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[发明专利]三维电极结构和具有电极结构的电池-CN201610885623.0有效
发明人： 赵庆勋;朴辉烈;梁好晶;郑熙树;南承勋;许晋硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：三维(3D)电极结构包括：电极集电板；多个活性材料板，设置在电极集电板上并且从电极集电板突出；以及分隔壁，布置在电极集电板上并且在平面图中基本上垂直于多个活性材料板从而提供多个活性材料板的结构稳定性，其中3D电极结构可以是彼此间隔开并且电解质层位于其间的两个电极结构之一。
三维电极结构具有电池

[发明专利]电池-CN202111087175.7在审
发明人： 赵庆勋;朴辉烈;许晋硕;梁好晶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：本发明提供一种电池。该电池包括：第一电极集流器层，具有板形状；多个第一活性材料层，电接触第一电极集流器层并基本上垂直于第一电极集流器层；导体层，电接触第一电极集流器层并插置在多个第一活性材料层中；第二活性材料层，包括平行于多个第一活性材料层且与多个第一活性材料层交替地布置的多个第一部分以及面对并平行于第一电极集流器层并从多个第一部分延伸的第二部分；和电解质层，设置在多个第一活性材料层与第二活性材料层的多个第一部分之间、多个第一活性材料层与第二活性材料层的第二部分之间、以及第二活性材料层的多个第一部分与第一电极集流器层之间。
电池

[发明专利]正极、包括所述正极的二次电池、和制备所述正极的方法-CN202110718978.1在审
发明人： 赵庆勋;南承勋;朴辉烈;梁好晶;郑熙树;许晋硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01M4/131 文献下载
摘要：本发明涉及正极、包括所述正极的二次电池、和制备所述正极的方法。正极包括正极集流体层、和在正极集流体层表面上的正极活性材料层。所述正极活性材料层包括具有基于锂的氧化物的多个晶粒的烧结的多晶材料，和多个晶粒各自包括晶种模板和在晶种模板周围的基体晶体，其中所述晶种模板是单晶并且具有板形状。
正极包括二次电池制备方法

[发明专利]具有高倍率性能和高能量密度的二次电池及其制造方法-CN201610012296.8有效
发明人： 赵庆勋;朴辉烈;许晋硕;梁好晶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：本发明提供一种二次电池及其制造方法。该二次电池包括：彼此面对的第一电极集流器层和第二电极集流器层；多个第一活性材料层，电接触第一电极集流器层并基本上垂直于第一电极集流器层；多个第二活性材料层，电接触第二电极集流器层并基本上垂直于第二电极集流器层；以及第一导体层，电接触第一电极集流器层并插入所述多个第一活性材料层中。
具有倍率性能高能量密度二次电池及其制造方法

[发明专利]正极、包括所述正极的二次电池、和制备所述正极的方法-CN201610245210.6有效
发明人： 赵庆勋;南承勋;朴辉烈;梁好晶;郑熙树;许晋硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明涉及正极、包括所述正极的二次电池、和制备所述正极的方法。正极包括正极集流体层、和在正极集流体层表面上的正极活性材料层。所述正极活性材料层包括具有基于锂的氧化物的多个晶粒的烧结的多晶材料，和多个晶粒各自包括晶种模板和在晶种模板周围的基体晶体，其中所述晶种模板是单晶并且具有板形状。
正极包括二次电池制备方法

[发明专利]能够改变打印纸输出方向的图像形成装置、电子装置及其图像形成方法-CN201880083949.9在审
发明人： 赵庆勋 -专利权人：惠普发展公司，有限责任合伙企业
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H04N1/387 文献下载
摘要：提供了图像形成装置和旋转生成的打印图像的方法。图像形成装置包括用于在打印纸上形成图像的打印引擎；以及处理器，用于：生成与打印数据相对应的打印图像；如果所述图像形成装置的默认输出定向与用户设置定向不同，则旋转生成的打印图像，以使得所生成的打印图像与用户设置定向相对应；并且控制打印引擎来打印旋转后的打印图像。
能够改变打印纸输出方向图像形成装置电子及其方法

[发明专利]一种纳米结构超导复合薄膜及其制备方法-CN201610114487.5有效
发明人：代秀红;刘保亭;付跃举;郭建新;周阳;关丽;赵庆勋 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米结构超导复合薄膜及其制备方法。本发明所提供的纳米结构超导复合薄膜是通过磁控与脉冲激光共沉积工艺将超导材料与非超导纳米材料共同沉积在基片上而形成；所述基片为SrTiO3、LaAlO3、MgO或柔性金属基带等；所述超导材料为REBa2Cu3O7‑x（RE=Y、Gd、Nd、Sm等稀土元素）或(LaSr)2CuO4等，所述非超导纳米材料为MgO、CeO2、Y2O3、BaZrO3和BaSnO3中的至少一种。本发明通过磁控和脉冲激光共溅射方法，在薄膜生长过程中实时调节磁控和激光溅射参数来实现对引入缺陷分布情况的控制，最终实现对超导复合薄膜微结构及超导性能调控的目的。
一种纳米结构超导复合薄膜及其制备方法

[发明专利]纳米结构多功能铁磁复合薄膜材料和制备方法-CN201410162403.6有效
发明人：刘保亭;贾艳丽;闫启庚;施健;李晓红;代秀红;郭建新;周阳;赵庆勋 -专利权人：河北大学
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米结构多功能铁磁复合薄膜材料及其制备方法，其制备采用磁控脉冲激光共溅射方法实现，本发明磁控脉冲激光共溅射装置的激光靶位选用纯度>99.95%的La_xN_1-xM_yO₃陶瓷激光靶材，在磁控靶位选择纯度>99.99%的Pt金属磁控靶材；应用脉冲激光轰击靶材时，La_xN_1-xM_yO₃靶材溅射物本身在缺氧的条件下会化学分解成磁性金属M和LaNMO₄电介质两种材料，该磁性金属材料再与磁控溅射的金属材料结合成磁性合金MPt，最终能够获得纳米多功能铁磁复合薄膜MPt:LaNMO₄。本发明可实现对纳米铁磁性复合薄膜磁学、光学、电学性能的调控，实现复合薄膜的多功能化。
纳米结构多功能复合薄膜材料制备方法

[发明专利]一种0-3型金属/陶瓷复合薄膜材料及其制备方法-CN201410145097.5有效
发明人：刘保亭;施健;代秀红;郭建新;李晓红;周阳;关丽;赵庆勋 -专利权人：河北大学
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种0-3型金属/陶瓷复合薄膜材料，其所含金属为Pt，所含陶瓷为Ni-Al-O；所述金属以1~200nm的颗粒状存在，金属与陶瓷材料的体积比为任意值。本发明同时还公开了其制备方法，其实采用磁控和脉冲激光共沉积的方法，通过连续沉积陶瓷层、不连续沉积金属层，然后经高温退火，获得金属/陶瓷复合薄膜材料，所制备的复合薄膜材料是一种很好的纳米光子学材料，具有在紫外至近红外区的吸收峰(100nm~2500nm)。
一种金属陶瓷复合薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种用于铜互连的导电阻挡层材料及其制备方法-CN201310399157.1有效
发明人：刘保亭;张磊;齐晨光;李晓红;代秀红;郭建新;周阳;赵庆勋;王英龙 -专利权人：河北大学
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜互连导电阻挡层材料及其制备方法，其采用磁控溅射法，在硅基片上依次集成非晶Nb-Ni导电阻挡层和Cu互联层。所述非晶Nb-Ni导电阻挡层的厚度为2~8000nm，优选为2~5nm，所述Cu互连层的厚度为5~8000nm，优选为5~150nm。本发明所制备的Cu/Nb-Ni/Si异质结不仅具有良好的热稳定性、抗氧化性，而且Nb-Ni阻挡层与Cu和Si之间具有良好的粘附性。Cu/Nb-Ni/Si异质结即使在高达800℃的情况下，仍能保持较低的电阻率，并且无Cu-Si化合物生成，显示出优良的阻挡性能。非晶Nb-Ni导电阻挡层的厚度最薄可至2nm，很好的满足了对22nm节点工艺要求。Nb-Ni作为新型的铜互连导电阻挡层材料，价格低廉，生产工艺简单，设备要求低，与半导体工艺可以很好的兼容，在大规模集成电路等方面具有广泛的应用前景。
一种用于互连导电阻挡材料及其制备方法

[发明专利]基于黑米的饮料组合物及其制备方法-CN201210135266.8有效
发明人：金正勋;金美廷;赵庆勋 -专利权人：熊津食品有限公司
申请日： 2012-05-02 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： A23L2/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于黑米的饮料组合物，基于组合物的总重量，包含5~6%（w/w）的黑米提取物、4~5%（w/w）的白米提取物以及1~5%（w/w）的植物奶油。所述饮料组合物营养丰富、成分新鲜、保留了烧焦的米饭的风味和颜色、并且含有提供充足的卡路里以作为膳食替代物的能量来源。
基于黑米饮料组合及其制备方法

[发明专利]用于硅基铁电电容器集成的一种阻挡层材料及集成方法-CN201310113877.7在审
发明人：刘保亭;郭建新;张磊;齐晨光;赵庆勋;代秀红;周阳;王英龙 -专利权人：河北大学
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅基铁电电容器集成的阻挡层材料及集成方法，以Ni-Nb做导电阻挡层材料，在硅衬底上生长非晶Ni-Nb薄膜，进而在所述非晶Ni-Nb薄膜上原位生长氧化物电极薄膜材料，在此基础上进一步完成铁电电容器的集成。采用本发明方法所制备的硅基铁电电容器，其非晶Ni-Nb薄膜导电阻挡层的组织致密，与硅衬底的粘附性好，具有良好的热稳定性和化学稳定性，特别是在经历高温退火处理后仍能保持良好的抗氧化能力和高的电导率，在Ni-Nb薄膜与硅衬底和氧化物电极薄膜之间的界面处均无氧化或化学反应现象发生，Ni-Nb薄膜表现出优异的阻挡性能，在大规模集成电路中有很大的应用前景。
用于硅基铁电电容器集成一种阻挡材料方法

[发明专利]一种Cu与铁性氧化物功能薄膜集成的方法-CN201010598957.2无效
发明人：刘保亭;陈剑辉;边芳;赵庆勋;郭庆林;王英龙 -专利权人：河北大学
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu与金属氧化物铁性薄膜的集成方法，它是以半导体材料为衬底，构成Ni-Al/半导体衬底异质结构层；再依次构架Cu/Ni-Al/半导体衬底异质结构层；Ni-Al/Cu/Ni-Al/半导体衬底异质结构、金属氧化物电极/Ni-Al/Cu/Ni-Al/半导体衬底异质结构、Pb(ZrXTi1-X)O3/金属氧化物电极/Ni-Al/Cu/Ni-Al/半导体衬底结构、金属氧化物电极/Pb(ZrXTi1-X)O3/金属氧化物电极/Ni-Al/Cu/Ni-Al/半导体衬底异质结构、Pt/金属氧化物电极/Pb(ZrXTi1-X)O3/金属氧化物电极/Ni-Al/Cu/Ni-Al/半导体衬底结构，在500-700℃下快速退火1-30min。由此克服了Cu与金属氧化物薄膜的集成过程中Cu与氧化物薄膜的直接接触，继而解决了Cu在高温生长过程中的氧化、扩散、反应以及多层膜的应力问题。
一种 cu 氧化物功能薄膜集成方法

[实用新型]一种磁控和脉冲激光共沉积装置-CN200920101609.2有效
发明人：刘保亭;李晓红;赵庆勋;郭庆林;王英龙 -专利权人：河北大学
申请日： 2009-02-23 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种磁控和脉冲激光共沉积装置，其特征在于：在一个真空腔体中设置有磁控溅射靶材和脉冲激光沉积靶材和一个共用的样品台，样品台上固定沉积基片，真空腔体上开设石英窗，真空腔体外设置有用于脉冲激光沉积的激光器；磁控溅射靶材的调位机构；脉冲激光沉积靶材的转动控制机构和样品台的转动控制机构。本实用新型可以在同一套物理气相沉积系统中同时进行磁控溅射和脉冲激光沉积，充分发挥磁控溅射和脉冲激光沉积各自的优势，利用磁控溅射生长纳米薄膜结构，且在其生长的过程中利用脉冲激光沉积共溅射出一些零维或一维的纳米结构，从而实现零-三维或一-三维纳米复合纳米结构的生长。
一种脉冲激光沉积装置

[发明专利]一种用于铜互连的导电阻挡层材料及制备方法-CN200810054756.9无效
发明人：刘保亭;马良;邢金柱;霍骥川;边芳;赵庆勋;郭庆林;王英龙 -专利权人：河北大学
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ti－Al二元合金薄膜，然后在Ti－Al二元合金薄膜上原位生长Cu薄膜制成。本发明利用Ti－Al材料同Si和Cu具有良好的热力学稳定性；非晶的Ti－Al薄膜不存在扩散通道，可以有效避免Cu生长过程中向硅衬底的扩散；Ti－Al薄膜具有成本低、热力学稳定性好、同Si衬底粘附性好、导电性良好、熔点高等特点。研究发现应用磁控溅射法制备的非晶态的Ti－Al薄膜可以避免Cu和Si在高温退火时发生反应，起到用于铜互连的阻挡层的功能。本发明易于控制、设备要求低、可以与半导体工艺兼容，广泛应用于微电子领域。
一种用于互连导电阻挡材料制备方法

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