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[发明专利]金属氧化物薄膜基板、其制造方法、光伏电池和OLED-CN201310351331.5有效
发明人：刘泳祚;金序炫;朴峻亨;白逸姬;尹根尚;李贤姬;崔殷豪 -专利权人：三星康宁精密素材株式会社
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了可以提高陷光效率和光提取效率的金属氧化物薄膜基板、制造金属氧化物薄膜基板的方法和光伏电池以及包括光伏电池的有机发光装置（OLED）。金属氧化物薄膜基板包括基体基板和形成在基体基板上的金属氧化物薄膜。金属氧化物薄膜具有形成在金属氧化物薄膜的内部的用于散射光的空隙。
金属氧化物薄膜制造方法电池 oled

[发明专利]金属氧化物和/或金属氢氧化物涂敷的金属材料及其生产方法-CN02819360.1有效
发明人：庄司浩雅;杉浦勉 -专利权人：新日本制铁株式会社
申请日： 2002-12-03 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： C23C22/34 文献下载
摘要：本发明提供了生产金属氧化物和/或金属氢氧化物涂敷的金属材料的方法，特征在于将金属材料浸渍在含有金属离子和相对于该金属离子而言4倍摩尔比的氟离子、和/或含有包括至少一种金属和相对于该金属而言4倍摩尔比的氟的络离子的pH2－7的含水处理溶液中，或将导电材料在该含水处理溶液中电解，以在所述金属材料的表面上形成含有该金属离子的金属氧化物和/或金属氢氧化物涂层；以及提供了被金属氧化物和/或金属氢氧化物涂敷的金属材料，特征在于它具有通过上述方法形成的金属氧化物和/或金属氢氧化物涂层。上述方法通过使用所述水溶液使得在金属材料上能形成具有各种结构或显示各种功能的氧化物涂膜和/或氢氧化物涂膜。
金属氧化物氢氧化物金属材料及其生产方法

[发明专利]纳米金属氧化物及其制备方法、电致发光器件及显示装置-CN202111410202.X在审
发明人：聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K85/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种纳米金属氧化物及其制备方法、电致发光器件及显示装置，所述纳米金属氧化物包括金属氧化物纳米颗粒以及配位连接于所述金属氧化物纳米颗粒的表面的配体，其中，所述配体为磷酸基团和/或碱基，所述纳米金属氧化物的制备方法有效避免了相邻间金属氧化物纳米颗粒因发生团聚而尺寸变大的问题，所述电致发光器件中电子传输层的材料包括所述纳米金属氧化物或所述制备方法制得的纳米金属氧化物，纳米金属氧化物的粒径可小于3.0nm，有利于提高电子传输层与发光层的能级匹配度以促进电子注入，所述电致发光器件能够用于制备显示装置
纳米金属氧化物及其制备方法电致发光器件显示装置

[发明专利]异质结氧化物非易失性存储器装置-CN201080015470.5有效
发明人：东敏·陈 -专利权人： 4D-S有限公司
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：该存储器装置包括第一金属层和耦合到第一金属层的第一金属氧化物层。该存储器装置包括耦合到第一金属氧化物层的第二金属氧化物层和耦合到第二金属氧化物层的第二金属层。第一金属氧化物层的形成的吉布斯自由能低于第二金属氧化物层的形成的吉布斯自由能。
异质结氧化物非易失性存储器装置

[发明专利]去除氧化物的方法-CN201010299084.5有效
发明人：刘中仕;周宏;张俊刚;管杰;劳伦特·克里特格尼;劳伦斯·库尔 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C23G5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除氧化物的方法，其包括：将所述氧化物与组合物反应生成结果产物，所述组合物包含碱金属的碳酸盐、氧化物、氢氧化物或者草酸盐，或者碱金属的碳酸盐、氧化物、氢氧化物或者草酸盐和氧化硼或硼酸的组合或反应产物另一方面，本发明涉及一种去除氧化物的方法，其包括：将所述氧化物与包含碱金属的碳酸盐、氧化物、氢氧化物或者草酸盐，或者碱金属的碳酸盐、氧化物、氢氧化物或者草酸盐和氧化硼或硼酸的组合或反应产物的组合物接触；加热所述氧化物和组合物以反应生成结果产物；清洗所述结果产物。
去除氧化物方法

[发明专利]用于碳质燃料转化的方法-CN201811476358.6有效
发明人：范良士;罗四维;曾亮 -专利权人：俄亥俄州国家创新基金会
申请日： 2014-02-05 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C10J3/57 文献下载
摘要：本申请公开了在本文描述的一个实施方案中，碳质燃料可通过包括如下的方法转化为合成气：将碳质燃料和复合金属氧化物以相对于彼此并流流动的方式进料至还原反应器中；使用所述碳质燃料还原所述复合金属氧化物，以形成合成气和经还原的复合金属氧化物；将所述经还原的复合金属氧化物输送至氧化反应器；通过在氧化反应器中用氧化试剂氧化所述经还原的复合金属氧化物而再生复合金属氧化物；和将经再生的复合金属氧化物再循环至还原反应器，从而用于随后的还原反应以生产合成气其中所述复合金属氧化物包含铁、钛和氧并且所述还原的复合金属氧化物包含FeO·TiO2(即FeTiO3)，或者其中所述复合金属氧化物包含铁、铝和氧并且所述还原的复合金属氧化物包含FeO·Al2O3(即FeAl2O4
用于燃料转化方法

[发明专利]测序芯片及测序芯片重复利用的方法-CN202111603655.4在审
发明人：王照辉;陈宏敏;章文蔚 -专利权人：深圳华大生命科学研究院
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：该测序芯片包括芯片颗粒和固定在芯片颗粒上的DNA纳米球，其中，芯片颗粒包括：晶圆层；第一氧化硅层，第一氧化硅层由氧化硅构成，形成在晶圆层的上表面；金属、金属氧化物或金属氮氧化物层，金属、金属氧化物或金属氮氧化物层上由金属、金属氧化物或金属氮氧化物构成，形成在第一氧化硅层的上表面；DNA纳米球固定在金属、金属氧化物或金属氮氧化物层上，方法包括使用等离子体、UV、O3、UV臭氧或过氧化物中的一种多种处理测序芯片表面去除测序芯片表面的有机物质
芯片重复利用方法

[发明专利]复合金属氧化物的制备方法、金属氧化物烧结体及回转窑-CN201280017419.7有效
发明人：堀直通;中岛干夫 -专利权人：东邦原材料株式会社
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：一种复合金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述复合金属氧化物的制备方法在将含碱金属的组合物进行烧成而得到复合金属氧化物时，将该组合物放置在与该组合物相接触的部分由金属氧化物成分形成的载置体上进行烧成，相对于该金属氧化物成分100重量份，该金属氧化物成分的K原子的含量换算成K2O为5～13重量份，而且，相对于该金属氧化物成分100重量份，Al原子、Zr原子、Mg原子和Ce原子的合计含量换算成氧化物为15～70重量份。根据本发明，可提供一种能够降低制备成本的含碱金属的复合金属氧化物的制备方法。
复合金属氧化物制备方法烧结回转

[发明专利]层状金属氢氧化物及其制备与复合金属氧化物及其制备-CN202110800398.7有效
发明人：孙晓明;王陈伟;周道金;袁子健 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明属于新型材料制备领域，具体涉及一种层状金属氢氧化物及制备、复合金属氧化物及其制备与用途。所述层状金属氢氧化物包含层板间金属氢氧化物和层间金属氧酸盐离子；所述层板间金属氢氧化物中金属包括Mg、Co、Ca、Zn、Fe、Ni、Mn、Cr、Al、Ga、V、In中的至少两种；所述层间金属氧酸盐离子包括偏钒酸根本发明还涉及该复合金属氧化物用作气固相反应催化剂或电催化剂的用途。前驱体层状金属氢氧化物的层间多金属含氧酸根阴离子可以使得金属氢氧化物转变为金属氧化物的温度显著降低，具体表现为本发明的层状金属氢氧化物转变为以尖晶石为主的复合氧化物的温度为500‑900℃，而常规的传统碳酸根插层的层状金属氢氧化物转变为金属氧化物的温度一般为800‑1200℃，以便形成金属位点高度分散而不易烧结和团聚的以尖晶石为主的复合氧化物结构。
层状金属氢氧化物及其制备复合氧化物

[发明专利]金属氧化物限压器检测方法及装置-CN202111591565.8在审
发明人：刘羿辰;彭珑;马鑫晟;王晨星;刘慧林;宋鹏;卢毅 -专利权人：国网冀北电力有限公司电力科学研究院;华北电力科学研究院有限责任公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种金属氧化物限压器检测方法及装置，该方法包括：获取目标金属氧化物限压器组在安装点处的交流母线电压、目标金属氧化物限压器组中的各个金属氧化物限压器各自对应的第一泄漏电流和初始伏安特性曲线；根据交流母线电压、每个金属氧化物限压器的第一泄漏电流和初始伏安特性曲线，得到该金属氧化物限压器的伏安特性曲线；根据每个金属氧化物限压器的伏安特性曲线，确定该金属氧化物限压器对应的1mA参考电压值；根据各个金属氧化物限压器各自对应的1mA参考电压值和预设的故障检测准则，确定所述目标金属氧化物限压器组中的故障金属氧化物限压器。
金属氧化物限压器检测方法装置

[发明专利]阵列基板和显示面板-CN202210682054.5在审
发明人：龙威 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括衬底、金属氧化物有源部、栅极、绝缘部、源漏极和导电部，金属氧化物有源部设置于衬底上，金属氧化物有源部包括连接且同层设置的半导体部和设置于半导体部两侧的导通部，栅极设置于金属氧化物有源部的一侧，且与半导体部对应设置，绝缘部设置于金属氧化物有源部与栅极之间，源漏极设置于金属氧化物有源部上，并与金属氧化物有源部连接，导电部设置于金属氧化物有源部远离源漏极的一侧，且与金属氧化物有源部接触，导电部与导通部对应设置。导电部中具有电子，因而在金属氧化物有源部下方设置与其接触的导电部，可以提高金属氧化物有源部的载流子浓度，从而提高器件的开态电流。
阵列显示面板

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、显示面板-CN202111016209.3在审
发明人：林滨;王洋;邹振游;乐发垫;席文星;余雪 -专利权人：福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域。由于该金属氧化物薄膜晶体管的第一绝缘层的含氧量较高，因此可以使得该第一绝缘层中的氧元素可以向金属氧化物半导体层扩散，以达到对金属氧化物半导体层进行补氧的作用，进而提高金属氧化物薄膜晶体管的稳定性。并且，该第一绝缘层与金属氧化物半导体层的界面匹配，能够降低金属氧化物半导体层的表面缺陷。同时，金属氧化物半导体层的含氧原子数量百分比大于45％，可以使金属氧化物半导体层内的氧空位不会太多，不容易在器件工作时引起金属氧化物薄膜晶体管的特性负偏，可有效降低金属氧化物薄膜晶体管的特性负偏导致的产品沙点不良
金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法显示面板

[发明专利]高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201510003131.X有效
发明人：张广胜;张森;卞鹏;胡小龙 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底，还包括形成于衬底上的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，以及形成于N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极的P型金属氧化物半导体场效应管；P型金属氧化物半导体场效应管的栅极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的栅极；P型金属氧化物半导体场效应管的漏极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极；N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极。上述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的工艺简单且成本较低，并具有耐高压性能。
高压横向扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]生产表面改性的纳米颗粒状金属氧化物、金属氢氧化物和/或金属氧化物氢氧化物的方法-CN200880009473.0有效
发明人： A·卡尔波夫;H·希布施特;胡静;B·贝希特洛夫;H·福斯;K·希尔勒-阿恩特;V·安德烈;J·里格尔 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2008-03-18 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： A61K8/19 文献下载
摘要：本发明涉及生产至少一种金属氧化物、金属氢氧化物和/或金属氧化物氢氧化物的表面改性纳米颗粒状颗粒和所述颗粒的含水悬浮液的方法。此外，本发明涉及可由所述方法得到的至少一种金属氧化物、金属氢氧化物和/或金属氧化物氢氧化物的表面改性纳米颗粒状颗粒和所述颗粒的含水悬浮液，以及它们在化妆品防晒制剂中、作为塑料中的稳定剂和作为抗菌活性成分的用途
生产表面改性纳米颗粒状金属氧化物氢氧化物方法

[发明专利]等离子显示面板-CN201180013775.7无效
发明人：辻田卓司;三浦正范;后藤真志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-14 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01J11/40 文献下载
摘要：在等离子显示面板中，在保护层(9)的基底层(91)上，遍布整个面地分散配置有凝集了多个氧化镁的结晶粒子(92a)而成的凝集粒子(92)以及金属氧化物粒子(93)。金属氧化物粒子(93)包含从由氧化镁、氧化钙、氧化锶以及氧化钡构成的群之中选出的至少2种金属氧化物。金属氧化物粒子(93)的特定方位面的X射线衍射分析的衍射角峰值，处于金属氧化物粒子(93)所包含的2种金属氧化物之中的一种金属氧化物的特定方位面的X射线衍射分析的衍射角峰值、和另一金属氧化物的特定方位面的
等离子显示面板