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[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202310384155.9有效
发明人： 韩瑞津;陈忠奎;曾辉 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括步骤：提供一衬底；在衬底正面及背面形成不同深度的正面沟槽和背面沟槽，所述背面沟槽的位置和延伸方向与所述正面沟槽的位置和延伸方向对应；于所述衬底正面、正面沟槽的顶部、侧壁和底部，所述衬底背面、背面沟槽的顶部、侧壁和底部同时形成氧化硅薄膜。本发明通过背面沟槽侧壁氧化硅薄膜压应力抵消正面沟槽侧壁氧化硅薄膜压应力，使晶圆变得平坦，从而解决晶圆马鞍型翘曲问题。
半导体器件制备方法

[发明专利]晶圆热应力仿真模型的建模方法-CN202310384151.0有效
发明人： 韩瑞津;陈忠奎;曾辉 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆热应力仿真模型的建模方法，建模方法包括：建立几何模型，模型包括衬底以及设置于衬底正面的多个沟槽，于衬底正面、沟槽的顶部、侧壁和底部以及衬底背面设置氧化硅薄膜，几何模型中的衬底正面、沟槽的顶部、侧壁和底部以及衬底背面的氧化硅薄膜厚度依据在预设生长条件中的氧化硅薄膜的实际生长规律设置；对几何模型进行网格剖分，以形成多个模型单元；对模型单元分三个阶段进行参数设置，计算各模型单元在特定沟槽参数下的形变曲率，并整合得出在所述特定沟槽参数下所述几何模型的热应力模型。本发明可有效模拟晶圆的马鞍形翘曲并获得造成马鞍形翘曲的主要因素，为在实际生产中解决晶圆马鞍形翘曲提供准确的指导。
晶圆热应力仿真模型建模方法

[发明专利]一种半导体器件制造工艺的优化方法-CN202310028127.3有效
发明人： 韩瑞津;曾辉 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件制造工艺的优化方法，该方法将半导体器件等效为复合膜层结构，并提供第一模型与第二模型，分别基于第一模型与第二模型计算中间层的热应变，通过比较第一结果与第二结果确定工艺步骤顺序，降低或避免退火步骤对中间层的不良影响。当退火的作用包括使指定元素依次穿过上层及中间层，并往下扩散至半导体器件的预设深度时，还可以基于第一模型与第二模型使用扩散数学模型计算在预设退火温度下指定元素扩散至半导体器件的预设深度并达到预设浓度所需的扩散时间以确定退火时间下限。本发明通过建模仿真以及理论推导的方式，找到可以验证并优化半导体器件制造工艺参数条件的方法，从而可以针对不同情况找到相应的最优解决方案。
一种半导体器件制造工艺优化方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202211058266.2在审
发明人： 韩瑞津;曾辉 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，将氢钝化工艺调整到在顶层金属互联层上形成第一钝化层之后，在进行氢钝化工艺时，顶层金属互联层被第一钝化层覆盖，第一钝化层可以在氢钝化工艺的升降温过程中充分抑制顶层金属互联层因热膨胀系数差导致应力失配进而引起的热应变，防止顶层金属互联层产生丘形缺陷，避免顶层金属互联层与封装引线的电连接不牢固，防止因丘形缺陷导致膜内空洞，避免顶层金属互联层与下方的导电过孔之间拉应力，最大限度地保证了互联结构的电阻完整性，提高了器件的成品率及可靠性。
半导体器件制备方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202010802312.X有效
发明人： 韩瑞津;曾辉 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，将氢钝化工艺调整到第一钝化层上形成第二钝化层之后，图案化所述第二钝化层及所述第一钝化层之前，在进行氢钝化工艺时，顶层金属互联层被第一钝化层及第二钝化层覆盖，第一钝化层及第二钝化层可以在氢钝化工艺的升降温过程中充分抑制顶层金属互联层因热膨胀系数差导致应力失配进而引起的热应变，防止顶层金属互联层产生丘形缺陷，避免顶层金属互联层与封装引线的电连接不牢固，防止因丘形缺陷导致膜内空洞，避免顶层金属互联层与下方的导电过孔之间拉应力，最大限度地保证了互联结构的电阻完整性，提高了器件的成品率及可靠性。
半导体器件制备方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202010752868.2有效
发明人： 韩瑞津;曾辉 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，将氢钝化工艺的反应温度及反应时间分别限定在第一设定范围及第二设定范围，并且，所述氢钝化工艺的反应温度及反应时间负相关，也就是说，在第一设定范围及第二设定范围内，提高反应温度就需减少反应时间，降低反应温度就需增加反应时间，可提高器件的界面态缺陷的修复效果，进而提高器件的性能。
半导体器件制备方法

[发明专利]晶圆清洗方法及半导体器件的制造方法-CN202111066032.8有效
发明人： 韩瑞津;曾辉 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆清洗方法及半导体器件的制造方法，所述晶圆清洗方法包括：采用质子化处理器对清洗液进行质子化处理；采用质子化处理的清洗液清洗晶圆表面，以使得清洗后的所述晶圆表面所带的负电荷的量少于采用未经质子化处理的清洗液清洗后的所述晶圆表面所带的负电荷的量，清洗后的所述晶圆表面覆盖有所述清洗液的液膜；采用干燥气体吹扫所述晶圆表面，以从所述晶圆表面的中心至边缘去除所述液膜。本发明的技术方案能够很好地抑制晶圆表面的静电，有效减少静电引发的器件失效，进而提高了集成电路加工的整体良率。
清洗方法半导体器件制造

[发明专利]气体传送管路以及半导体设备-CN201911398519.9有效
发明人： 韩瑞津;曾辉 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供的一种气体传送管路以及半导体设备，气体传送管路用于向一半导体设备的反应腔室输送气体，气体传送管路包括至少两个支管路以及至少一个135°弯头，相邻的两个支管路通过至少一个135°弯头连通，气体在气体传送管路中的雷诺数小于1000。本发明中的弯头为平滑弧状135°弯头，可以降低混合气体在气体传送管路中经过弯头时靠内侧壁压力骤降(压力系数为负)，同时，通过控制反应气体在气体传送管路中的雷诺数小于1000，进一步降低弯管处因压力降低引起的局部温度降低，可以最大程度降低混合气体在气体传送管路中冷凝形成液珠的现象发生，进而消除因液珠造成在晶圆片表面形成缺陷，提高产品良率，降低生产成本。
气体传送管路以及半导体设备

[发明专利]晶圆清洗方法及半导体器件的制造方法-CN202111066014.X有效
发明人： 韩瑞津;曾辉 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆清洗方法及半导体器件的制造方法，所述晶圆清洗方法包括：采用清洗液清洗晶圆表面，清洗后的所述晶圆表面覆盖有所述清洗液的液膜，且清洗后的所述晶圆表面带负电荷；以及，采用干燥气体吹扫所述晶圆表面，以从所述晶圆表面的中心至边缘去除所述液膜，所述干燥气体中包含有正离子和负离子，以中和所述晶圆表面的负电荷。本发明的技术方案能够很好地抑制晶圆表面的静电，有效减少静电引发的器件失效，进而提高了集成电路加工的整体良率。
清洗方法半导体器件制造

[发明专利]湿法刻蚀工艺建模方法及半导体器件的制造方法-CN202110402308.9有效
发明人： 韩瑞津;曾辉 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种湿法刻蚀工艺建模方法及半导体器件的制造方法，所述湿法刻蚀工艺建模方法包括：建立混酸溶液湿法刻蚀晶圆表面的化学反应中的反应扩散系统的偏微分方程；将布鲁塞尔模型应用到偏微分方程中的化学反应函数中，获得化学反应函数的公式；对化学反应函数的公式进行线性化展开，以确定化学反应出现化学振荡的条件，并计算出化学反应函数的公式中的仿真参数；确定出现凹型球状面微结构时空间扩散项中的扩散系数，以获得湿法刻蚀晶圆表面的化学反应中的反应扩散系统的数学模型。本发明的技术方案能够快速准确地获得混酸溶液的最优配比，使得刻蚀之后的晶圆表面形成形貌最优的凹型球状面微结构，进而使得半导体器件的性能得到提高。
湿法刻蚀工艺建模方法半导体器件制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911403450.4有效
发明人： 韩瑞津;陈忠奎 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一衬底；对所述衬底的背面进行织构化处理，以在所述衬底的背面形成多个有序排列的凹槽；以及，形成金属层于所述衬底的背面上，且所述金属层覆盖所有的所述凹槽的表面以及所述凹槽周围的衬底表面，以增强所述衬底的背面与所述金属层之间的结合力。本发明的技术方案使得在增强所述衬底的背面与所述金属层之间的结合力的同时，还能避免导致半导体器件的失效。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202010802342.0在审
发明人： 韩瑞津;曾辉 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，将氢钝化工艺调整到在顶层金属互联层上形成第一钝化层之后，在进行氢钝化工艺时，顶层金属互联层被第一钝化层覆盖，第一钝化层可以在氢钝化工艺的升降温过程中充分抑制顶层金属互联层因热膨胀系数差导致应力失配进而引起的热应变，防止顶层金属互联层产生丘形缺陷，避免顶层金属互联层与封装引线的电连接不牢固，防止因丘形缺陷导致膜内空洞，避免顶层金属互联层与下方的导电过孔之间拉应力，最大限度地保证了互联结构的电阻完整性，提高了器件的成品率及可靠性。
半导体器件制备方法

[发明专利]多晶硅栅表面的清洗方法-CN200810035118.2有效
发明人：孙震海;韩瑞津;汤志伟;郭国超 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2008-03-25 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅栅表面的清洗方法，其应用于在多晶硅栅表面沉积硅化钨层之前。现有的清洗方法不能去掉多晶硅栅表面的偏磷酸晶体，影响器件的良率。本发明的清洗方法：采用氟化氢清洗多晶硅栅表面；采用硫酸与双氧水的混合物清洗多晶硅栅表面。采用本发明提供的清洗方法可以有效清除形成于多晶硅栅表面上的自然氧化层和偏磷酸晶体，有效提高了多晶硅栅与硅化钨的粘附性能，减少两者界面上的缺陷，提高产品的良率。
多晶表面清洗方法

[发明专利]喷射清洗方法以及装置-CN200710170752.2有效
发明人：孙震海;韩瑞津 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种喷射清洗方法以及装置，其采用雾化液体喷射的方法去除半导体硅片上的颗粒玷污，同时还包括一即时干燥步骤，所述即时干燥步骤与液体喷射步骤交替进行。本发明的喷射清洗方法以及装置利用干燥气体即时地吹干已清洗的硅片表面区域，间隔喷射的液体在每个开启周期之初总能喷射在干燥的硅片表面，从而有效地提高了清洗的效率。
喷射清洗方法以及装置

[发明专利]一种定点沉积介质颗粒的方法-CN200710048118.1有效
发明人：孙震海;韩瑞津;郭国超 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2007-11-13 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种定点沉积介质颗粒的方法，半导体器件包括基板和介质层，其中，介质颗粒与介质层的电势相反，但与光阻的电势相同；该方法包括如下步骤：a.在半导体器件的介质层上涂布一层光阻；b.通过显影制程，去除一部分光阻以露出介质层；c.散布介质颗粒，由于电势的吸引作用，介质颗粒沉积到介质层的表面；d.通过光阻清洗液去除光阻，则在半导体器件的指定区域沉积了介质颗粒。与现有技术相比，本发明可以将介质颗粒沉积在半导体器件的指定区域，在实验观察中很容易定位，而且在指定区域沉积，更有利于在清洗过程中观察颗粒在半导体器件表面不同区域的运动轨迹，节约了实验成本，提高了实验观察的效率。
一种定点沉积介质颗粒方法

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