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[发明专利]一种多参量协同敏感的谐振式压力传感器及其制备方法-CN202010051945.1在审
发明人：许高斌;陈诚;马渊明;陈兴;余智 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种多参量协同敏感的谐振式压力传感器，属于微电子机械技术领域。所述谐振式压力传感器包括紧密连接的压力敏感材料层和谐振器结构层；谐振器结构层的中部设有谐振器；谐振器包括主谐振梁和位于主谐振梁两侧的对称设置的谐振机构，两侧谐振机构结构相同；谐振机构包括双面梳齿结构、一对侧梁和质量块；双面梳齿结构包括两对电极和梳齿杆；一侧的压力敏感材料层之间设有复合梁式温度传感器；所述谐振式压力传感器的输入信号由所述激励电极、引线电极分别引入，输出信号由所述检测电极引出。本发明压力敏感薄膜上的形变通过硅岛转化成谐振器方向上的平面振动，谐振器与压力敏感膜片的工作模态相互垂直，抵抗外界干扰能力更强。
一种参量协同敏感谐振压力传感器及其制备方法

[发明专利]体声波谐振器-CN202111110286.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳新声半导体有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请涉及体声波谐振器技术领域，公开一种体声波谐振器，包括：谐振器盖体、体声波谐振结构、谐振器载体；谐振器盖体与体声波谐振结构的一侧连接形成第一空腔；体声波谐振结构另一侧与谐振器载体连接；谐振器载体包括牺牲层、截止边界层和衬底；截止边界层位于牺牲层和衬底之间；截止边界层形成位于牺牲层内的第一凸起和第二凸起，谐振器载体通过第一凸起、第二凸起与体声波谐振结构围合形成第二空腔。这样，通过这种结构限定出来的空腔，不需像传统体声波谐振器那样在硅衬底内形成第二空腔，使得谐振器的衬底可以灵活选择硅材料以外的完全绝缘的材料，从而避免衬底硅界面的存在而产生寄生导电沟道问题。
声波谐振器

[发明专利]阵列化的分布式兰姆模态射频微机电谐振器-CN201910088450.3有效
发明人：陈泽基;阚枭;王天昀;袁泉;杨晋玲;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列化的分布式兰姆模态射频微机电谐振器，包括：配置为工作在分布式兰姆模态下的谐振单元，该谐振单元的顶角、边缘及内部均具有位移节点，实现该谐振单元的位置固定，该谐振单元在振动过程中的总体积保持不变；耦合梁，该耦合梁与谐振单元同属分布式兰姆模态，共同组成阵列式谐振结构；支撑梁，一端与谐振结构中谐振单元顶角或边缘处的位移节点相连，另一端固定在一基座上，实现谐振结构的悬空；多电极结构，配置于谐振单元侧面，通过一介质层与谐振单元相隔，以及该介质层，用作阵列式谐振结构的机电转换介质。本发明提供的谐振器在大尺寸下保持高频率，降低工艺难度，实现动态电阻，提升Q值，保证频谱纯净，减小系统功耗。
阵列分布式兰姆模态射频微机谐振器

[发明专利]固态装配型横向振荡声波谐振器-CN202110944319.X在审
发明人：欧欣;张丽萍;张师斌;周鸿燕;吴进波 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提供一种固态装配型横向振荡声波谐振器，所述声波谐振器包括：小散射角支撑衬底；压电层，形成于所述小散射角支撑衬底的上表面，所述压电层包括：横向谐振结构及凹槽结构，所述凹槽结构形成于所述横向谐振结构的两侧；少数量/小占空比图案化电极，形成于所述横向谐振结构的上表面；其中，在对所述少数量/小占空比图案化电极施加电势时，所述声波谐振器在所述横向谐振结构中激发并产生多阶模式响应的等间距高次谐波。通过本发明提供的固态装配型横向振荡声波谐振器，实现了声波谐振器在接收器相关器件定义的频率上具有等距谐振。
固态装配横向振荡声波谐振器

[发明专利]一种超材料谐振装置-CN201510155847.1有效
发明人：洪治;陈航 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01P7/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种超材料谐振装置，包括平板波导和位于所述平板波导表面的多个沿第一方向延伸的类光栅结构，所述类光栅结构由位于所述平板波导表面的超材料谐振单元构成；其中，所述谐振单元至少包括一个金属谐振结构，且所述金属谐振结构的厚度大于集肤深度。由此可见，本发明实施例所提供的超材料谐振装置包括平板波导和位于所述平板波导表面的类光栅结构，所述类光栅结构由位于所述平板波导表面的超材料谐振单元构成，而所述超材料谐振单元为二维元件，本身具有谐振特性，与平板波导结合后，可获得较高的谐振品质因子。
一种材料谐振装置

[发明专利]一种静电激励梳齿检测的MEMS谐振式压力传感器-CN202111375145.6在审
发明人：庄须叶;律明琛;李平华;于志逾;张佳宁 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：一种静电激励梳齿检测的MEMS谐振式压力传感器，包括压力敏感层，谐振结构单元及激励检测结构。其中压力敏感层包含一压力敏感薄片及四个锚区，压力敏感薄片经锚区与谐振结构单元相连。谐振结构单元包括侧梁及谐振梁。静电激励和检测结构包括上端面、固定梳齿、振动梳齿，固定梳齿与上端面连接，振动梳齿与谐振梁相连接，分别用于驱动谐振结构单元发生谐振和检测输出信号。本发明设计的静电激励梳齿检测的MEMS谐振式压力传感器，采用十字形谐振梁、静电梳齿和侧梁结构，提高了传感器的工作稳定性和灵敏度，降低了激励能耗。
一种静电激励梳齿检测 mems 谐振压力传感器

[发明专利]用于制作薄膜体声波谐振器的方法及谐振器-CN202210064954.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳新声半导体有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本申请涉及谐振器技术领域，公开一种用于制作薄膜体声波谐振器的方法，包括：形成谐振结构；在谐振结构的一侧淀积介质层；在介质层远离谐振结构的一侧形成硅材料层；在硅材料层形成第一通孔；利用第一通孔在介质层上形成第二通孔，暴露出所述谐振结构；在硅材料层远离介质层的一侧形成衬底，使得谐振结构、介质层、硅材料层和衬底围合形成空腔。这样通过硅材料层刻蚀介质层，使得谐振结构暴露，相较于通过释放孔释放腐蚀衬底的方式，能够更快的暴露出谐振结构，从而能够快速形成空腔。本申请还公开一种薄膜体声波谐振器。
用于制作薄膜声波谐振器方法

[发明专利]一种体声波谐振器纵波模式下材料参数的提取方法-CN201910371907.1在审
发明人：赖志国;唐兆云;蔡洵;吴昊鹏;杨清华;赖亚明 -专利权人：贵州中科汉天下微电子有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种体声波谐振器纵波模式下材料参数的提取方法，该提取方法包括：构建体声波谐振器的Mason模型；对Mason模型进行简化处理以得到体声波谐振器的SIR模型，SIR模型的谐振频率仅与体声波谐振器的材料参数和结构参数有关、且SIR模型的谐振频率与Mason模型的并联谐振频率相等；建立SIR模型的谐振频率与体声波谐振器的材料参数以及结构参数之间关系式；测量得到多个体声波谐振器的并联谐振频率以及结构参数；根据关系式、以及测量得到的并联谐振频率和结构参数拟合得到体声波谐振器的材料参数实施本发明可以准确提取出体声波谐振器的材料参数，且操作简单、成本低廉。
材料参数体声波谐振器声波谐振器结构参数并联谐振频率谐振频率纵波模式种体测量简化处理构建体拟合相等

[发明专利]一种体声波谐振器纵波模式下材料参数的提取方法-CN201910716004.2有效
发明人：赖志国;唐兆云;蔡洵;吴昊鹏;杨清华;赖亚明;吴永乐;王卫民 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种体声波谐振器纵波模式下材料参数的提取方法，该提取方法包括：构建体声波谐振器的Mason模型；对Mason模型进行简化处理以得到体声波谐振器的SIR模型，SIR模型的谐振频率仅与体声波谐振器的材料参数和结构参数有关、且SIR模型的谐振频率与Mason模型的并联谐振频率相等；建立SIR模型的谐振频率与体声波谐振器的材料参数以及结构参数之间关系式；测量得到多个体声波谐振器的并联谐振频率以及结构参数；根据关系式、以及测量得到的并联谐振频率和结构参数拟合得到体声波谐振器的材料参数实施本发明可以准确提取出体声波谐振器的材料参数，且操作简单、成本低廉。
一种声波谐振器纵波模式材料参数提取方法

[发明专利]具有辅助敏感单元的谐振式硅微机械传感器-CN200610165574.X无效
发明人：樊尚春;邢维巍;蔡晨光;庄海涵 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： G01D5/00 文献下载
摘要：具有辅助敏感单元的谐振式硅微机械传感器，由一次敏感结构、谐振梁、作为辅助敏感单元的压阻网络和信号处理单元组成，被测量通过一次敏感结构映射为谐振梁的谐振频率，信号处理单元检测谐振梁输出的拾取信号并向谐振梁输出激励信号构成闭环系统以维持其谐振状态，由拾取信号计算谐振频率，根据一次敏感结构和谐振梁模型由谐振频率求解被测量；同时被测量通过一次敏感结构映射为压阻网络各电阻阻值，信号处理单元检测各电阻阻值并据此求解谐振梁谐振频率估计值；谐振频率估计值用于辅助拾取信号的检测、谐振频率的计算和激励信号的产生，从而有效解决微弱信号检测问题，并改善传感器系统的动态响应和可靠性。
具有辅助敏感单元谐振微机传感器

[实用新型]一种滤波器、双工器及通信设备-CN201822279230.2有效
发明人：王伟曳 -专利权人：深圳市大富科技股份有限公司
申请日： 2018-12-31 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：该滤波器包括发射通道结构，用于发射第一频段的信号，发射通道结构至少包括连接的第一谐振单元及第二谐振单元；接收通道结构，用于接收第二频段的信号，接收通道结构至少包括连接的第二谐振单元及第三谐振单元；其中，第一谐振单元包括三个级联的谐振腔，第一谐振单元中非相邻的谐振腔之间设有容性交叉耦合控制元件；第二谐振单元包括三个级联的谐振腔，第二谐振单元中非相邻的谐振腔之间设有感性交叉耦合控制元件；第三谐振单元至少包括一谐振腔
谐振单元谐振腔滤波器发射通道接收通道频段信号频段级联交叉耦合控制容性交叉耦合控制元件双工器通信设备感性隔离发射申请

[发明专利]用于模式平衡的参量放大器的系统和方法-CN201380039360.6有效
发明人： A·赖高斯基 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H03F7/00 文献下载
摘要：示例性实施例涉及包括第一谐振结构和第二谐振结构的平衡参量电路，所述第一谐振结构包括第一多个变容二极管，所述第二谐振结构包括第二多个变容二极管。所述第一谐振结构与所述第二谐振结构被耦合，以形成具有至少两种正交谐振模式的耦合结构，其中，第一谐振模式在输入信号的第一频率上谐振，并且第二谐振模式在泵浦信号的第二频率上谐振，而且，所述泵浦信号用于以下中的一个
用于模式平衡参量放大器系统方法

[发明专利]基于枝节环形谐振器和腔体谐振器的间隙波导滤波器-CN202310797361.2在审
发明人：丁学智;石增辉;王佳琪;魏峰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于枝节环形谐振器和腔体谐振器的间隙波导滤波器，包括自上而下依次层叠的磁场封闭结构、微带谐振结构、人工磁导体和腔体谐振器；微带谐振结构包括第二介质板上表面的枝节环形谐振器；腔体谐振器位于周期性结构的人工磁导体的中心位置本发明通过微带谐振结构中的枝节环形谐振器，以及人工磁导体中心位置设置的腔体谐振器，增加了滤波器传输零点的个数，从而加宽阻带范围并加强阻带抑制水平，有效地提高了间隙波导滤波器的带外选择性。
基于枝节环形谐振器间隙波导滤波器

[发明专利]用于体声波谐振器制作的方法、体声波谐振器、滤波器-CN202111457537.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳新声半导体有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本申请涉及谐振器技术领域，公开一种用于体声波谐振器制作的方法，包括：在预设的待移除层上沉积单晶压电层；在单晶压电层远离待移除层的一侧制作谐振结构；在谐振结构上形成第一金属层；将第一金属层键合在谐振器载体上；移除待移除层；在谐振结构远离第一金属层的一侧形成上电极结构；使谐振结构内形成空腔。这样，将谐振结构和谐振器载体通过金属层进行金属键合，由于金属与金属之间进行键合相较于传统SiO2‑Si键合方式能够在更大的晶圆翘曲度的情况下进行键合，因此能够在硅基晶圆翘曲度大的情况下使谐振结构与谐振器载体进行键合本申请还公开一种体声波谐振器、滤波器。
用于声波谐振器制作方法滤波器

[实用新型]滤波器-CN201620722086.3有效
发明人：纪海翔;张少林 -专利权人：深圳市威富通讯技术有限公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本实用新型涉及射频通信技术领域，提供一种滤波器，包括腔体、盖设于腔体上的盖板以及多个谐振杆，各谐振杆均为中空结构，各谐振杆的一端一体成型腔体的底部内侧，盖板上设有与谐振杆相对的电容补偿结构，谐振杆的另一端伸入电容补偿结构内并与电容补偿结构部分对应以降低谐振杆的起振频率本实用新型提供的滤波器，在盖板上设有与谐振杆相对应的电容补偿，通过将谐振杆的另一端伸该电容补偿结构内，并与电容结构部分相对应，当在谐振杆的伸入端加载电容时，则可降低谐振杆的起振频率，同时，由于谐振杆的伸入端无沿径向水平凸伸的盘结构，这样，有利于谐振杆与腔体一体成型，从而减少滤波器的组装工序，降低人工成本。
滤波器