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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]金属内连线制程及清除金属硅化物层的方法-CN03156209.4有效
发明人：陈天送;陈逸男;黄志涛 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2003-09-04 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明是关于一种金属内连线制程及清除金属硅化物层的方法，该金属内连线制程，是首先提供已形成有介电层的基底，且介电层上已形成有含硅罩幕层。接着图案化介电层以形成开口。之后在含硅罩幕层的表面以及开口内形成金属黏着层，然后在开口内填入金属层。随后进行热制程，以使金属黏着层与含硅罩幕层反应，而形成金属硅化物层。之后，移除部分金属层，直到金属硅化物层暴露出来。接着，利用过氧化氢、硫酸、水以及氢氟酸的混合液移除金属硅化物层之后，再移除含硅罩幕层，直到介电层暴露出来。其利用过氧化氢、硫酸、水以及氢氟酸的混合液可以有效移除金属硅化物层，且不会对金属层造成伤害。
金属连线清除金属硅化物层方法

[发明专利]电子可编程熔丝空置有源区添加方法以及电子可编程熔丝-CN201210264372.6有效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：电子可编程熔丝包括：第一电极、第二电极以及多晶硅熔丝；其中，所述多晶硅熔丝布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且，所述多晶硅熔丝与所述第一电极以及所述第二电极连接；并且根据本发明的电子可编程熔丝空置有源区添加方法包括所述多晶硅熔丝包括第一金属硅化物部分和第二金属硅化物部分；所述第一金属硅化物部分为附加空置有源区上方的金属硅化物，所述第二金属硅化物部分为所述浅沟槽上方的金属硅化物。
电子可编程空置有源添加方法以及

[发明专利]镍金属硅化物的制备方法-CN201610107726.4在审
发明人：肖天金;邱裕明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供了一种镍金属硅化物的制备方法，包括：对暴露的硅衬底表面进行预清洗，除去自然氧化物，在其上沉积镍或镍合金；通入含有氢气的气体进行第一次退火，使镍或镍合金的至少一部分与硅反应；移除未反应的镍或镍合金；进行第二次退火，形成镍金属硅化物；通过在第一次退火中通入含有氢气的气体，能消除反应氛围中微量的氧气，防止镍或镍合金以及镍金属硅化物被氧化，可以降低镍金属硅化物的缺陷，形成形貌和均匀性良好的镍金属硅化物；并且氢气能够修复和减少镍金属硅化物和硅衬底界面处的缺陷，从而改善界面态，提高镍金属硅化物的品质，降低了源极/漏极区及栅极区的接触电阻和串联电阻，提高了器件的可靠性。
金属硅制备方法

[发明专利]一种在绝缘衬底上制作硅化物纳米结构的方法-CN200810057334.7无效
发明人：罗强;顾长志;李云龙;李俊杰;杨海方;金爱子 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-01-31 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在绝缘衬底上制作金属硅化物纳米结构的方法，包括以下步骤：SOI衬底经过超声清洗，涂敷光刻胶，在光刻胶层上曝光所设计的纳米结构图案，经过显影和定影后获得相应的光刻胶图形；在具有光刻胶图形的样品上沉积一层能形成金属硅化物的金属薄膜；将样品浸入去胶溶液中进行剥离，使金属纳米结构留在SOI衬底的顶层硅薄膜上；再放入反应离子刻蚀系统中进行刻蚀，将金属纳米结构图形转移到顶层硅上，形成金属/硅双层结构；进行高温退火使金属与硅发生固相反应，形成金属硅化物，根据金属硅化物种类，选择相应的腐蚀剂，将未反应的金属去除，留下金属硅化物纳米结构。
一种绝缘衬底制作硅化物纳米结构方法

[发明专利]金属硅的凝固提纯方法及装置-CN201180055381.8有效
发明人：田中正博;岸田丰 -专利权人：新日铁住金高新材料株式会社
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供一种金属硅的凝固提纯方法及其装置，在将晶体的生产率维持在高的状态的同时，与以往相比能够更有效率且可靠地进行杂质元素的去除。一种金属硅的凝固提纯法，使处于凝固提纯装置的铸模内的金属硅的熔融液体进行一个方向凝固并去除金属硅中的杂质元素，其中，使用凝固界面中的熔融液体侧温度梯度（G）、凝固中途的熔融液体中杂质元素浓度（Cm）、凝固速度（V）表示的组份的过冷却指数｛VOGC=（V/G）×Cm｝相对于使用从金属硅中的硅-杂质元素的状态图读取的液相线的梯度（m）和杂质元素的扩散系数（D）表示的组份的过冷却的临界值｛0.59（D/m）｝，以维持
金属硅凝固提纯方法装置

[实用新型]一种金属硅专用磨使用的衬圈-CN201220221541.3有效
发明人：刘金生 -专利权人：辉县市新科机械设备有限公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： B02C13/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属硅专用磨使用的衬圈，本实用新型的目的是设计一种使用效果好，粉碎效率高的金属硅专用磨使用的衬圈。本实用新型的技术方案是，一种金属硅专用磨使用的衬圈，它包括衬圈体，衬圈体上开有凹槽，凹槽内装配有刀头。所述凹槽为燕尾槽。所述刀头为“十”字形刀头。所述刀头为硬质合金制成。本实用新型结构合理，对金属硅的加工更为高效，使用效果较高，同时刀头的更换更为方便，提高了设备的养护效率。
一种金属硅专用使用

[发明专利]形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法-CN200510000042.6有效
发明人：吴启明;林正堂;王美匀;张志维;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-01-05 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法，具体为一种在具有主动区域的基底上形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法。该方法首先至少在栅极的第一部分上形成金属硅化物。并于该主动区域及该栅极上沉积金属。执行退火程序，使得该金属反应而在该主动区域上形成金属硅化物。本发明所述方法提供金属硅化过程中，对于栅极电极高度可更佳的控制，且可较低的栅极电极电阻、提高元件速度、降低或防止栅极电极的渗硼、及降低或消除耗尽效应，且避免了高阶面漏电流或尖突。
形成场效应晶体管金属硅栅极方法

[实用新型]一种金属硅还原炉用尾气硅渣过滤装置-CN202220301691.9有效
发明人：陈忠焰;王晓明;段会喜;胡晶;姚登华;李汝利 -专利权人：新疆中硅科技有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： B01D46/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种金属硅还原炉用尾气硅渣过滤装置。所述金属硅还原炉用尾气硅渣过滤装置包括：工作台，所述工作台上设置有过滤机构和两个更换机构；所述过滤机构包括有底盘、还原炉、两个电极、硅芯、原料加入管、过滤箱、电加热板、两个网状合金板、尾气管和电磁阀一，所述底盘固定安装在工作台的顶部，所述还原炉固定安装在底盘的顶部，本实用新型解决的技术问题是提供一种能够通过将金属硅还原炉中的尾气通入过滤箱中通过其内部的网状合金板对尾气中含有的硅粉进行过滤，同时能够在网状合金板长期使用后对其进行快速更换的金属硅还原炉用尾气硅渣过滤装置
一种金属硅还原尾气过滤装置

[发明专利]含重金属硅铝基废渣的处理方法和无定型硅铝粉及其用途-CN202011515139.1在审
发明人：叶阑珊;吕灵灵;王沿森;于维钊;张新功 -专利权人：青岛惠城环保科技股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种含重金属硅铝基废渣的处理方法和无定型硅铝粉及其用途，涉及工业固废处理技术领域。该方法包括将含重金属硅铝基废渣破碎后进行碱溶处理。本申请解决了现有方法无法实现对含重金属硅铝基废渣中的资源有效回收和固废二次利用的问题，降低了处理成本，实现了资源循环化利用。
金属硅废渣处理方法定型硅铝粉及其用途

[发明专利]从金属硅中除去硼的方法和装置-CN98105942.2无效
发明人：中村尚道;马场裕幸;阿部正道;汤下宪吉;花泽和浩;阪口泰彦;加藤嘉英;荒谷复夫;斋藤健志 -专利权人：川崎制铁株式会社
申请日： 1998-01-22 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供了在制造太阳能电池用的硅时、可以比以往更迅速地除去硼的金属硅精炼方法。即，向熔融状态的金属硅液面上喷吹由添加了水蒸气的氩气构成的等离子流，除去该金属硅中含有的硼，此时在上述等离子流中进一步添加还原气体。
金属硅除去方法装置

[发明专利]一种金属硅材料的制备方法-CN200710196563.2无效
发明人：罗应明 -专利权人：晶湛（南昌）科技有限公司
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C01B33/023 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属硅原料的制备方法，以及该制备方法所用的设备。本发明采用先纯化石英矿砂二氧化硅，然后再还原成金属硅在不需避氧反而注氧的方法以及改造传统熔炼炉工艺设备如电弧炉、氩弧炉，能达到在大规模量产同时大幅度提高金属硅纯度；其工艺步骤少，操作简单，为太阳能多晶硅/单晶硅提供高产能，低能耗的原料。
一种金属硅材料制备方法

[发明专利]监控金属硅化物形成质量的结构-CN200910044890.5无效
发明人：胡剑 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-01-05 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提出一种监控金属硅化物形成质量的结构，包括第一类型半导体衬底，该衬底表面具有第二类型半导体注入区，该结构还包括位于第二类型半导体注入区上的多晶硅线和金属硅化物有源区，其中所述的金属硅化物有源区设置于相邻的两根多晶硅线之间，该金属硅化物有源区中设置有连通引出结构。本发明提出的监控金属硅化物形成质量的结构，其结构简单、监控方便有效、稳定可靠、通用性较强、使用范围较为广泛，能够有效监控金属硅化物形成质量。
监控金属硅形成质量结构

[发明专利]一种硅铁球及其制备工艺和检测方法-CN202111385977.6在审
发明人：张艺馨;张开明 -专利权人：安阳市荣泰合金有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C22B1/242 文献下载
摘要：本发明提出了一种硅铁球及其制备工艺和检测方法，涉及硅铁球技术领域。一种硅铁球，包括：硅铁粉50～60％、硅铁渣10～20％、金属硅粉10～25％、金属硅渣5～10％和粘结剂2～8％。工艺为：先将硅铁渣和金属硅渣进行混合，然后加入硅铁粉和金属硅粉，最后加入粘结剂，混合搅拌，得混合物；将混合物添加至高强力压制机进行压制成型，得到硅铁球。本发明制备得到的硅铁球具有较好的强度，满足工艺的要求，在不锈钢冶炼过程中不仅可以作为发热剂，还可以还原冶炼中流失的铁、铬和锰的氧化物，提升渣液流动性，减少扒渣渣液带走的钢铢，从而提升冶炼钢水回收率，增加冶炼冷钢的效率
一种铁球及其制备工艺检测方法

[发明专利]可编程的多晶硅二极管熔丝器件结构及制造方法-CN201210513279.4无效
发明人：仲志华;俞峥 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种可编程的多晶硅二极管熔丝器件的结构，包括P型掺杂的多晶硅阳极、N型掺杂的多晶硅阴极和金属硅化物；所述金属硅化物覆盖在多晶硅阳极和多晶硅阴极上。本发明通过在多晶硅熔丝器件的结构中引入NP二极管与表层金属硅化物，利用NP二级管正向导通时电压低，反向截止时阻抗大的特点，使编程时电流只从表面的金属硅化物流过，从而显著降低了熔丝器件的编程电压，并使器件的集成度得到提高
可编程多晶二极管器件结构制造方法

[实用新型]一种用于金属硅生产的新型除尘装置-CN202220344878.7有效
发明人：陈忠焰;胡晶;姚登华;李汝利;王晓明;段会喜 -专利权人：新疆中硅科技有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B01D29/11 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于金属硅生产的新型除尘装置。所述用于金属硅生产的新型除尘装置包括：硅粉除尘设备本体，所述硅粉除尘设备本体包括基座、熔炼炉和反应池，所述反应池的两侧均固定安装有支撑台，所述支撑台的顶部固定安装有液压缸，两个液压缸的输出轴上固定安装有同一个方形顶板本实用新型提供的用于金属硅生产的新型除尘装置具有使用方便，能够简单有效的在金属硅粉过滤期间，有效的进行过滤，避免出现堵塞的情况的优点。
一种用于金属硅生产新型除尘装置

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