程后，可得到透明的微晶玻璃光纤。本发明的优越性在于：(1)本发明的稀土离子掺杂的氧氟化物微晶玻璃光纤机械强度好，化学稳定性高；(2)通过热处理后得到的氧氟化物微晶玻璃光纤可获得比现有的氟化物光纤更好的高效率的上转换绿光；(3)本发明微晶玻璃光纤制备工艺比较简单
稀土离子掺杂氟化物玻璃光纤及其制备方法

[发明专利]含钛酸钾晶须和玻璃纤维的聚丙烯复合材料-CN03129167.8无效
发明人：林世平 -专利权人：上海英泰塑胶有限公司
申请日： 2003-06-10 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合材料，尤其涉及含钛酸钾晶须和玻璃纤维的聚丙烯复合材料。一种含钛酸钾晶须和玻璃纤维的聚丙烯复合材料，包括以下组分及含量(重量份)：聚丙烯400－600、玻璃纤维150－400、钛酸钾晶须1－400、无机填料0－100、增塑剂50－200、其它助剂30－240由于本发明采用在聚丙烯中加入钛酸钾晶须和玻璃纤维的方法，利用钛酸钾晶须具有的特殊性能，对聚丙烯的改性起到了相当重要的作用，使聚丙烯中玻璃纤维与聚丙烯间的结合更加稳定和增强，将原有改性的聚丙烯的强度、耐冲击性
含钛酸钾晶须玻璃纤维聚丙烯复合材料

[发明专利]一种微晶玻璃的生产方法-CN03123004.0无效
发明人：匡敬忠 -专利权人：匡敬忠
申请日： 2003-04-25 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： C03B32/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶玻璃的生产方法，包含烧结法的配料、混合、熔制、水淬烘干、过筛分级、制得水淬玻璃颗粒的工艺过程和熔融法的配料、混合、熔制、制得玻璃融体的工艺过程，其工艺特征表现在：将上述两常规工艺中分别制得的水淬玻璃颗粒和玻璃融体进行混合；接着再依次按照常规成型(包括玻璃的常规成型法和浮法)、核化、晶化、抛光或切割工艺步骤制得微晶玻璃成品。本法与熔融法、烧结法相比，有以下优点：1.能提高玻璃的整体析晶能力，缩短晶化时间。2.能降低产品的气孔率，提高产品的质量和合格率。
一种玻璃生产方法

[发明专利]钛合金表面抗氧化的铝－铜－铁－铬准晶涂层的制备-CN02117711.2无效
发明人：周春根;徐惠彬;宫声凯;刘福顺 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2002-05-13 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： C23C4/08 文献下载
摘要：一种钛合金表面抗氧化的铝－铜－铁－铬(Al－Cu－Fe－Cr)准晶涂层的制备，是采用下列技术方案来实现的，其成分及配比：该准晶涂层由Al71Cu10Fe8.5Cr10.5组成(原子百分比)，喷涂所采用的铝－铜－铁－铬准晶粉末为球型颗粒，粒度为250－325目。其制备工艺是采用低压等离子喷涂的方法来制备铝－铜－铁－铬准晶涂层，该制备工艺为：首先采用雾化的方法制备出粒度250－325目的球型颗粒，再采用低压等离子喷涂设备，通过控制如下喷涂参数：主气流量为60升(L)/分，次气流量为25－30升(L)/分，弧电流为560－600安培(A)，弧电压为50－60伏(V)，送粉量为15－20克/分，采用该工艺可以实现在钛合金表面制备铝－铜－铁－铬准晶涂层。
钛合金表面氧化铬准晶涂层制备

[发明专利]一种牙科微晶玻璃及其制备方法和用途-CN03118953.9无效
发明人：张飚;钱法汤;吴伯麟;段兴龙;秦麟卿 -专利权人：武汉大学
申请日： 2003-04-16 - 公布日： 2003-09-17 - 主分类号： C03C10/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种牙科微晶玻璃，包括15～25％的K2O、20～30％的Al2O3、50～60％的SiO2、1～6％的CaO、0.1～0.8％的MgO、0.04～0.1％的Fe2O3、0.04～0.1％的TiO2本发明还提供了上述微晶玻璃的制备方法，将上述原料混合，加入研磨溶剂研磨，烘干，熔融形成玻璃后，冷等静压成型，再经过成核和晶化热处理，即得到所需微晶玻璃。本发明在玻璃中有控的形成白榴石晶体而得到的牙科微晶玻璃，强度高、色泽自然，其结晶相全部是从一个均匀的玻璃基质中通过特殊的生产工艺生长产生的，比现有的天然白榴石增强的牙科陶瓷具有更优异的理化性能，可用作修复体修复牙体缺损
一种牙科玻璃及其制备方法用途

[发明专利]一种晶圆型态封装及其制作方法-CN02107397.X无效
发明人：杨文焜 -专利权人：裕沛科技股份有限公司
申请日： 2002-03-20 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一晶圆背面先利用一研磨装置研磨；一玻璃贴附于晶圆背面，适合之材质包含，但不限定为环氧树脂(epoxy)，玻璃可以利用习知技术之贴附技术加以附着，然后，利用一具有特定图案之光阻作为蚀刻罩幕，蚀刻上述之晶圆用以分离IC；一绝缘材质涂布于晶圆之第二面；一研磨制程可以选择性地使用，以研磨在具有电路那一侧之晶圆表面上之环氧树脂；复数个开孔形成于黏着物质之中以及对应于晶粒上之垫(pad)，接着，电路重新分布设置于环氧树脂之表面上
一种圆型封装及其制作方法

[发明专利]在半导体装置中形成金属互连层的方法-CN02160425.8无效
发明人：表成奎 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2002-12-30 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在半导体基板上形成一下方导体层；在该已经形成下方导体层的半导体基板上形成一层间绝缘膜；选择性地蚀刻该层间绝缘膜以形成一特定形状的开孔，透过该开孔可曝露出该下方导体层；沿着已经形成的具特定形状的开孔的梯状构造形成一金属晶种层；藉由一激光制造工艺回流该金属晶种层以形成一厚度均匀的金属晶种层；对该金属晶种层执行氢气还原退火制造工艺；以及藉由电极电镀法在该金属晶种层之上形成一金属膜。
半导体装置形成金属互连方法

[发明专利]以单一晶圆式化学气相沉积的反应器连续形成氧化物/氮化物/氧化物绝缘层的制造方法-CN02146721.8无效
发明人：李世达;聂俊峰;郑丰绪 -专利权人：矽统科技股份有限公司
申请日： 2002-11-04 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种以单一晶圆式化学气相沉积的反应器连续形成氧化物/氮化物/氧化物绝缘层的制造方法，放置基底于单一晶圆式化学气相沉积的反应器中；导入含氧前驱体于单一晶圆式化学气相沉积的反应器内部，以沉积第一氧化层于基底表面；导入含氮前驱体于单一晶圆式化学气相沉积的反应器内部，沉积氮化层于第一氧化层表面；导入氧气于单一晶圆式化学气相沉积的反应器内部，并且同时实施热处理程序，氧化生成第二氧化层于氮化层表面。
单一晶圆式化学沉积反应器连续形成氧化物氮化物绝缘制造方法