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[实用新型]一种多级限域旋混反应装置-CN202220583676.8有效
发明人：范国利;李峰 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B01F33/83 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多级限域旋混反应装置，装置包括壳体、固定于壳体内部的定子及与定子咬合的转子；转子套设于转轴上，转轴下端设置精磨转子，且与驱动机构的驱动轴连接。本实用新型具有破碎、解聚、分散、强化混合和反应的功能，多级限域旋混反应装置的毫米/微米尺度限域反应空间内的高压液膜剪切、高频震荡、强湍流作用的高效协同，抑制了反应过程中不溶/微溶性盐在颗粒表面的沉积和包覆
一种多级限域旋混反应装置

[发明专利]基于聚合物半导体薄膜的可拉伸X射线光探测器及其制备方法-CN202110992982.7在审
发明人：郭云龙;边洋爽;刘凯;冉洋;匡俊华;刘云圻 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10K30/65 文献下载
摘要：本发明公开一种基于聚合物半导体薄膜的可拉伸有机X射线光探测器，具体涉及一种调控聚合物共混薄膜自组装纳米限域的方法，以及基于聚合物的高灵敏直接型可拉伸X射线光探测器。本发明提出一种偏心旋涂诱导共混膜自组装的策略，制备了具有纳米限域的可拉伸聚合物薄膜，实现了光电材料纳米形貌的有效控制。基于此纳米限域的薄膜，所制备的可拉伸X射线光探测器不仅表现出高灵敏、快响应和低剂量的X射线探测能力，且具有高透光率、高可拉伸性和耐疲劳性。
基于聚合物半导体薄膜拉伸射线探测器及其制备方法

[发明专利]旋流装置及温度控制装置-CN202210680331.9在审
发明人：陈荣清;许航;刘伟明;吉平 -专利权人：苏州英维克温控技术有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： F24F13/08 文献下载
摘要：本申请提供一种旋流装置及温度控制装置，所述旋流装置包括初级旋流风口组件和混流板，所述混流板设于所述初级旋流风口组件的出风侧，所述混流板包括第一区域和第二区域，其中所述第一区域靠近所述初级旋流风口组件的中部设置，所述第一区域的过流面积小于第二区域的过流面积。本申请提供的旋流装置及温度控制装置中，采用通过减小初级旋流风口组件下游的混流板的中间的过流面积的方式，能够加大中间的气流流通阻力，使得从经过的气流能够均匀分布流向初级旋流风口组件，充分利用初级旋流风口组件的混合作用
装置温度控制

[实用新型]旋流装置及温度控制装置-CN202221529036.5有效
发明人：陈荣清;许航;刘伟明;吉平 -专利权人：苏州英维克温控技术有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： F24F13/08 文献下载
摘要：本申请提供一种旋流装置及温度控制装置，所述旋流装置包括初级旋流风口组件和混流板，所述混流板设于所述初级旋流风口组件的出风侧，所述混流板包括第一区域和第二区域，其中所述第一区域靠近所述初级旋流风口组件的中部设置，所述第一区域的过流面积小于第二区域的过流面积。本申请提供的旋流装置及温度控制装置中，采用通过减小初级旋流风口组件下游的混流板的中间的过流面积的方式，能够加大中间的气流流通阻力，使得从经过的气流能够均匀分布流向初级旋流风口组件，充分利用初级旋流风口组件的混合作用
装置温度控制

[发明专利]一种氟掺杂介孔碳的限域Fe系催化剂及其制备方法、应用-CN202310510221.2在审
发明人：张朋泽;朱明远;姜晓蕾;张鹏;王一庆;印雪 -专利权人：烟台大学
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B01J27/128 文献下载
摘要：本发明为一种氟掺杂介孔碳的限域Fe系催化剂及其制备方法、应用。一种氟掺杂介孔碳的限域Fe系催化剂的制备方法，包括：(1)将模板剂溶解于乙醇水溶液中，得溶液A；(2)将氟元素前驱体加入到所述的溶液A中，混匀后，得溶液B；(3)将Fe前驱体和碱金属前驱体加入到所述的混合液B，混匀后，得溶液C；(4)将甲阶酚醛树脂乙醇溶液加入所述的混合液C，得凝胶状液体；(5)将所述的凝胶状液体干燥后，进行热处理，得所述的氟掺杂介孔碳的限域Fe系催化剂。本发明所述的一种氟掺杂介孔碳的限域Fe系催化剂及其制备方法、应用，该催化剂的限域结构能够明显提高CO2转化率(约42％)并降低CH4
一种掺杂介孔碳 fe 催化剂及其制备方法应用

[实用新型]双涡流直供充气浮选机-CN200920092453.6无效
发明人：邓柏林 -专利权人：洛阳昶威机械制造安装有限公司
申请日： 2009-08-07 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： B03D1/16 文献下载
摘要：在固定工作台上设置有电机、调心轴承上壳体，在调心轴承上壳体的工作腔内设置空心搅拌轴，空心搅拌轴顶部设置有进风口在轴承上壳体下端设置支撑导管，其深入到工作池内，空心搅拌轴下部位于支撑导管内；搅拌轴的下端设置有旋拌限料盘，在旋拌限料盘上表面设置有搅拌发射叶片，旋拌限料盘下表面设置有搅拌气体分流叶片，旋拌限料盘底部设置空气分配器，在支撑导管上设置混料下壳体，混料下壳体与供料系统矿浆管连接。
涡流充气浮选机

[发明专利]一种基于垂直孔道SBA-15限域的量子点发光薄膜的制备方法-CN201810061802.1在审
发明人：杨尊先;郭太良;郑康;陆干臻;赵志伟;胡海龙;叶芸;陈耿旭;李福山;林俊杰 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜的制备方法。其先制备具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜，随后再以其为模板，通过旋涂的方式灌入量子点前驱体溶液，使量子点在SBA‑15薄膜的垂直孔道中形成，再在其表面旋涂一层高分子聚合物进行封装，从而形成所述基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过SBA‑15的孔道限域作用，可使形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。
垂直孔道量子点限域制备发光薄膜旋涂量子点前驱体溶液分子聚合物多孔薄膜粒径均一制备工艺单色性灌入孔道薄膜封装制作

[发明专利]一种基于垂直孔道SBA-15限域的量子点发光二极管器件的制作方法-CN201810061813.X有效
发明人：杨尊先;郭太良;黄建华;郑康;陆干臻;叶芸;周雄图;陈耿旭;李福山;陈剑明 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光二极管器件的制作方法。其先在FTO玻璃上通过蒸镀技术和热氧化工艺制备一层TiO₂薄膜，再利用旋涂工艺制备具有垂直孔道的SBA‑15多孔薄膜，随后以垂直多孔的SBA‑15薄膜作为模板，通过旋涂灌入量子点前驱体溶液，使得垂直多孔的SBA‑15薄膜孔道中嵌入量子点，再利用旋涂工艺在嵌有量子点的SBA‑15薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和银，最终形成所述基于垂直孔道SBA‑15限域的量子点发光二极管器件本发明制作成本低，制备工艺简单，其通过SBA‑15的限域作用，可使SBA‑15中形成的量子点具有粒径均一、单色性好等优势。
量子点垂直孔道限域发光二极管器件旋涂薄膜再利用蒸镀制备制作量子点前驱体溶液垂直空穴传输层热氧化工艺多孔薄膜工艺制备粒径均一制备工艺单色性热蒸发氧化钼灌入孔道嵌有嵌入

[发明专利]一种用于燃气轮机燃烧室的燃料喷嘴预混系统-CN202211156505.8在审
发明人：段冬霞;赵光军;李珊珊;任立磊;吕煊 -专利权人：中国联合重型燃气轮机技术有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： F23R3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于燃气轮机燃烧室的燃料喷嘴预混系统，包括第一区域及将所述第一区域包围的第二区域，该预混系统包括预混通道(4)，预混通道(4)包括第一预混通道和第二预混通道，多个独立的第一预混通道在所述第一区域阵列排布形成第一通道阵列，多个独立的第二预混通道在第二区域阵列排布形成第二通道阵列，燃料与氧化剂通过第一预混通道和第二预混通道后形成燃料混合物，并从所述第一区域和所述第二区域内喷出。从而在有限混合长度下，使喷出的燃料形成低旋流流场；同时，采用预混通道提高燃料与氧化剂掺混均匀性，避免局部燃烧温度过高，从而降低燃烧室内氮氧化物的排放，保护环境。
一种用于燃气轮机燃烧室燃料喷嘴系统

[发明专利]一种限域空间微纳米精密组装法制备聚合物基导电复合材料的方法-CN201710070455.4有效
发明人：吴大鸣;高小龙;刘颖;郑秀婷;黄尧;何晓祥;萨门;许红;赵中里 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种限域空间微纳米精密组装法制备聚合物基导电复合材料的方法，属于复合材料制备技术领域；具体包括如下步骤：（1）将导电填料与聚合物基体加入到共混设备中混合均匀得到均相的聚合物/导电填料物料体系；（2）将均相物料体系加入到由两个平板组成的模具中，通过机械压缩的方式对均相共混物进行平面限域压缩；（3）利用压缩模板上设置的微纳结构阵列，对网络上的填料进行进一步压实，进行“阵列锚固”，实现网络的微纳米精密组装
一种空间纳米精密组装法制性能聚合物导电复合材料方法

[发明专利]一种基于数据域描述的可变控制限故障检测方法-CN201910242418.6有效
发明人：周东华;陈茂银;桑建学;郭天序;台秀华;纪洪泉;钟麦英 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于数据域描述的可变控制限故障检测方法，具体涉及故障诊断技术领域。解决了现有的故障检测中存在正常样本和故障样本混叠现象时，高的故障检测率(FDR)低的误报率(FAR)无法兼顾的问题。该方法首先通过局部可达密度(LRD)加权的支持向量数据域描述(SVDD)，对离线数据进行建模，利用高斯核函数得到具有软边界的超球体，在此基础上定义样本的故障检测统计量。在线故障检测时，根据最近w个样本的故障检测统计量信息，使控制限在接近0的正数ρ和接近0的负数σ之间进行切换，可同时兼顾FDR和FAR两个指标，大大提高混叠区域样本的故障检测性能。
一种基于数据描述可变控制故障检测方法

[发明专利]面向异形薄壁碳/碳复合材料结构的限域反应器设计方法-CN202310542975.6在审
发明人：李玮洁;张中伟;杜东海;郭立佳;王洪翠 -专利权人：北京交通大学;北京理工大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了面向异形薄壁碳/碳复合材料结构的限域反应器设计方法，包括以下步骤：建立异形薄壁碳/碳复合材料结构化学气相渗透工艺成型理论模型‑设计面向异形薄壁碳/碳复合材料结构的限域反应器的数字化模型‑搭建仿真模型模拟限域反应器内不同区域的多物理场耦合行为‑分析限域反应器设计参数对限域反应器内不同区域流场与浓度场、沉积速率、沉积均匀性的影响规律‑给出异形薄壁碳/碳复合材料结构的限域反应器设计参数，实现面向异形薄壁碳/碳复合材料结构快速均匀致密化的限域反应器按需定制本发明采用上述面向异形薄壁碳/碳复合材料结构的限域反应器设计方法，实现了复杂形状、壁薄、耐高温碳/碳复合结构材料的高效高品质制备。
面向异形薄壁复合材料结构反应器设计方法

[发明专利]调控多相体系中分散相尺寸分布的串联限域装置和方法-CN202110442565.5在审
发明人：冯俊杰;安飞;王世强;孙冰;李娜;赵磊 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明涉及微流控领域，公开了一种调控多相体系中分散相尺寸分布的串联限域装置和方法，所述串联限域装置包括连续布置的入口通道(1)、限域单元和出口通道(4)，所述限域单元包括依次交替地串接在入口通道和出口通道之间的至少两个限域通道(2)和至少一个中间通道(3)，至少在彼此相接的位置，限域通道的通流截面积小于中间通道的通流截面积。本发明的串联限域装置仅需串联在其他装置即可实现对于气泡/液滴等分散相的调控，具有结构简单、操作方便等优点；利用其的调控方法能够有效利用连续相的挤压与脉动冲击以及分散相的自身不稳定性与快速拉伸等破裂机制，
调控多相体系分散相尺寸分布串联装置方法

[发明专利]类沸石咪唑酯骨架材料限域制备高分散钯亚纳米粒的方法-CN201910457776.9在审
发明人：李颖;包敏;刘松琴 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： B01J31/28 文献下载
摘要：本发明是一种类沸石咪唑酯骨架材料限域制备高分散钯亚纳米粒的方法，包括以下工艺步骤：1)将金属硝酸盐和咪唑衍生物分别超声分散在甲醇中，经过直接混合、搅拌、离心分离、洗涤、超声分散、真空干燥，得到ZIFs；2)在ZIFs分散液中，加入钯盐的前驱体溶液，经过减压预混、抽滤、水洗、真空干燥，得到Pd²⁺/ZIFs；3)在Pd²⁺/ZIFs分散液中，减压预混后加入还原剂硼氢化钠还原，抽滤，水洗，真空干燥，制备得到ZIFs限域负载的高含量、高分散钯亚纳米颗粒。
制备高分散限域超声分散分散液中减压纳米粒亚纳米抽滤预混沸石咪唑酯骨架还原剂硼氢化钠类沸石咪唑酯有机溶剂体系金属硝酸盐前驱体溶液咪唑衍生物分散性好工艺步骤骨架材料环境友好热稳定性直接混合水体系甲醇钯盐洗涤还原

[发明专利]一种用于HVPE反应炉的限域生长环及氮化物晶体生长方法-CN202110711924.2有效
发明人：王新强;刘强;刘放;盛博文 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于HVPE反应炉的限域生长环及氮化物晶体生长方法。本发明采用钨、钌和钼中的一种，或者采用钨、钌和钼中的一种的碳化物或氮化物的限域生长环，经过清洗、退火和激活使限域生长环的功能面具备化学活性；将限域生长环置于反应炉生长区中，生长过程中限域生长环对晶体侧向生长进行限制，从而阻止晶体的边缘生长，遏制生长过程中产生边缘效应，减少生长过程中产生的应力，最终实现厘米级GaN体晶生长；本发明实现方法简单，根据现有的技术水平能够容易实现，并大量推广；限域生长环能够经过热清洗后重复使用，节约了限域生长环的制作成本，经济实用；限域生长环能够根据不同HVPE反应炉生长区的不同结构进行优化设计，通用性强。
一种用于 hvpe 反应炉生长氮化物晶体生长方法

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