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[发明专利]一种键合焊点的保护方法-CN201910667117.8在审
发明人：杨斌;崔成强;周章桥;张昱;杨冠南 -专利权人：广东禾木科技有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及引线键合技术领域，具体公开了一种键合焊点的保护方法，包括以下步骤：在键合过程中，独立设置喷嘴，所述喷嘴与瓷嘴同时进行运动控制，所述喷嘴设置一个，喷嘴的排列形状为单一圆形；烧球后瓷嘴键合第一焊点，当焊接完一列后，瓷嘴升起，喷嘴向每列焊点整体喷射保护流体，所述喷嘴开始工作时间滞后于瓷嘴键合时间；瓷嘴键合第二焊点，当焊接完一列后，瓷嘴升起，喷嘴向每列焊点喷射保护流体，在机台本身温度下进行固化，对焊点进行保护本发明利用喷嘴和瓷嘴之间的时间差，在瓷嘴完成第一焊点和第二焊点的键合打线后，喷嘴开始向第一焊点和第二焊点喷射保护流体，以达到对第一焊点和第二焊点的有效保护。
焊点喷嘴瓷嘴键合流体喷射键合焊点焊接机台引线键合技术独立设置键合过程排列形状时间滞后运动控制时间差打线烧球固化

[发明专利]电源键合引线焊点的可靠性检测方法-CN201410072811.2有效
发明人：章晓文;何小琦;恩云飞 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：一种电源键合引线焊点的可靠性检测方法，包括：建立键合引线焊点可靠性的测试装置，所述测试装置置于温循箱内，包括：键合引线、过渡片、粘接层和陶瓷基板，各键合引线键合设置在过渡片上，各条键合引线串联，串联后的键合引线一端连接电源的第一接线柱，另一端连接电源的第二接线柱，所述过渡片的粘接面粘接在粘接层上，所述粘接层设置在陶瓷基板上，键合引线为与电源键合引线相同类型的键合引线；通过所述测试装置获取键合引线焊点初始阻值和当前阻值，并根据初始阻值、当前阻值和预设倍数值判断键合引线焊点是否失效，当键合引线焊点失效时获取温度循环次数；根据温度循环次数判断电源键合引线焊点的可靠性。
电源引线可靠性检测方法

[实用新型]一种封装大电流肖特基产品时键合线的键合焊点结构-CN200820120696.1无效
发明人：段康胜 -专利权人：宁波明昕微电子股份有限公司
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种封装大电流肖特基产品时键合线的键合焊点结构，所述大电流肖特基产品每颗芯片的金属表面上焊接有至少两根键合线，其特征在于：所述键合线中至少一根键合线的一端与芯片金属表面形成两个所述键合焊点，而其它键合线的一端则只与芯片金属表面形成一个所述键合焊点。与现有技术相比，本实用新型的优点在于：通过将键合线中至少一根键合线的一端与芯片金属表面形成两个键合焊点，而其它键合线的一端则只与芯片金属表面形成一个键合焊点，可有效降低大电流肖特基产品的正向工作电压。
一种封装电流肖特基产品时键合线键合焊点结构

[发明专利]纯氮气环境下的铜线键合方法-CN201310142393.5无效
发明人：王波 -专利权人：山东泰吉星电子科技有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种纯氮气环境下的铜线键合方法，用于将铜线键合在第一焊点和第二焊点之间，包括步骤一、用高压电火花将铜线一端熔成第一焊球，通过超声键合将第一焊球在纯氮气环境中键合于第一焊点上，完成铜线与第一焊点的键合；步骤二、用高压电火花将所述铜线另一端熔成第二焊球，通过超声键合将第二焊球在纯氮气环境中键合于第二焊点上，完成铜线与第二焊点的键合；铜线两端点分别熔成焊球，使铜线与芯片之间的键合点接触面积大并且极为牢固，避免了楔形键合点接触面积小且必须使用氢气进行还原的弊端；键合在纯氮气环境下进行，杜绝了传统铜线键合在氮氢混合气体条件下进行引起爆鸣声及爆炸现象，使铜线键合工艺更加安全。
氮气环境铜线方法

[发明专利]一种半导体元器件中键合引线的返修方法-CN202211405440.6在审
发明人：黄芳;唐伟;赖升 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体元器件中键合引线的返修方法，包括：将待返修的半导体元器件放置在键合设备承片台上；通过AOI光学自动检测设备自动扫描系统获取半导体元器件目标焊点位置处键合引线的直径；根据目标焊点位置处键合引线的直径和键合引线的金属材质创建键合引线返修工具；使用键合引线返修工具将半导体元器件目标焊点处的键合引线与焊盘分离；使用等离子风枪吹淋分离的键合引线，直至半导体元器件的封装外壳内部未残留有分离的键合引线为止；在目标焊点处重新对键合引线进行键合，完成半导体元器件中键合引线的返修，通过本发明能够对半导体元器件中键合引线进行返修，提高半导体元器件的成品率。
一种半导体元器件中键合引线返修方法

[发明专利]一种键合丝打线后焊点的保护方法-CN201910496262.4在审
发明人：杨斌;崔成强;周章桥;张昱;杨冠南 -专利权人：广东禾木科技有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片封装技术领域，具体是一种键合丝打线后焊点的保护方法，包括以下步骤：步骤一：在焊线瓷嘴周围设置喷嘴，所述喷嘴与瓷嘴同时进行运动控制或独立设置运动机构进行控制；步骤二：烧球之后键合第一焊点，待瓷嘴升起，喷嘴开始向第一焊点喷射含有保护材料的流体，所述喷嘴开始工作时间滞后于瓷嘴键合时间；步骤三：瓷嘴键合第二焊点，待瓷嘴升起，喷嘴开始朝第二焊点喷射含有保护材料的流体，完成保护。该键合丝打线后焊点的保护方法通过形成一层保护层均匀包裹在第一焊点和第二焊点的表面，隔绝焊点与外部氛围，腐蚀性气体或液体无法与焊点接触进行腐蚀，以达到对第一焊点和第二焊点的有效保护。
焊点喷嘴瓷嘴键合丝打线键合保护材料流体喷射半导体芯片封装腐蚀性气体独立设置焊线瓷嘴均匀包裹时间滞后运动机构运动控制保护层烧球腐蚀外部

[发明专利]一种实现硅通孔叠层芯片互连的方法-CN201410223960.4在审
发明人：田艳红;刘宝磊;孔令超;王春青 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-05-24 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现硅通孔叠层芯片互连的方法，所述方法按以下步骤实现多层堆叠硅通孔芯片间的键合：打孔→填充导电金属→制备钎料层→夹持对中→键合→成品，所述键合过程中，利用电流焦耳热辅助键合工艺实现硅通孔三维互连焊点键合本发明提供的焦耳热辅助实现三维封装键合方法能够在较低的温度甚至是常温下，实现全金属间化合物焊点的快速键合，有效的降低了芯片的热损伤；在定向电流的作用下，使焊点中的金属间化合物定向、择优、快速生长，焊点具备较高的导电性和优异的综合力学性能，有效的提高了焊点的可靠性；采用平行电极电阻焊实验平台，容易集成热板、超声装置，可以达到更为优异的键合效果，缩短键合时间。
一种实现硅通孔叠层芯片互连方法

[发明专利]引线键合焊点的电学性能的预测方法、装置、设备及介质-CN202111435861.9有效
发明人：王小平;曹万;熊波;杨军;洪鹏;王晓燕 -专利权人：武汉飞恩微电子有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种引线键合焊点的电学性能的预测方法、装置、设备及介质，该方法包括：接收引线键合焊点的电学性能的预测请求；获取所述引线键合焊点的外界环境参数；将所述外界环境参数输入至预先训练好的第一神经网络模型中进行仿真解算，得到所述引线键合焊点的参数信息；将所述参数信息输入至预先训练好的第二神经网络模型中进行电学性能预测，得到所述引线键合焊点的电学性能信息。本发明基于神经网络技术，结合有限元仿真计算，实现了根据实际环境对引线键合焊点的电学性能进行精准分析和预测，为下级元器件和控制装置提供决策依据，保证了产品性能，提高了运用精度和效率。
引线键合焊点电学性能预测方法装置设备介质

[发明专利]一种基于三维点云的金丝键合尺寸检测方法-CN202110746521.1有效
发明人：汪俊;隆昆;谢乾;李大伟 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三维点云的金丝键合尺寸检测方法，包括：步骤1，基于点云深度学习方法对输入整体点云进行部件检测，并根据检测结果分别提取出金丝点云、焊点点云、芯片点云和底板点云；步骤2，分别在提取出的金丝点云和焊点点云中分割出单条金丝点云和单个焊点点云，然后根据单独的金丝点云、焊点点云进行金丝‑焊点配对；步骤3，构建金丝键合尺寸计算模型，根据金丝‑焊点配对组合和金丝键合尺寸计算模型计算金丝键合尺寸参数。本发明的一种基于三维点云的金丝键合尺寸检测方法旨在解决金丝键合尺寸自动化检测的问题，用于金丝形貌特征自动化检测，且本发明的检测精度高，方法简单便于实现。
一种基于三维金丝尺寸检测方法

[发明专利]芯片键合线的分割方法及其分割装置-CN202011293153.1有效
发明人：请求不公布姓名;左文琪 -专利权人：苏州斯玛维科技有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片键合线的分割方法及其分割装置，其涉及数字图像处理技术领域，分割方法包括：对芯片的X射线图像进行自适应阈值二值化处理，以得到分离出的键合线焊点区域的图像；基于分离出的键合线焊点区域的图像计算得到焊点的质心坐标；对芯片的X射线图像进行边缘检测以获取键合线边缘轮廓的图像；以焊点的质心为标记点，在键合线边缘轮廓的图像上标记出完整的键合线图像；对键合线边缘轮廓的图像和标记后完整的键合线图像进行按位异或处理，再进行图像颜色取反处理以得到分离出的键合线的完整轮廓的图像本申请能够在图像中将键合线高效、准确的分割出来，从而为键合线断裂缺陷的自动在线检测提供良好的前置条件。
芯片键合线分割方法及其装置

[发明专利]一种提升芯片单焊盘可通过电流的引线键合方法-CN202211669327.9在审
发明人：陈中洲;方兆国;达旭娟 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-12-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升芯片单焊盘可通过电流的引线键合方法，首先对陶瓷劈刀的预留金线进行烧球处理，将金线熔融为金焊球；在芯片焊盘表面上将金焊球压扁，使其成型，同时施加超声电流，产生促进键合的超声功率，使金焊球与芯片焊盘表面形成键合界面；将金丝沿金焊球尾部切断，在芯片焊盘表面上形成金焊球；以内引脚或载体为一焊点、芯片焊盘表面的金焊球为二焊点进行引线键合，得到键合丝；以键合丝二焊点鱼尾表面为一焊点、内引脚或载体为二焊点进行引线键合。通过在单焊盘与内引脚或载体之间引线键合多根键合丝，增加芯片焊盘与内引脚或芯片焊盘与框架载体之间键合丝的数量，通过并联分流方式，提升芯片焊盘可通过的电流，实现内外的电气互联。
一种提升芯片单焊盘可通过电流引线方法

[实用新型]一种LED封装结构-CN201620976716.X有效
发明人：陶海青;潘国煜;郑智斌 -专利权人：厦门华联电子有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本实用新型提供一种LED封装结构，包括基板、LED芯片、金属键合线、金属焊球及金属底线，金属底线焊接在基板的电极上并形成第一楔形焊点，与基板的电极的接合性好，在第一楔形焊点上焊接金属焊球，金属键合线的第二焊点焊接在金属焊球，金属焊球缓冲应力好，金属键合线的第二楔形焊点与金属焊球接合性好且第二楔形焊点不会造成裂痕，可靠度高，金属键合线与基板的电极之间不易脱离，产品使用寿命增长。
一种 led 封装结构

[实用新型]一种LED封装体、器件、模组、灯源和显示装置-CN201721855044.8有效
发明人：沈彬彬;刘沛;邢其彬;姚亚澜 -专利权人：深圳市聚飞光电股份有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本申请涉及一种LED封装体、器件、模组、灯源和显示装置，该LED封装体包括：基板、第一导电层、第二导电层、芯片和键合线，其中，第一导电层和第二导电层均固定在基板上；芯片的第二电极与键合线相焊接；键合线还与第二导电层相焊接，且键合线在第二导电层上形成至少一个焊点，与焊点任意一侧或两侧相邻的一段键合线贴合在第二导电层的表面上。该LED封装体内，由于焊点周围有至少一段键合线贴合在第二导电层的表面上，所以这一段键合线的下方将不会填充胶体，当胶体热胀冷缩时，胶体也不会从键合线下方向上顶起这一段键合线，进而不会导致焊点由于胶体的作用而被拔起断电
键合线第二导电层焊点第一导电层显示装置灯源基板模组贴合焊接芯片第二电极热胀冷缩断电填充体内申请

[实用新型]一种高可靠度的LED灯-CN201520360668.7有效
发明人：严冰波 -专利权人：中山市圣上光电科技有限公司
申请日： 2015-05-30 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高可靠度的LED灯，它涉及LED封装领域，包括导电固晶胶、LED晶片、键合线、LED支架、键合线、LED正极或负极、LED负极或正极；将键合线焊接在LED支架上形成一焊点和二焊点，二焊点尾端位于固晶位置边缘，点导电固晶胶并压住二焊点尾端，然后将LED晶片固晶，晶片底部压住二焊点尾端和导电固晶胶，烘烤固化至完全，所述LED正极或负极通过键合线与LED支架连接，而LED负极或正极则通过导电固晶胶与LED支架连接本实用新型只针对垂直结构的晶片固晶作业方式进行优化，通过增加一条键合线，提高了LED灯的可靠度，方便又实用。
一种可靠 led

[发明专利]三基色发光二极管芯片及其制备方法-CN202111601651.2有效
发明人：兰叶;朱广敏;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种三基色发光二极管芯片及其制备方法，包括：生长第一外延层；将第一外延层键合到一透明基板上；生长第二外延层；将第二外延层上键合到第一外延层上，形成第一键合层；采用激光照射第一外延层、第一键合层和第二外延层；生长第三外延层；将第三外延层键合到第二外延层上，形成第二键合层；采用激光照射第一外延层、第一键合层、第二外延层、第二键合层和第三外延层；在第三外延层的表面刻蚀形成第一凹槽、第二凹槽；在第三外延层上制备第一焊点块、第二焊点块、第三焊点块和第四焊点块。本公开能提高键合层的刻蚀速度，提升三基色发光二极管芯片的制备效率。
基色发光二极管芯片及其制备方法

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