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[发明专利]一种有源层结构、制造方法以及半导体器件-CN202310492020.4在审
发明人：陆磊;李潇;张盛东;王新炜 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种有源层结构、制造方法以及半导体器件，有源层结构包括：至少一层非晶金属氧化物半导体层以及至少一层多晶金属氧化物半导体层；非晶金属氧化物半导体层与多晶金属氧化物半导体层交替堆叠设置；其中，多晶金属氧化物半导体层的层数大于或等于非晶金属氧化物半导体层的层数本申请可以提高有源层的迁移率，有源层结构解决了非晶金属氧化物半导体材料迁移率不够高的问题，提升了非晶金属氧化物半导体材料迁移率的极限，提高非晶金属氧化物半导体器件的载流子迁移率。
一种有源结构制造方法以及半导体器件

[发明专利]装置结构和其制造方法-CN202011060535.X在审
发明人：黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：所述堆叠结构包括第一金属氧化物层、第二金属氧化物层和金属层。所述第二金属氧化物层与所述第一金属氧化物层相对。所述金属层插入于所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间。所述介电材料贯穿所述第一金属氧化物层。所述电极导孔贯穿所述介电材料，并且电连接到所述金属层。
装置结构制造方法

[发明专利]金属氧化物复合料的生产方法、金属氧化物复合料粉末以及陶瓷材料-CN90107075.0无效
发明人：吕·利罗特;弗兰茨·利格兰德;乔埃尔·布尔乔特 -专利权人：索尔维公司
申请日： 1990-07-20 - 公布日： 1991-02-27 - 主分类号： C01B13/32 文献下载
摘要：生产金属氧化物复合料的方法，按照本方法在有金属(氢)氧化物颗粒存在条件下水解金属醇化物，使金属醇化物转化成金属(氢)氧化物凝胶，包裹在金属(氢)氧化物颗粒上。由该方法制得的金属氧化物复合料粉末以及烧结该粉末而制得的陶瓷材料。
金属氧化物复合生产方法粉末以及陶瓷材料

[发明专利]用于甲烷氧化偶联的稳定催化剂-CN201780064227.4在审
发明人：萨加尔·萨尔萨尼;梁五更;迪克·纳加基;克里斯南·桑卡拉纳拉亚南;大卫·韦斯特;阿格哈丁·马梅多娃 -专利权人：沙特基础工业全球技术公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：公开了一种选择用于甲烷氧化偶联(OCM)反应的稳定的混合金属氧化物催化剂的方法。该方法可包括，获得具有用于OCM反应的催化活性金属氧化物的混合金属氧化物材料，并确定混合金属氧化物材料的至少一种催化活性金属氧化物的塔曼温度(T_Tam)。该方法还包括如果存在于混合金属氧化物材料中的至少一种催化活性金属氧化物具有大于预定温度的T_Tam，则选择混合金属氧化物材料用作OCM反应中的催化剂。
混合金属氧化物材料催化活性金属氧化物甲烷氧化偶联混合金属氧化物催化剂稳定催化剂催化剂

[发明专利]形成介电薄膜的组合物、形成介电薄膜的方法及通过所述方法形成的介电薄膜-CN201210552098.2有效
发明人：渡边敏昭;樱井英章;曽山信幸;纪尧姆·盖冈 -专利权人：三菱综合材料株式会社;意法半导体公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01B3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合的复合金属氧化物形式的用于形成薄膜的液体组合物，其中，所述复合金属氧化物由包含铜(Cu)的复合氧化物B和包含锰(Mn)的复合氧化物C混合到由通式Ba1‑xSrxTiyO3表示的复合金属氧化物A中而形成，其中，复合氧化物B与复合金属氧化物A的摩尔比B/A在0.002＜B/A＜0.05的范围内，且复合氧化物C与复合金属氧化物A的摩尔比C/A在0.002＜C/A＜0.03的范围内。
形成薄膜组合方法通过

[发明专利]带有金属氧化物膜的物品-CN201480068374.5有效
发明人：玉井一诚;森永均;浅野宏;浅井舞子;若林谅 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： B32B15/16 文献下载
摘要：本发明提供具备色彩和金属光泽的新型构成的带有金属氧化物膜的物品。此处公开的带有金属氧化物膜的物品的特征在于，其具备：由金属材料形成的基材、和覆盖该基材的表面的由金属氧化物形成的金属氧化物膜，前述金属氧化物膜通过使用由前述金属氧化物形成的颗粒对前述基材的表面进行研磨而形成
金属氧化物膜基材金属氧化物金属材料金属光泽研磨覆盖

[发明专利]用于OLED的金属氧化物薄膜基板及其制造方法-CN201310472578.2有效
发明人：李柱永;朴峻亨;刘泳祚;金序炫;朴正佑;白逸姬;尹根尙;李铉熙;崔殷豪 -专利权人：三星康宁精密素材株式会社
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：用于有机发光装置(OLED)的金属氧化物薄膜基板及其制造方法，所述金属氧化物薄膜基板呈现较好的光提取效率，并可易于低成本制造。所述用于OLED的金属氧化物薄膜基板包括基底基板和形成在所述基底基板上的金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜由具有不同折射率的至少两种金属氧化物的混合物制成。
用于 oled 金属氧化物薄膜及其制造方法

[发明专利]电化学电池结构及其制造方法-CN200610163033.3无效
发明人：巴里·M·麦克格里高;石田方哉 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-11-27 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成用于电化学电池的、具有金属氧化物颗粒和粘合剂的金属氧化物层的方法，包括：沉积金属氧化物层；以及在金属氧化物层上沉积聚合物键合剂。另外，本发明涉及一种形成电化学电池的方法，包括：形成包括彼此间隔的多个相邻金属氧化物单元的金属氧化物层；以及向金属氧化物层上施加压力。此外，本发明涉及一种形成包括使用上述方法形成的金属氧化物层的电化学电池的方法。
电化学电池结构及其制造方法

[发明专利]金属氧化物-氧化钇稳定的氧化锆复合材料及燃料电池-CN201010243293.8无效
发明人：柳韩蔚;张宰赫;金昌三;全星运 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：公开了一种金属氧化物-氧化钇稳定的氧化锆复合材料，该金属氧化物-氧化钇稳定的氧化锆复合材料含有金属氧化物-3摩尔％氧化钇稳定的氧化锆复合材料以及金属氧化物-8摩尔％氧化钇稳定的氧化锆复合材料，所述金属氧化物-3摩尔％氧化钇稳定的氧化锆复合材料的含量为25～75重量％，所述金属氧化物-8摩尔％氧化钇稳定的氧化锆复合材料的含量为75～25重量％。还提供了一种固体氧化物燃料电池，该固体氧化物燃料电池含有金属氧化物-氧化钇稳定的氧化锆复合材料作为阳极层或者阳极层的支撑层。
金属氧化物氧化钇稳定氧化锆复合材料燃料电池

[发明专利]一种混杂贵金属掺粒子和金属氧化物薄膜的集成气体传感器及其制备方法-CN201410230475.X在审
发明人：章伟;王瑞;高志强;李雨桐;秦薇薇;李涛;许泳;杨楠;蔡依晨;徐玫瑰 -专利权人：南京工业大学;南京益得冠电子科技有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：一种混杂贵金属掺粒子和金属氧化物薄膜的集成气体传感器及其制备方法，包括基片、加热电极、导热绝缘层、检测电极、金属氧化物薄膜，加热电极制备在基片上、导热绝缘层位于加热电极和检测电极之间，金属氧化物薄膜覆盖在检测电极上，其特征在于：在金属氧化物薄膜上沉积有贵金属粒子，贵金属粒子为单原子覆盖在氧化物薄膜上，覆盖度为金属氧化物薄膜表面积的0.05%-10%，颗粒尺寸为0.2nm-0.4nm。本发明能有效提高金属氧化物薄膜气体灵敏度和稳定性，通过掺杂贵金属粒子，测试200ppm乙醇气体，灵敏度由纯金属氧化物的1.51提高到贵金属-金属氧化物的9.46；同时，金属氧化物薄膜的气敏反应温度只需要
一种混杂贵金属粒子金属氧化物薄膜集成气体传感器及其制备方法

[发明专利]一种多元复合金属氧化物催化剂催化制备间苯二酚的方法-CN201710443833.9有效
发明人：张金军;禚林海 -专利权人：泰山学院
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种多元复合金属氧化物催化剂催化制备间苯二酚的方法，多元复合金属氧化物为氧化镍与其他金属氧化物复合的氧化物，并且氧化物中附着有贵金属的纳米颗粒，多元复合金属氧化物中其他金属氧化物的质量分数为5～20％，贵金属的质量分数为0.5～2.0％；其中，其他金属氧化物为三氧化二铁、五氧化二钒、氧化铜、氧化镁、氧化钙、氧化钾、氧化钠、氧化锆、氧化锡、氧化锌、氧化钴、氧化铅、氧化铋、氧化铝、氧化钛、氧化锰、氧化铷、氧化锶、氧化钯、氧化铑、氧化钡、氧化银或氧化铂；贵金属为金、铂、钯、银、钌、锇或铱。该类复合金属氧化物在间苯二甲酸液相合成间苯二酚工艺中具有催化性能，间苯二酚收率最高可达30.4％。
一种多元复合金属氧化物催化剂催化制备间苯二酚方法

[发明专利]用于连续或半连续铸造熔融金属铸模的氧化物控制系统-CN201580010035.6有效
发明人： C.沙伯 -专利权人：瓦格斯塔夫公司
申请日： 2015-02-24 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： B22D11/16 文献下载
摘要：一种用于在连续铸模中控制、引导和管理金属氧化物流的氧化物控制系统(装置和工艺)，金属氧化物成形于氧化物阻堤中的熔融金属表面上。本发明公开了一种新的氧化物阻堤，其提供了预定的出口，其控制和管理通往模腔和生成的铸件中的其中氧化物可接受的位置的金属氧化物流，但引导金属氧化物远离生成的铸件上的其中氧化物不可接受的位置。
用于连续铸造熔融金属铸模氧化物控制系统

[发明专利]含有碱金属氧化物的混合氧化物粉末以及含有该粉末的聚硅氧烷橡胶-CN200680021609.0有效
发明人： K·舒马赫;H·罗特;R·戈尔凯尔特;H·曼戈尔德;M·肖尔茨 -专利权人：埃沃尼克德古萨有限责任公司
申请日： 2006-05-23 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： C01B13/24 文献下载
摘要：本发明涉及无孔隙初级颗粒的聚集体形式的碱金属氧化物－金属氧化物混合氧化物粉末，其包含0.005至5重量％的至少一种碱金属氧化物，其特征在于：BET表面积为100至350m²/g，表示为每平方米比表面积的DBP数的比DBP数大于或等于仅含有该金属氧化物成分的粉末，碱金属氧化物分布在该初级颗粒的核心中以及表面上。本发明还涉及包含所述碱金属氧化物－金属氧化物混合氧化物粉末的聚硅氧烷橡胶。
含有碱金属氧化物混合粉末以及聚硅氧烷橡胶

[发明专利]一种利用MOF衍生双金属氧化物模板制备金属氧化物多级结构的方法-CN201810913769.0有效
发明人：曹澥宏;刘文贤;施文慧;尹瑞连 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C01B13/14 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种利用MOF衍生双金属氧化物模板制备金属氧化物多级结构的方法，将MOF衍生双金属氧化物模板经过碱处理得到金属氧化物多级结构；设定M为所述金属氧化物多级结构中的金属，所述MOF衍生双金属氧化物模板为MMoO4‑MOF衍生双金属氧化物，所述金属氧化物多级结构为MxO本发明制备工艺简单、温和、普适，对设备无特殊要求，不使用表面活性剂，可大规模产业化生产；采用该方法制备的金属氧化物多级结构尺寸均一，结构稳定，组份分布均匀。
一种利用 mof 衍生双金属氧化物模板制备金属多级结构方法

[发明专利]IC芯片涂覆材料及使用该材料的真空荧光显示装置-CN200610007049.5有效
发明人：安冈佑介;加藤雅弘;渡边照男;富士原浩二 -专利权人：双叶电子工业株式会社
申请日： 2006-02-14 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01J31/15 文献下载
摘要：本发明公开一种IC芯片涂覆材料包括：第一金属氧化物颗粒；金属醇盐；有机溶剂；及第二金属氧化物颗粒和/或复合氧化物的扁平颗粒，所述第二金属氧化物颗粒具有与所述第一金属氧化物颗粒相同或不同的成分，并具有与所述第一金属氧化物颗粒不同的平均颗粒尺寸和还公开一种真空荧光显示装置包括：IC芯片，其中所述IC芯片至少部分被涂覆有涂覆材料层，所述涂覆材料层包括：第一金属氧化物颗粒；形成金属醇盐的金属；以及第二金属氧化物颗粒和/或复合氧化物的扁平颗粒。
ic 芯片材料使用真空荧光显示装置