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[发明专利]InP PHEMT外延结构及其制备方法-CN202110015630.6有效
发明人：周书星;王寅;张欣;类淑来;胡青松 -专利权人：湖北文理学院
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种InP PHEMT外延结构及其制备方法，所述外延结构包括由下至上依次层叠设置的InP衬底、递变缓冲层、沟道层、隔离层、Si平面掺杂层、势垒层、刻蚀停止层、第一接触层和第二接触层，所述递变缓冲层的材料为InxA11‑xAs，其中，x自所述递变缓冲层的下端至上端由0.52至0.8由于递变缓冲层中的In组分连续递变，增大了虚拟衬底的晶格常数且晶格常数缓慢变大，有利于生长高质量高In组分的沟道层，提到了InP PHEMT外延结构二维电子气的电子迁移率。
inp phemt 外延结构及其制备方法

[发明专利]用于固体氧化物燃料电池的高性能阴极-CN02808032.7无效
发明人： R·多施;J·关;N·明;K·蒙特戈梅里;E·翁;G·莱尔 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2002-04-05 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01M8/12 文献下载
摘要：阴极包括导电层、催化剂层和递变复合层。导电层具有第一密度，催化剂层具有第二密度，所述第二密度低于第一密度。递变复合层的特征在于递变的电子导电性和递变的离子导电性。
用于固体氧化物燃料电池性能阴极

[发明专利]具有递变多孔介电结构的半导体元件-CN202110117905.7在审
发明人：黄则尧 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供一种具有递变多孔介电结构的半导体元件。该半导体元件具有一基底、二导电特征、一递变多孔介电结构以及一介电层；该二导电特征相互远离设置，并位于该基底上；该递变多孔介电结构位于该二导电特征之间；该介电层位于其中一个导电特征与该递变多孔介电结构之间；其中该递变多孔介电结构包括一第一部分以及一第二部分，该第一部分具有一第一孔隙率，该第二部分具有一第二孔隙率，且该第二孔隙率高于该第一孔隙率。
具有递变多孔结构半导体元件

[发明专利]逆向递变热塑性弹性体-CN201780008349.1有效
发明人： S·A·莫特尤玛艾斯泼柯埃托;J·A·麦克西卡诺加西亚;M·E·铁拉布兰卡;G·赫尔南德兹萨莫拉;A·C·埃斯基维尔德拉加尔萨 -专利权人：戴纳索尔伊莱斯托米罗斯公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C08L9/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种逆向递变热塑性弹性体组合物，所述逆向递变热塑性弹性体组合物包含：(a)峰值分子量为20,000至250,000的逆向递变二嵌段A‑[A/B]共聚物，其包括峰值分子量为至少8,000的单乙烯基芳族均聚物嵌段A，和基于所述二嵌段共聚物中共轭二烯单元的量，乙烯基含量为至少15重量％的逆向递变共聚物嵌段[A/B]；和(b)嵌段共聚物，其选自以下组：峰值分子量为(a)中所述的逆向递变二嵌段A‑[A/B]共聚物的峰值分子量的至少约1.5倍的线性三嵌段共聚物、峰值分子量为(a)中所述的逆向递变二嵌段A‑[A/B]共聚物的峰值分子量的至少约2.5倍的多臂偶联嵌段共聚物及其混合物；和(c)其中所述逆向递变热塑性弹性体组合物中(a)与(所述申请中提供的逆向递变热塑性弹性体组合物：i)易于加工，例如分散时间短、混合温度低、粘度低、存储稳定性优异；并且ii)增强性更好，例如弹性响应高、性能等级范围宽、粘附性高、填料负载能力更高且高低温性质折衷更好
逆向递变塑性弹性体

[发明专利]一种用于继电保护的动态滤零漂算法-CN201210029910.3有效
发明人：邵震宇;田伟 -专利权人：南京弘毅电气自动化有限公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：）将采样通道输入短接，测量出通道的初始零漂值并固化到保护装置的存储器中；（2）计算采样点数据之和；（3）根据采样点数据之和，求出平均零漂值；（4）计算平均零漂值与初始零漂值之间的零漂变化量；（5）根据递变周期计算出零漂递变步长；（6）根据所述递变周期，递变式调整每个采样点的零漂值。
一种用于保护动态滤零漂算法

[发明专利]一种具有递变电阻及高熔点差梯度材料的制备工艺-CN00121189.7无效
发明人：李江涛;凌云汉;葛昌纯;孙加林 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2000-07-31 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有递变电阻及高熔点差梯度材料的制备工艺，可快速制造陶瓷/金属，金属/金属梯度功能材料。它是在超高压条件下利用样品中随位置变化而电阻递变的特点，以大电流通过样品形成梯度分布的温度场的强化烧结技术。它适用于制备具有递变电阻的梯度材料，尤其适用于兼具有高熔点差梯度材料的制备。
一种具有递变电阻熔点梯度材料制备工艺

[实用新型]一种具有阶梯递变结构的叉指换能器-CN202021274696.4有效
发明人：王刚;安建光;董元旦;杨涛 -专利权人：成都频岢微电子有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有阶梯递变结构的叉指换能器，其包括第一指条带和第二指条带，第一指条带包括至少一个第一阶梯递变结构，第二指条带包括至少一个第二阶梯递变结构；每个第一阶梯递变结构均包括第一汇流条和设置在第一汇流条同一侧的若干条指条，每个阶梯递变结构中的指条长度均从中间向两端递减；第二指条带中的指条设置于第一指条带中相邻两个指条之间的空腔中，形成叉指换能器。
一种具有阶梯递变结构叉指换能器

[发明专利]恒定摆率的信号驱动系统-CN202011572415.8在审
发明人：李智;赵建中;周玉梅 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本公开提供一种恒定摆率的信号驱动系统，包括：阶梯电压产生单元，用于提供多路等差递变的电压信号；多路选择器，一输入端与所述阶梯电压产生单元相连以接收所述多个等差递变的电压信号，另一输入端与一控制信号产生单元相连，用于在所述控制信号产生单元发出的控制信号控制下对多路等差递变的电压信号进行选择性输出；电压跟随单元，与所述多路选择器相连，起隔离作用并提高驱动能力；输出跟随单元，与所述电压跟随单元相连，用于驱动后接的负载单元
恒定信号驱动系统

[发明专利]基于X射线管电压分级递变检测高压电缆缺陷装置及方法-CN202210314227.8在审
发明人：列剑平;矫立新;刘俊博;杨代勇;林海丹;栾靖尧;高昌龙;刘赫;王伟;金鹏;赵春明;司昌建;李守学;刘座铭;钱二刚;姜浩;刘丹;姜露;董洪达;许文燮;刘桂梅;于群英;张赛鹏;葛志成;陈捷元;崔天城;翟冠强;邰宇峰;李嘉帅 -专利权人：国网吉林省电力有限公司电力科学研究院;南京卓实电气有限责任公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明涉及X射线的高压电力电缆技术领域，具体为基于X射线管电压分级递变检测高压电缆缺陷装置，包括工作台和电缆，所述工作台上设置有检测辅助组件，所述检测辅助组件包括与工作台活动连接的安装组件，所述工作台的一侧固定连接有该基于X射线管电压分级递变检测高压电缆缺陷装置，通过对检测装置进行安装和拆卸以及散热，提高该检测装置的使用寿命，本专利采用X射线管管电压递变分级，对检测序列图像进行图像识别，提升X射线检测成像质量和辨识能力，实现X射线强度分级递变检测高压电缆内部缺陷。
基于射线电压分级递变检测高压电缆缺陷装置方法

[发明专利]一种带隙递变半导体薄膜颜色感知器件及其制备方法-CN202211680390.2在审
发明人：吴小晗;黄春明 -专利权人：复旦大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明属于半导体光探测器技术领域，具体为一种基于带隙递变半导体薄膜的颜色感知器件及其制备方法。本发明颜色感知器件包括两个分立器件，输出两个信号；器件1使用带隙递变半导体薄膜作为光敏层，输出信号与光信号的光子能量和光通量有关；器件2使用较窄带隙半导体薄膜作为光敏层，输出信号仅与光信号的光通量有关；本发明可缩减制备流程与成本；通过改变光敏层中半导体元素比例，进行带隙递变半导体薄膜制备，实现较宽波长范围的光信号响应；利用原子层沉积精细控制特性对递变梯度进行调制，实现更精细的颜色分辨。
一种递变半导体薄膜颜色感知器件及其制备方法

[发明专利]一种宽光谱InGaAs探测器的光敏元结构及其制备方法-CN202310252910.8在审
发明人：李雪;顾溢;刘博文;邵秀梅;马英杰;李淘;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：0.53Ga0.47As吸收层、InxGa1‑xAs组分递变吸收层所述InxGa1‑xAs组分递变吸收层的x自所述InxGa1‑xAs组分递变吸收层的下端至上端由0.53线性递变至a，0.53＜a≤1，所述高In组分InGaAs吸收层与所述InxGa1‑xAs组分递变层上端晶格匹配，所述位错阻挡层采用与高In组分InGaAs吸收层晶格匹配的InAlAs或InAsP。
一种光谱 ingaas 探测器光敏结构及其制备方法

[实用新型]一种传递变扭矩的湿式液压离合器-CN201520030659.1有效
发明人：张如喜;郑国华 -专利权人：杭州发达齿轮箱集团有限公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： F16D25/0638 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种液压离合器，尤其涉及一种传递变扭矩的湿式液压离合器。包括离合器壳体，所述的离合器壳体中设有主动件组件和从动件组件。一种传递变扭矩的湿式液压离合器结构合理，性能先进。
一种传递扭矩液压离合器

[发明专利]制造超晶格材料的快速递变退火方法-CN01800486.5无效
发明人：内山洁;有田浩二;纳拉杨·索拉亚鹏;卡罗斯·A·帕兹德阿罗 -专利权人：塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社
申请日： 2001-02-07 - 公布日： 2002-08-14 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：利用递变率为每秒50℃的快速递变退火(“RRA”)技术(328),在650℃之维持温度下对该母体涂层在氧气中进行时间为30分钟之维持时间的退火。
制造晶格材料快速递变退火方法

[发明专利]用于操作破碎机的驱动系统和用于操作破碎机的方法-CN201880066784.4在审
发明人： M·布莱尔;M·阿曼;G·埃贝尔;O·布莱辛 -专利权人：克磊镘有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： B02C13/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种驱动系统(1)，其用于驱动材料破碎机设备的破碎机(50)，所述驱动系统具有主驱动器(2)和由主驱动器(2)驱动的传递变速箱(10)，其中传递变速箱(10)驱动至少一个发电机(20)和第一液压泵(21)，第一液压泵(21)可切换地连接到传递变速箱(10)。可切换流体联轴器(30)连接进入到从传递变速箱(10)到破碎机(50)的传输路径中，可切换流体联轴器(30)和泵(31)在泵回路中彼此流动连接，并且能够将流体借助于泵(31)供应到可切换流体联轴器(30
用于操作破碎驱动系统方法

[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法-CN202111395199.9在审
发明人：陈姗;孔令华;李康 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种非易失性存储装置及其操作方法，该操作方法包括：选取当前字线的目标物理页，以第一步长为递变量，以循环递变步骤向当前字线施加第一读电压，并记录目标物理页上所有存储单元的失败位计数值；确定目标物理页的最佳第一读电压，在最佳第一读电压下，目标物理页上所有存储单元的失败位计数值最小；以第二步长为递变量，以循环递变步骤向当前字线施加第二读电压，并记录当前字线的每个物理页的所有存储单元的失败位计数值，其中，第二步长小于第一步长
非易失性存储装置及其操作方法