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[发明专利]一种基于超导体完全抗磁性的超导平动磁悬浮系统-CN202010505273.7有效
发明人：杨文将;赵鹏;刘朝鑫;冀宇 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H02N15/00 文献下载
摘要：具体分为超导平面铺层、永磁浮台、冷却剂容器、小球、圆弧导轨、图像采集设备、支架。利用超导体零场冷下的完全抗磁性，消除了磁通钉扎，使永磁浮台平动不受阻碍；超导平面铺层采用叠层超导带和拼接超导体结合的两层结构，在保证悬浮力的同时降低了超导体拼接缝隙对平动阻尼的影响，结构简单且可行性高；永磁浮台尺寸远小于超导平面尺寸，降低了超导体的边缘效应，保证悬浮力稳定。
一种基于超导体完全抗磁性超导平动磁悬浮系统

[发明专利]一种隧道磁电阻及其制造方法-CN202011596972.3在审
发明人：王连伟;何路光;涂恩平;韩荷福 -专利权人：蚌埠希磁科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种隧道磁电阻及其制备方法，隧道磁电阻包括：第一钉扎层；与所述第一钉扎层相对设置的自由层：位于所述第一钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层；位于所述第一钉扎层和所述隧穿势垒层之间的被钉扎层；位于所述自由层背向所述隧穿势垒层一侧的第二钉扎层；所述第一钉扎层与所述被钉扎层形成第一钉扎场，所述第二钉扎层与所述自由层形成第二钉扎场，第一钉扎场和第二钉扎场的方向均平行于所述第一钉扎层与所述第二钉扎层相对的表面，第一钉扎场的方向和第二钉扎场的方向之间的夹角为
一种隧道磁电及其制造方法

[实用新型]一种隧道磁电阻-CN202023276127.6有效
发明人：王连伟;何路光;涂恩平;韩荷福 -专利权人：蚌埠希磁科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种隧道磁电阻，包括：第一钉扎层；与所述第一钉扎层相对设置的自由层：位于所述第一钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层；位于所述第一钉扎层和所述隧穿势垒层之间的被钉扎层；位于所述自由层背向所述隧穿势垒层一侧的第二钉扎层；所述第一钉扎层与所述被钉扎层形成第一钉扎场，所述第二钉扎层与所述自由层形成第二钉扎场，第一钉扎场和第二钉扎场的方向均平行于所述第一钉扎层与所述第二钉扎层相对的表面，第一钉扎场的方向和第二钉扎场的方向之间的夹角为
一种隧道磁电

[实用新型]一种磁浮车自导向转向架-CN201520759446.2有效
发明人：邓自刚;张卫华;王伯铭;郑欣欣;郑珺 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： B60L13/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁浮车自导向转向架，安装在磁浮车车架下与永磁轨道电磁作用形成磁浮支承，主要由枕梁、对称置于枕梁上的两套杜瓦机构、脚轮和传感装置构成，其特征在于，枕梁(2)通过其上设置的心盘(200)及位于心盘两侧的两个旁承(202和204)共同支撑车辆；心盘(200)具有一联接在枕梁上的止推轴承座圈(201)，所述止推轴承座圈(201)与连接在磁浮车车架下部的止推轴承轴圈(301)构成的心轴(300采用本实用新型构造，枕梁可绕车架中部的心轴旋转，当车架进入弯道尤其是小曲率弯道时，一旦杜瓦发生小距离横向偏移，超导块材内部磁通钉扎作用使杜瓦沿心轴产生跟随轨道的旋转，能够顺利通过小曲率的急弯，有利于高温超导磁悬浮车的推广和实际应用
一种磁浮车导向转向架

[发明专利]一种磁传感器及其制备方法和电子设备-CN202210657387.2在审
发明人：刘明;胡忠强;关蒙萌;马孝瑜;陈小凯 -专利权人：珠海多创科技有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：一种磁传感器及其制备方法和电子设备，磁传感器包括磁性隧道结，磁性隧道结包括底钉扎层、被钉扎层、势垒层、自由层、顶钉扎层及复合稳定层；复合稳定层包括至少两个稳定铁磁层及设置于相邻稳定铁磁层之间的非磁隔离层；底钉扎层与被钉扎层之间形成平行于底钉扎层的第一钉扎场，复合稳定层与顶钉扎层之间形成平行于底钉扎层的第二钉扎场，第一钉扎场和第二钉扎场的方向相交。本发明磁传感器通过在磁性隧道结中设置复合稳定层，使复合稳定层与顶钉扎层之间形成复合钉扎场，进而提升顶钉扎层的稳定性，从而可以在保证线性范围可调控的情况下，获得高的热稳定性。
一种传感器及其制备方法电子设备

[发明专利]一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件-CN202111206784.X在审
发明人：毕冲;娄凯华;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件，钉扎铁磁层结构包括基片、待钉扎铁磁层、环绕包裹在待钉扎铁磁层周围的反铁磁层，且反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行。通过在待钉扎铁磁层的侧面形成反铁磁层，且还使反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行，以实现对待钉扎铁磁层的钉扎。由于反铁磁层位于待钉扎铁磁层的侧面，在待钉扎铁磁层的上方和下方都无需再设置反铁磁层，从而既能够在待钉扎铁磁层的上方又能够在待钉扎铁磁层的下方设置诸如缓冲层等的其他附加层，而不受反铁磁层的影响，防止出现由于晶格失配和界面处材料混合而削弱反铁磁层的钉扎效果，进而提高钉扎效果。
一种钉扎铁磁层结构及其制造方法电磁器件

[发明专利]包含具有强垂直磁各向异性的顶部磁性钉扎层的MTJ堆叠-CN202180013166.5在审
发明人：禹成勋;M·G·哥特瓦尔德 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：提供一种包含磁性钉扎分层结构的顶部钉扎磁性隧道结(MTJ)堆叠，该磁性钉扎分层结构包括具有强垂直磁各向异性(PMA)的第二磁性钉扎层。磁性钉扎分层结构包括位于具有体心立方(BCC)纹理的第一磁性钉扎层与第二磁性钉扎层之间的晶粒生长控制层。晶粒生长控制层的存在有利于具有面心立方(FCC)纹理或六方密堆积(HCP)纹理的第二磁性钉扎层的形成，进而促进针对磁性钉扎分层结构中的第二磁性钉扎层的强PMA。
包含具有垂直各向异性顶部磁性钉扎层 mtj 堆叠

[发明专利]磁装置-CN201980001174.0有效
发明人：林相镐;金时年 -专利权人：高丽大学校产学协力团
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明提供一种磁装置，包含：钉扎层，具有平面内磁化方向；自由层，具有平面内磁化方向，与钉扎层竖直间隔开以与钉扎层对准；导电间隔物层，安置在钉扎层与自由层之间；反铁磁层，安置以固定钉扎层的磁化方向且与钉扎层竖直间隔开以与钉扎层对准；以及贵金属间隔物层，安置在钉扎层与反铁磁层之间。
装置

[发明专利]磁性存储装置及其形成方法-CN201410291400.2有效
发明人：李俊明;李仑宰;金佑填 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：该磁性存储装置可以包括自由磁性结构，隧道势垒层和钉扎磁性结构，其中，隧道势垒层位于自由磁性结构和钉扎磁性结构之间。钉扎磁性结构可以包括第一钉扎层和第二钉扎层以及位于第一钉扎层和第二钉扎层之间的交换耦合层。第二钉扎层可以位于第一钉扎层和隧道势垒层之间，第二钉扎层可以包括结磁性层以及位于结磁性层和交换耦合层之间的缓冲层。缓冲层可以包括包含非磁性金属元素的材料的层。
磁性存储装置及其形成方法

[实用新型]一种手持式扎带卡钉枪-CN202320468118.1有效
发明人：马东 -专利权人：安波福电气系统有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B65B13/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种手持式扎带卡钉枪，采用扎带卡钉扎紧线束，扎带卡钉包括依次连接的扎带头部、扎带部、卡钉部和穿带孔，其特征在于，所述扎带卡钉枪还包括：推料机构，用于将扎带卡钉向前推送到位；卡钉导向机构，用于对扎带卡钉的前推过程进行导向；穿带机构，用于推动扎带头部从穿带孔内穿过；抽拉切断机构，用于拉紧扎带以及切断扎带尾端；辅助机构，包括壳体。
一种手持式扎带卡钉枪

[发明专利]MTJ以及存储器件-CN202111511065.9在审
发明人：宫俊录;孙一慧;高扬 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种MTJ以及存储器件，该MTJ包括自由层、势垒层、固定层以及复合钉扎层，势垒层位于自由层的表面上；固定层位于势垒层的远离自由层的表面上；复合钉扎层位于固定层的远离势垒层的表面上，复合钉扎层包括在固定层的远离势垒层的表面上依次层叠的第一钉扎层、第一耦合层、第二钉扎层、第二耦合层以及第三钉扎层。本申请在各钉扎层之间设置耦合层，耦合层与钉扎层之间的界面耦合保证了复合钉扎层的垂直磁各向异性较强，近邻的钉扎层通过中间耦合层发生层间反铁磁耦合而相互固定，这保证了复合钉扎层磁矩在外磁场中具有较强的稳定性，解决了现有的MTJ刻蚀后顶部钉扎层垂直磁各向异性较弱，造成磁化翻转特性异常的问题。
mtj 以及存储器件

[发明专利]具有Ru合金反平行间隔层的薄膜介质和磁致电阻传感器-CN200610003604.7无效
发明人：李文扬;李晋山;玛丽·F·多尔纳;布赖恩·R·约克;埃里克·E·富勒顿 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-01-04 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： G11B5/62 文献下载
摘要：本发明提供一种具有自由层和与所述自由层间隔开的反平行(AP)被钉扎层结构的磁头。所述AP被钉扎层结构包括至少两个被钉扎层，其具有彼此反平行的自钉扎的磁矩，所述被钉扎层通过AP耦合层分隔开，所述AP耦合层由Ru合金构成。Ru合金耦合层的使用比纯Ru间隔层显著增加了AP被钉扎层结构的钉扎场。
具有 ru 合金平行间隔薄膜介质致电传感器

[发明专利]包括位于钉扎层中的功能层的磁性存储元件及其制造方法-CN201180034159.X在审
发明人：陈维川;升·H·康;朱晓春;李霞 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁性隧道结MTJ存储元件包括钉扎层堆叠(520)和功能层。所述钉扎层堆叠由多个层形成，其中至少一个层包括底部钉扎层(206a、206b)、耦合层(208)和顶部钉扎层(210a、210b)。所述功能层(540、560)安置于所述底部钉扎层和/或所述顶部钉扎层中。
包括位于钉扎层中的功能磁性存储元件及其制造方法

[发明专利]具有形成于端部区域的反铁磁钉扎层结构的自旋阀传感器-CN200510066732.1无效
发明人：戴维·E·海姆 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-04-30 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明一示例性实施例中，自旋阀传感器包括：自由层结构；包括至少第一反平行(AP)被钉扎层的AP被钉扎层结构；及形成在自由层结构和AP被钉扎层结构之间的非磁的导电间隔层。用于磁性钉扎第一AP被钉扎层的第一和第二反铁磁(AFM)钉扎层结构形成在端部区域中，但不在其中央区域。每个AFM钉扎层结构的边缘和传感器边缘分开距离DA。第一AP被钉扎层形成在中央区域和端部区域中，从而与第一和第二AFM钉扎层结构相接触。有利地，在提供了自钉扎传感器的优点(即中央区域中的传感器剖面很薄)的传感器中表现出足够的钉扎特性。
具有形成区域反铁磁钉扎层结构自旋传感器

[发明专利]磁存储器件-CN202010320589.9在审
发明人：朴相奂;金哉勋;金英铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：参考磁性结构包括第一被钉扎图案、在第一被钉扎图案和隧道势垒图案之间的第二被钉扎图案、以及在第一被钉扎图案和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案。第二被钉扎图案包括交替堆叠的磁性图案和非磁性图案。第一被钉扎图案是由铁磁元素组成的铁磁图案。
磁存储器

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