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[发明专利]有两种恒温模式的简易转印加热板-CN201711412799.5在审
发明人：周卓 -专利权人：苏州派菲特自动化科技有限公司
申请日： 2017-12-24 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： B41F16/00 文献下载
摘要：一种有两种恒温模式的简易转印加热板，包括把手和板体，其中：板体由上到下依次包括第一壳体、锡合金层、金属锡层、铁板层和第二壳体；所述锡合金层和金属锡层外部包有一层铁壳，将锡合金层和金属锡层密封于铁壳内，锡合金层和金属锡层中间由一层铁皮隔开；所述板体四周边缘有不锈钢封板，所述第一壳体、第二壳体与不锈钢封板密封焊接，在不锈钢封板的有把手一侧上设有温度计，温度计通过感温管与锡合金层连通；本发明的有两种恒温模式的简易转印加热板，可使发热板表面温度暂时保持在
有两种恒温模式简易加热

[发明专利]铟锡氧化物的透明导电层状镀层-CN02813884.8有效
发明人： H·梅马里安;H·帕特尔 -专利权人： CP菲林公司
申请日： 2002-04-18 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： B32B7/02 文献下载
摘要：包含铟锡氧化物薄膜的透明导电装置，该装置通过提供铟锡氧化物薄膜来改进，该铟锡氧化物薄膜包含渐次变化的单个铟锡氧化物层的层叠，其中层中的锡的原子百分比可以单独选择。薄膜的每个铟锡氧化物层包含1－99原子百分比的锡。每层是通过物理气相沉积过程或者通过溅射镀膜来制作的。优选的是包含多个铟锡氧化物层的薄膜被施加到透明柔性衬底上诸如聚合物板。在该装置中可以包括任选的底层、硬镀膜层和上镀膜层。
氧化物透明导电层状镀层

[发明专利]一种互连微焊点、芯片及芯片的焊接方法-CN202011496479.4在审
发明人：朱文辉;唐楚;马创伟 -专利权人：中南大学;长沙安牧泉智能科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明涉及电子元器件的封装技术，公开了一种互连微焊点、芯片及芯片的焊接方法，本发明的互连微焊点，包括第一铜层、第一阻挡层、第一锡层、第二锡层、第二阻挡层以及第二铜层，所述第一阻挡层设于所述第一铜层上，所述第一锡层设于所述第一阻挡层上，所述第二阻挡层设于所述第二铜层上，所述第二锡层设于所述第二阻挡层上，在焊接状态下，所述第一锡层与所述第二锡层键合于一体。这样，可以通过第一阻挡层和第二阻挡层抑制互连微焊点之间的孔洞，能防止由于孔洞扩散成裂纹影响芯片结构。
一种互连微焊点芯片焊接方法

[发明专利]一种硒化物靶溅射制备铜锌锡硒吸收层薄膜的方法及应用-CN202111328336.7在审
发明人：王书荣;李祥;李新毓;刘信;李秋莲 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化物靶溅射制备铜锌锡硒吸收层薄膜的方法，具体包括以下步骤：(1)衬底预处理；(2)钼层的制备；(3)铜锌锡硒预制层的制备：以Cu靶、ZnSe化合物靶、SnSe靶作为靶源，在所述钼层上按照ZnSe/SnSe/Cu的顺序溅射，即得到铜锌锡硒预制层；(4)铜锌锡硒吸收层薄膜的制备：将所述铜锌锡硒预制层制备完成后的所述衬底退火硒化处理后，得到一种硒化物靶溅射制备的铜锌锡硒吸收层薄膜；本发明的制备工艺简便、薄膜组分可控、样品制备周期短、薄膜重复性较好，可以制备出符合高效率铜锌锡硒薄膜太阳电池要求的贫铜富锌的铜锌锡硒吸收层薄膜。
一种硒化物靶溅射制备铜锌锡硒吸收薄膜方法应用

[实用新型]一种氮化铝双面预置金锡焊料热沉-CN202020618754.4有效
发明人：韩建栋;王炜;智云涛;表军 -专利权人：石家庄海科电子科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化铝双面预置金锡焊料热沉，包括氮化铝层，所述氮化铝层为长方体结构，所述氮化铝层的两侧分别设置第一铜层和第二铜层，其中，所述第一铜层上设置第一预置金锡焊料，所述第二铜层上设置第二金锡焊料，所述第一预置金锡焊料与所述第一铜层的面积相同，所述第二预置金锡焊料设置在所述第二铜层的中下部。预置金锡是采用分层电镀的方式将金锡焊料预置在热沉上芯片烧结的位置和热沉的整个背面，预置金锡省去了夹取焊料片和焊料对位的步骤，管芯和热沉的装配，热沉和管壳的装配可以同步进行，简化工艺步骤，提高装配效率。
一种氮化双面预置焊料

[发明专利]一种锡铋合金电镀工艺-CN201610232429.2在审
发明人：刘国强;徐卉军 -专利权人：中山品高电子材料有限公司
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： C25D5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种锡铋合金电镀工艺，在镀件的纯锡镀层上加镀了锡铋镀层，镀锡铋镀层的镀液中锡、铋的质量比为94：6，纯锡层与锡铋镀层的总膜厚度为7.5～12.5μm，其中铋层占总膜厚的5～10％。本发明在纯锡层基础上加镀锡铋层，使获得的Sn-Bi合金镀层均匀致密、光亮、结合力及钎焊性优良，本发明锡铋合金镀层不仅能防止锡须的形成及向灰锡的转变，具有更高的品质而且具有无毒性环保等特点。
一种合金电镀工艺

[实用新型]一种消光焊锡丝-CN201621271428.0有效
发明人：何小波 -专利权人：昆山市圣翰锡业有限公司
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： B23K35/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种消光焊锡丝，包括锡银合金层、锡层、铜层、消光剂层和助焊剂层，所述助焊剂层的外侧和内侧分别设置有锡层和锡银合金层，且锡层的外侧设置有铜层，所述铜层的外侧设置有消光剂层。本实用新型在铜层的外侧设置有消光剂层，可降低焊点的亮度，既有利于检查焊缝，又可降低对眼镜的伤害，设置的铜层，可有效的隔绝氧气，防止氧气氧化产品，提高焊接的质量和强度，同时将本产品设计为扁平式的椭圆形结构，有利于焊枪的着落，且在助焊剂层的外侧有锡层包裹，可减少焊接时助焊剂的飞溅。
一种焊锡丝

[发明专利]外延掺杂的锗锡合金的形成方法-CN201380015682.7有效
发明人：埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;黄宜乔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：在此描述用于形成锗锡层的方法与所得的实施例。将锗前驱物与锡前驱物提供至腔室，且在基板上形成锗锡的外延层。锗锡层选择性沉积在基板的半导体区域上，且可包括具有改变的锡与掺杂剂浓度的厚度区域。可通过交替地或同步地将卤化物气体流入以蚀刻基板表面而选择性沉积锗锡层。
外延掺杂合金形成方法

[发明专利]半导体的锡银接合结构及其制造方法-CN201710827840.9在审
发明人：卢威华 -专利权人：屏东科技大学
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明揭露一种半导体的锡银接合结构及其制造方法，该半导体的锡银接合结构具有导接铜层、锡镀层及银镀层，该导接铜层与含锡镀液接触以进行第一化学镀反应，使该锡镀层直接形成于该导接铜层表面，该锡镀层与含银镀液接触以进行第二化学镀反应，使该银镀层直接形成于该锡镀层表面，其中该银镀层用以抑制该锡镀层表面形成锡须。
锡镀层接合结构银镀层导接锡银半导体直接形成化学镀铜层表面形成铜层表面锡镀液镀液含银锡须制造

[发明专利]金属基印制板制造方法-CN202111228905.0在审
发明人：张飞龙;李秋梅;王众孚 -专利权人：景旺电子科技（龙川）有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H05K3/18 文献下载
摘要：本发明涉及印制电路板制造领域，提供一种金属基印制板制造方法，包括压合制板、铣槽锣空、沉铜电镀、镀锡抗蚀、刮退锡槽和蚀刻退锡步骤。其中，在铣槽锣空步骤中，对工作板区的接壤边沿以外的非工板区进行铣槽锣空，以露出工作板区的贴装侧壁；在沉铜电镀步骤中，在贴装侧壁上电镀形成电镀铜层；在镀锡抗蚀步骤中，在电镀铜层上镀第一锡层；在刮退锡槽步骤中，在第一锡层上刮出退锡槽，以露出退锡槽对应的电镀铜层区域，退锡槽设于正极区和负极区之间；在蚀刻退锡步骤中，先蚀刻退锡槽对应的电镀铜层区域，再去除第一锡层。
金属印制板制造方法

[实用新型]芯片与导线蘸锡机-CN202320170485.3有效
发明人：龙见学 -专利权人：昆山富士龙自动化有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B23K3/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及芯片加工机领域，尤其是芯片与导线蘸锡机。该蘸锡机包括锡槽、盛锡机构、氧化层刮除机构、液位检测机构、旋转台、夹具，所述锡槽上安装有用于将锡液从锡槽内取出的盛锡机构、用于将锡液表面氧化层刮除的氧化层刮除机构、用于检测锡槽内锡液液位的液位检测机构，锡槽一侧设有旋转台，旋转台上安装有用于夹持芯片和导线的夹具。本实用新型通过旋转台配合夹具来转移芯片与导线，通过锡槽、盛锡机构来将锡取出并蘸到芯片及导线上。本申请实现了芯片及导线蘸锡的自动化运行，节约了人力，提高了工作效率。
芯片导线蘸锡机

[发明专利]氧化铟锡膜及其制作方法-CN201110302041.2无效
发明人：杨能辉 -专利权人：光洋应用材料科技股份有限公司
申请日： 2011-10-09 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明关于一种氧化铟锡膜及其制法。该氧化铟锡膜包括：氧化铟锡主体层；以及设置于主体层上的氧化铟锡覆盖层；其覆盖层中O/(In+Sn)的原子比值小于主体层中O/(In+Sn)的原子比值，且覆盖层的厚度介于50至200埃之间。本发明还提供了一种氧化铟锡膜的制作方法，包括下列步骤：(A)、在氧气与氩气环境下沉积一氧化铟锡主体层；以及，(B)、在氩气与氢气环境下，于所述氧化铟锡主体层上沉积一氧化铟锡覆盖层，以制得上述氧化铟锡膜。本发明提供的氧化铟锡膜中的覆盖层可提供电性稳定作用，避免退火工艺对薄膜电性的影响，以形成具备绝佳透光率及导电性的氧化铟锡膜。
氧化铟锡膜及其制作方法

[实用新型]一种同轴电缆-CN201621262249.0有效
发明人：董新蕾;金山;郑朝辉;李海乐 -专利权人：摩比天线技术（深圳）有限公司;摩比通讯技术（吉安）有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01P3/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种同轴电缆，包括由内向外依次设置的内导体、绝缘层和护套层，其特征在于还包括设于所述绝缘层与所述护套层之间的复合外导体层，所述复合外导体层包括编织层及浸锡层，所述编织层靠近所述绝缘层设置，所述编织层与浸锡层的层间为无间隙接触式设置。本实用新型的同轴电缆，较之非锡金属，由于采用了锡层，使得本实用新型同轴电缆通过锡丝焊接的时候，更易于在电子元器件上焊接，提高了工作效率。使用少量的锡丝就可以完成焊接，降低焊接成本。由于复合外导体层采用编织后再将编织层整体浸锡形成，浸锡层全部包覆编织层，即可以将内导体全部封闭，实现了外导体整体全封闭式屏蔽，获得高屏蔽性能，减小传输损耗及抗干扰性能。
一种同轴电缆

[发明专利]固定晶圆的表面粘贴方法、SMT印刷钢网及晶圆固定装置-CN201710681380.3在审
发明人：林永强;艾米塔;陈勃宏;甘景文;麦子永;陈钦生;王鹏;罗尔·A·罗夫莱斯;郑瑞育;吴进瑜;商峰旗 -专利权人：乐依文半导体（东莞）有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种固定晶圆的表面粘贴方法，用于将晶圆固定粘贴于基板上，包括以下步骤在所述基板上的一次锡膏印刷区印刷锡膏以形成一次锡膏层；加热并冷却所述基板以使所述一次锡膏层中的助焊剂挥发；在冷却后的所述一次锡膏层上的二次锡膏印刷区印刷锡膏以形成二次锡膏层，所述二次锡膏层的面积小于所述一次锡膏层；将晶圆通过二次锡膏层粘贴在所述基板上，对粘贴有晶圆的基板进行回流焊接以将所述晶圆固定粘贴于所述基板上。与现有技术相比，本发明将一部分锡膏在未粘贴时加热使其助焊剂挥发，有效减少了粘贴后加热产生气泡大小数量，使得本发明可用于薄晶圆的固定粘贴。本发明还公开了一种SMT印刷钢网和SMT晶圆固定装置。
固定表面粘贴方法 smt 印刷装置

[发明专利]一种修饰氧化铟锡阳极-CN201610095917.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：陈居
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种修饰氧化铟锡阳极，包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In‑F形式存在的含氟偶极层，所述含氟偶极层的氟元素的质量百分含量为11～20％，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.004～0.017。含氟偶极层的存在使阳极表面功函得到了提高。
一种修饰氧化阳极

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