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- [发明专利]半导体装置-CN201610569671.9有效
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山崎舜平
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株式会社半导体能源研究所
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2011-03-11
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2020-10-16
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H01L29/786
- 半导体装置,氧化物半导体膜具有各自设置有包含与氧化物半导体膜的成分类似成分的金属氧化物膜的顶表面部及底表面部。以与金属氧化物膜的表面接触的方式进一步形成包含与金属氧化物膜及氧化物半导体膜不同的成分的绝缘膜,该金属氧化物膜的表面与接触氧化物半导体膜的表面相对。用于晶体管有源层的氧化物半导体膜是通过从氧化物半导体去除诸如氢、水分、羟基和氢化物之类杂质、且供应作为氧化物半导体主要成分且在去除杂质的步骤中同时被减少的氧而被高纯度化为电性上i型(本征)的氧化物半导体膜
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201180016101.2有效
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山崎舜平
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株式会社半导体能源研究所
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2011-03-11
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2012-12-26
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H01L29/786
- 氧化物半导体膜具有各自设置有包含与氧化物半导体膜的成分类似成分的金属氧化物膜的顶表面部及底表面部。以与金属氧化物膜的表面接触的方式进一步形成包含与金属氧化物膜及氧化物半导体膜不同的成分的绝缘膜,该金属氧化物膜的表面与接触氧化物半导体膜的表面相对。用于晶体管有源层的氧化物半导体膜是通过从氧化物半导体去除诸如氢、水分、羟基和氢化物之类杂质、且供应作为氧化物半导体主要成分且在去除杂质的步骤中同时被减少的氧而被高纯度化为电性上i型(本征)的氧化物半导体膜
- 半导体装置
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