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[实用新型]一种内容可寻址存储器-CN202222166453.4有效
发明人：耿志远;陈惕生 -专利权人：本征信息技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种内容可寻址存储器。所述内容可寻址存储器包括写控制电路、存储单元阵列和寻址控制电路，其特征在于，所述存储单元阵列中的存储单元为锁存器，同一数据对应的多个所述存储单元组成存储单元字线，所述存储单元的写数据端口连接至所述存储单元字线的写数据端口的不同比特，所述存储单元的写有效端口连接至所述存储单元字线的写有效端口，所述存储单元的查找数据端口连接至所述存储单元字线的查找数据端口的不同比特，所述存储单元的读数据端口连接至所述存储单元字线的读数据端口的不同比特，所述存储单元的数据匹配端口连接至一与门的不同输入端口，所述与门的输出端口连接至所述存储单元字线的数据匹配端口。
一种内容寻址存储器

[发明专利]一种预览文件的方法及文件处理系统-CN201410199197.6有效
发明人：黄骏 -专利权人：深圳市中博科创信息技术有限公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种预览文件的方法及文件处理系统，方法包括获取源文件；根据所述源文件，结合第一生成规则，生成所述源文件所对应的具有预览格式的预览文件，并将所述预览文件存储于存储单元中；接收预览所述源文件预览指令；根据预览指令，从所述存储单元读取所述源文件所对应的预览文件，并呈现所述预览文件。
一种预览文件方法处理系统

[发明专利]一种基于BRAM的迭代型NTT交错存储系统-CN202310710959.3在审
发明人：陈涧升;崔益军;牛万泽;刘伟强;王成华 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06F7/523 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于BRAM的迭代型NTT交错存储系统，包括蝶形运算单元、分布式ROM、第一地址控制单元、第二地址控制单元以及数据存储单元；第一BRAM单元和第二BRAM单元存储有预处理后的数据；分布式ROM存储旋转因子；第二地址控制单元按照起始点组的变化以及每组蝶形运算的点数，使得上下两路输入数据按照数论变换变化规则进入蝶形运算单元进行处理；第一地址控制单元用于将蝶形运算单元的运算结果存储至第一BRAM单元或者第二BRAM单元。本发明采用交错存取数据的方式，大大减少了NTT运算的总周期数，消除了存储单元之间存取数据消耗的时间，在整体存储方式上做出了优化。
一种基于 bram 迭代型 ntt 交错存储系统

[发明专利]存储单元和具有存储单元的存储设备-CN201410019475.5有效
发明人：李重在;孙京睦;高相基;金时雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储单元和具有存储单元的存储设备。该存储单元包括金属氧化物半导体（MOS）电容器，该金属氧化物半导体（MOS）电容器包括耦接到存贮节点的栅极和耦接到同步控制线的电极。
存储单元具有设备

[发明专利]非易失性存储器及其控制方法、存储系统-CN202210028399.9在审
发明人：刘红涛;赵向南;贾建权;蒋颂敏;崔莹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请提供了一种非易失性存储器及其控制方法、存储系统，所述非易失性存储器包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元组，每个所述存储单元组包括多个存储单元，所述方法包括：对所述存储串的部分存储单元组执行擦除再编程操作，其中，所述执行擦除再编程操作的存储单元组为第一存储单元组，所述存储串中未执行擦除再编程操作的存储单元组为第二存储单元组；以及在对选中的存储单元进行读操作时，对未选中的存储单元施加导通电压，其中，对所述第一存储单元组中的未选中的存储单元施加第一导通电压，对所述第二存储单元组中的未选中的存储单元施加第二导通电压，其中，所述第一导通电压大于所述第二导通电压。
非易失性存储器及其控制方法存储系统

[发明专利]使用来自多个存储单元和奇偶校验存储单元的可靠性信息为一个失效存储单元恢复数据-CN201810022790.1有效
发明人： A.雷;S.纳尔逊;Z.S.关;R.H.莫特瓦尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G11C29/52 文献下载
摘要：提供了使用来自多个存储单元和奇偶校验存储单元的可靠性信息为一个失效存储单元恢复数据的方法、系统和装置。在包括除了目标数据存储单元之外的数据存储单元和奇偶校验存储单元的存储单元中的每个中执行码字的解码操作以产生可靠性信息。响应于解码操作因为包括未能解码的除了目标数据存储单元之外的数据和/或奇偶校验存储单元的至少一个另外的失效存储单元而失败，获得所述至少一个另外的失效存储单元的数据部分的可靠性信息。从除了目标数据存储单元之外的存储单元获得的可靠性信息用于产生针对目标数据存储单元中的数据单元的经纠正的数据。
使用来自存储单元奇偶校验可靠性信息一个失效恢复数据

[发明专利]使用来自多个存储单元和奇偶校验存储单元的可靠性信息为一个失效存储单元恢复数据-CN201580045594.0有效
发明人： A.雷;S.纳尔逊;Z.S.关;R.H.莫特瓦尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供了使用来自多个存储单元和奇偶校验存储单元的可靠性信息为一个失效存储单元恢复数据的方法、系统和装置。在包括除了目标数据存储单元之外的数据存储单元和奇偶校验存储单元的存储单元中的每个中执行码字的解码操作以产生可靠性信息。响应于解码操作因为包括未能解码的除了目标数据存储单元之外的数据和/或奇偶校验存储单元的至少一个另外的失效存储单元而失败，获得所述至少一个另外的失效存储单元的数据部分的可靠性信息。从除了目标数据存储单元之外的存储单元获得的可靠性信息用于产生针对目标数据存储单元中的数据单元的经纠正的数据。
使用来自存储单元奇偶校验可靠性信息一个失效恢复数据

[发明专利]修复电路和存储器-CN202011124159.6在审
发明人：张良 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种修复电路和存储器，修复电路包括：多个冗余存储单元，每个冗余存储单元配置有一状态信号；修复模块，分别与多个冗余存储单元连接，用于根据多个状态信号，从多个冗余存储单元中确定出目标存储单元，并通过目标存储单元对缺陷存储单元进行修复；其中，目标存储单元与缺陷存储单元一一对应，修复模块能够在多个修复阶段分别对不同的缺陷存储单元进行修复，且多个修复阶段共用多个冗余存储单元。通过响应于冗余存储单元的状态信号，选择目标存储单元，并在多个修复阶段共用冗余存储单元，提高了对缺陷存储单元的修复率和修复灵活性，即，提供了一种修复灵活性和可靠性更高的修复电路。
修复电路存储器

[实用新型]修复电路和存储器-CN202022350793.3有效
发明人：张良 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种修复电路和存储器，修复电路包括：多个冗余存储单元，每个冗余存储单元配置有一状态信号；修复模块，分别与多个冗余存储单元连接，用于根据多个状态信号，从多个冗余存储单元中确定出目标存储单元，并通过目标存储单元对缺陷存储单元进行修复；其中，目标存储单元与缺陷存储单元一一对应，修复模块能够在多个修复阶段分别对不同的缺陷存储单元进行修复，且多个修复阶段共用多个冗余存储单元。通过响应于冗余存储单元的状态信号，选择目标存储单元，并在多个修复阶段共用冗余存储单元，提高了对缺陷存储单元的修复率和修复灵活性，即，提供了一种修复灵活性和可靠性更高的修复电路。
修复电路存储器

[发明专利]一种物联网设备监控规则引擎-CN201911305736.9在审
发明人：余新礼;靳云通;徐璀璀 -专利权人：昆明联诚科技股份有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种物联网设备监控规则引擎，包括规则引擎装置、强行停止单元、信息备份存储单元和危险操作录入单元，本发明涉及监控规则引擎技术领域。该物联网设备监控规则引擎，当指令触发时，通过强行停止单元中断指令，通过指令接收模块接收指令，并且通过反馈模块将指令反馈给控制核心，控制核心通过异常操作处理单元对异常操作进行记录，通过异常操作判别模块判别异常操作，通过异常操作分析模块进行分析，通过异常操作指令提取模块将指令提取，然后通过异常操作记录模块记录操作后发送到规则更改单元内，更改异常操作禁止指令，可以快速的对指令进行存储和更改，防止其下一次发生，可以快速的自动更新指令
一种联网设备监控规则引擎

[发明专利]一种用于采集纹理的智能装置-CN201810645120.5在审
发明人：周国萍 -专利权人：周国萍
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G06K9/20 文献下载
摘要：本发明涉及纹理采集领域的一种用于采集纹理的智能装置，其特征在于，包括纹理采集单元、处理单元、显示单元、存储单元；纹理采集单元与处理单元之间单向连接，处理单元与显示单元之间单向连接，存储单元与处理单元之间单向连接，存储单元包括第一子存储单元和第二子存储单元；第一子存储单元与存储单元之间双向连接，第二子存储单元与存储单元之间双向连接，第一子存储单元和第二子存储单元分别与处理单元之间单向连接；纹理采集单元用于采集野外纹理照片，处理单元用于采集信息，显示单元用于显示纹理采集的情况，存储单元用于存储野外纹理照片的信息；该发明能够放置在野外进行自动采集纹理，能够完全实现自动化，节约成本。
子存储单元处理单元存储单元纹理采集纹理单向连接野外双向连接智能装置采集采集信息自动采集存储自动化节约

[发明专利]一种存储装置及其操作方法、包括存储装置的存储系统-CN202210382690.6在审
发明人：刘红涛;闵园园;关蕾;黄莹;赵向南 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请提供一种存储装置及其操作方法、包括存储装置的存储系统。所述存储装置包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多条字线，每条所述字线对应一个存储单元集，每个所述存储单元集包括多个存储单元，所述方法包括：对所述存储装置中选定字线对应的第一存储单元集执行编程操作，使得所述第一存储单元集中的所述存储单元分别处于擦除状态和多个编程状态中的任意一种状态；在所述编程操作之后，对所述第一存储单元集中的第一存储单元子集执行擦除操作；所述第一存储单元子集为所述第一存储单元集中在编程操作后处于擦除状态的存储单元。
一种存储装置及其操作方法包括存储系统

[发明专利]行地址保留存储单元触发电路及行地址保留存储单元装置-CN200910211797.9有效
发明人：许人寿 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明公开一种行地址保留存储单元触发电路及行地址保留存储单元装置，该触发电路用来于第一或第二损坏存储单元存取时，分别触发行地址保留存储单元电路的对应存储单元。该判断电路根据所欲存取的存储单元与第一及第二损坏存储单元列地址的关系，产生判断信号以启动第一或第二比较电路。当第一比较电路启动时，比较欲存取的存储单元及第一损坏存储单元的行地址，若相同则触发该行地址保留存储单元电路对应的存储单元。当第二比较电路启动时，比较欲存取的存储单元及第二损坏存储单元的行地址，若相同则触发该行地址保留存储单元电路对应的存储单元。
地址保留存储单元触发电路装置

[发明专利]分布式文件存储系统的存储单元失效检测方法及装置-CN201410333913.5有效
发明人：李璐 -专利权人：深圳市中博科创信息技术有限公司
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种分布式文件存储系统的存储单元失效检测方法，方法包括：依次获取各个节点的存储单元的运行标识；在存储单元的运行标识获取失败时，记录该存储单元为失效存储单元，并继续获取该存储单元所在节点的其它存储单元的运行标识，或者，依次获取其它节点的存储单元的运行标识。本发明还公开了一种分布式文件存储系统的存储单元失效检测装置。本发明分布式文件存储系统的存储单元失效检测方法和装置，通过依次获取各个节点中存储单元的运行标识，以确定失效存储单元并记录，可以有效的检测出分布式文件存储系统的节点中的失效存储单元，以供用户及时对失效的存储单元进行维护，保证了分布式文件存储系统的可靠性。
分布式文件存储系统存储单元失效检测方法装置

[发明专利]具有包括伪晶体管的存储单元串的闪存装置-CN200910174045.X有效
发明人：姜明坤;朴起台 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种闪存装置，包括第一存储单元串和第二存储单元串，该第一存储单元串包括多个串联连接的存储单元、以及被配置为将所述串联连接的存储单元耦接到位线的第一和第二串联连接的伪晶体管，该第二存储单元串包括多个串联连接的存储单元、以及被配置为将所述串联连接的存储单元耦接到位线的第一和第二串联连接的伪晶体管。所述第一和第二存储单元串的第一伪存储单元具有与第一伪字线共同连接的栅极并具有不同的阈值电压，并且所述第一和第二存储单元串的第二伪存储单元具有与第二伪位线共同连接的栅极并具有不同的阈值电压。在一些实施例中，第一存储单元串的第一伪存储单元和第二存储单元串的第二伪存储单元可具有比预定电压大的阈值电压，并且第一存储单元串的第二伪存储单元和第二存储单元串的第一伪存储单元可具有比预定电压小的阈值电压
具有包括晶体管存储单元闪存装置