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[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制造方法-CN201510564000.9有效
发明人：许高博;殷华湘;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：依照本发明的隧穿FET及其制备方法，通过在袋区形成异质结，从而减小袋区与源区界面处能带间隙，提高载流子的隧穿几率，从而提高晶体管的驱动能力，同时通过采用具有铁电属性的栅介质层，利用铁电栅介质层的表面电势放大作用实现导通电流的进一步提高
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]一种单片层MXene的制备方法及其用于制备混合基质膜的用途-CN202211299609.4有效
发明人：饶小平;沈云鹏;李金杨;詹国武;姚阿延 -专利权人：华侨大学
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C01B32/90 文献下载
摘要：本发明利用黄腐酸钾盐分子结构，撑大b‑Ti3C2Tx的层间距，并能够增加每层粒子的表面电势
一种单片 mxene 制备方法及其用于混合基质用途

[发明专利]背照式光门型CMOS图像传感器-CN200710047404.6无效
发明人：苏林;黄其煜 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2007-10-25 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：另外两个NMOS晶体管读取悬浮扩散区的表面电势，将其放大后从信号输出端输出。接地端与硅体另外一侧相连。本发明消除了现有光门型图像传感器中的蓝光响应，提高输出图像的质量，且结构简单，方案易于实现。
背照式光门型 cmos 图像传感器

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201710986571.0有效
发明人：陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；缓冲层，形成于半导体衬底上；电势调节叠层结构，形成于缓冲层上，用于调节半导体衬底表面的电势，电势调节叠层结构包括形成于缓冲层上的第一电势调节层及形成于第一电势调节层上的第二电势调节层，其中，第一电势调节层包括高介电常数材料层，第二电势调节层包括导电材料层或高介电常数材料层。本发明通过在缓冲层上形成包括第一电势调节层及第二电势调节层的电势调节叠层结构，可以实现电势调节叠层结构与半导体衬底之间更大的功函数差，从而改变半导体衬底表面的电势，降低半导体衬底表面暗电流的发生，从而进一步抑制暗电流
半导体器件及其制备方法

[发明专利]实现介电聚合物陷阱表征的摩擦纳米发电机系统及方法-CN202310320914.5在审
发明人：胡陈果;吴汇源;刘文林 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：相比于需要昂贵且复杂的高压发生器、表面电势检测仪、开尔文探针力显微镜等仪器的传统绝缘介电材料陷阱状态表征方案，本发明的设计方案更简单、更灵活、成本更低、适用场景更广。
实现聚合物陷阱表征摩擦纳米发电机系统方法

[发明专利]纵向超结金属氧化物场效应晶体管-CN201310717932.3有效
发明人：刘侠;杨东林 -专利权人：西安芯派电子科技有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：型掺杂等势环的宽度大于第二P型填充阱区的宽度，呈间隔布置的P型掺杂等势环在晶体管的长度方向上分别一一对应的平行设置在第二P型填充阱区的正上方；P型掺杂区内设有N型掺杂区，并与第一P型填充阱区共同构成原胞源极区域C；优化了表面电势分布
纵向金属氧化物场效应晶体管

[发明专利]带异性电荷的PH响应性非球形聚合物微球的制备方法-CN201210052208.9有效
发明人：王戈;杨穆;陈瑜;高鸿毅;郭万春;吴强 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2012-03-01 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C08L39/08 文献下载
摘要：由于聚4-乙烯基吡啶经过酸溶液处理后会发生质子化，从而带正电荷，微球表面电势随着PH值的不同而发生变化，得到的产物为聚苯乙烯端带负电荷、聚4-乙烯基吡啶端带正电荷、并且具有PH响应性的聚合物微球。
异性电荷 ph 响应球形聚合物制备方法

[实用新型]纵向超结金属氧化物场效应晶体管-CN201320854677.2有效
发明人：刘侠;杨东林 -专利权人：西安芯派电子科技有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：型掺杂等势环的宽度大于第二P型填充阱区的宽度，呈间隔布置的P型掺杂等势环在晶体管的长度方向上分别一一对应的平行设置在第二P型填充阱区的正上方；P型掺杂区内设有N型掺杂区，并与第一P型填充阱区共同构成原胞源极区域C；优化了表面电势分布
纵向金属氧化物场效应晶体管

[发明专利]用于确定导电型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法-CN202210936141.9在审
发明人：李辉;陈小龙;王国宾;盛达;王文军 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01Q60/30 文献下载
摘要：本发明提供一种用于确定导电型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法，其包括如下步骤：(1)通过SKPFM测定导电型碳化硅晶片的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面分别与导电针尖的接触电势差，获得第一表面的接触电势差和第二表面的接触电势差；(2)将所述第一表面的接触电势差和第二表面的接触电势差进行比较；其中，如果所述第一表面的接触电势差大于第二表面的接触电势差，则所述第一表面为碳面，所述第二表面为硅面；如果所述第一表面的接触电势差小于第二表面的接触电势差，则所述第一表面为硅面，所述第二表面为碳面。
用于确定导电碳化硅晶片方法

[发明专利]热交换器、热交换器管部件、热交换器散热片部件以及制造热交换器的方法-CN200380102690.1有效
发明人：须藤隆司 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2003-10-28 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： C23F13/00 文献下载
摘要：假设热交换器的每个制冷剂管53在其周向的表面层部分53a具有电势A，在管53的除了该表面层部分53a之外的核心53b具有电势B，每个散热片54具有电势C，在管53和散热片54之间的钎焊部分处形成的焊脚59具有电势D。则这些电势之间的关系为A≤C≤D＜B。制冷剂管53的周向的表面层部分53a的电势A为－850到－800mV，管53的核心53b的电势B为－710到－670mV，散热片54的电势C为－850到－800mV，并且焊脚59的电势D为－850到－800mV
热交换器部件散热片以及制造方法

[发明专利]具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管-CN200710142217.6有效
发明人： P·帕里克;U·米施拉 -专利权人：美商克立股份有限公司
申请日： 2002-07-08 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明的一实施例是由费米能级(或表面电势)不固定的氮化镓材料系统制成的肖特基势垒二极管(10)。
具有正向电压反向电流操作氮化基底二极管

[发明专利]具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管-CN02817912.9有效
发明人： P·帕里克;U·米施拉 -专利权人：美商克立股份有限公司
申请日： 2002-07-08 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的一实施例是由费米能级(或表面电势)不固定的氮化镓材料系统制成的萧特基障壁二极管(10)。
具有正向电压反向电流操作氮化基底二极管

[发明专利]金属层功函数的检测方法及其检测系统-CN201710455900.9在审
发明人：王晓凤;袁可方 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种金属层功函数的检测方法及其检测系统，检测方法包括：提供基底，包括衬底、以及位于衬底上的待测金属层，衬底具有衬底功函数；提供输出功率至少为100瓦的光源；提供参比电极；关闭光源，获得待测金属层与参比电极之间的第一接触电势差；打开光源，对待测金属层表面进行照射，获得待测金属层与参比电极之间的第二接触电势差；根据第一接触电势差和第二接触电势差之间的差值，获得待测金属层的表面势垒电势差；根据衬底功函数和表面势垒电势差之间的差值本发明在检测第二接触电势差时，采用输出功率至少为100瓦的光源对待测金属层表面进行照射，从而消除金属层等电势屏蔽效应，进而提高待测金属层的功函数检测精度。
金属层功函数衬底电势光源参比电极检测金属层表面表面势垒检测系统输出功率电势差照射屏蔽效应种金属层等电势基底

[发明专利]航天器表面梯度电势模拟实验电路-CN201710251485.5有效
发明人：唐恩凌;韩雅菲;李振波 -专利权人：沈阳理工大学
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明航天器表面梯度电势模拟实验电路，包括稳压电源、二极管、靶板、电阻、电压探针、电流探针、接地、导线；本发明提供一种能够模拟航天器表面梯度电势的电路设计方案，该方案使不同带电靶板之间形成电势差，符合实际航天器表面带电情况，并且改变负载阻值即可调整不同靶板间的梯度电势。通过具体实验例证明本发明提出的方案可以有效模拟航天器表面的梯度电势，可重复性好，本发明实现了超高速碰撞条件下诱发的等离体子对航天器表面电磁特性影响的初步研究。
航天器表面梯度电势模拟实验电路

[发明专利]一种电池包上下壳体等电势结构-CN201910371604.X有效
发明人：何剑浩;占莉;赵继阳;黄文;王群智;李伟 -专利权人：威睿电动汽车技术（宁波）有限公司;浙江吉利控股集团有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01M50/24 文献下载
摘要：本发明属于车载电源技术领域，具体涉及一种电池包上下壳体等电势结构。它解决了现有电池包上下壳体之间不具有稳定的等电势的问题。本电池包上下壳体等电势结构，包括上壳体和下壳体，所述上壳体和下壳体表面具有电泳层，其特征在于：所述上壳体上设有能够刺破下壳体表面电泳层并与下壳体表面相接触的弹性接触片或所述下壳体上设有能够刺破上壳体表面电泳层并与上壳体表面相接触的弹性接触片本发明在电池包内部设置了等电势结构实现了电池包上卡壳体具有稳定的等电势。
一种电池上下壳体电势结构