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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710185901.6有效
发明人：篠原正昭 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：当通过使用后栅工艺并用金属栅极电极替换伪栅极电极来形成MISFET时，对控制栅极电极和伪栅极电极之上的相应的帽绝缘膜和层间绝缘膜两者进行抛光，以防止层间绝缘膜的上表面的过量抛光及凹坑的发生。在后栅工艺中，形成层间绝缘膜以覆盖控制栅极电极和伪栅极电极以及位于其之上的帽绝缘膜。在层间绝缘膜的上表面被抛光以使帽绝缘膜从层间绝缘膜暴露之后，执行蚀刻以选择性地去除帽绝缘膜。随后，对层间绝缘膜的上表面进行抛光。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]发光模块-CN201680073338.7有效
发明人：卷圭一 -专利权人：东芝北斗电子株式会社
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实施方式的发光模块具备：第1绝缘膜，具有透光性；导体层，设于第1绝缘膜；第2绝缘膜，与第1绝缘膜对置而配置；多个发光元件，配置在第1绝缘膜与第2绝缘膜之间，在一面上具有与导体层连接的一对电极；基板，与第1绝缘膜连接，形成有与导体层连接的电路。
发光模块

[发明专利]发光模块-CN202010552919.7有效
发明人：卷圭一 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实施方式的发光模块具备：第1绝缘膜，具有透光性；导体层，设于第1绝缘膜；第2绝缘膜，与第1绝缘膜对置而配置；多个发光元件，配置在第1绝缘膜与第2绝缘膜之间，在一面上具有与导体层连接的一对电极；基板，与第1绝缘膜连接，形成有与导体层连接的电路。
发光模块

[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法-CN201280023455.4无效
发明人：穗永美纱子;增田健良 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：栅电极（50）包括：与栅极绝缘膜（41）接触的多晶硅膜（51）；设置在多晶硅膜（51）上的阻挡膜（52）；以及设置在阻挡膜（52）上且由高熔点金属构成的金属膜（53）。层间绝缘膜（42）被设置为覆盖栅极绝缘膜（41）以及设置在栅极绝缘膜（41）上的栅电极（50）。此外，层间绝缘膜（42）具有衬底接触孔（SH），通过衬底接触孔（SH）在与栅极绝缘膜（41）接触的区域中部分地暴露碳化硅衬底（30）。互连（71）经由衬底接触孔（SH）电连接碳化硅衬底（30），并且借助层间绝缘膜（42）与栅电极（50）电绝缘。
碳化硅半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体元件及使用该半导体元件的显示器件-CN03110347.2有效
发明人：村上智史;早川昌彦;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-04-09 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种半导体元件，包括：具有有源层的半导体、与半导体接触的栅极绝缘膜、通过栅极绝缘膜与有源层相对的栅电极、在有源层上形成的第一氮化物绝缘膜、在第一氮化物绝缘膜上形成的光敏有机树脂膜、在光敏有机树脂膜上形成的第二氮化物绝缘膜，以及在第二氮化物绝缘膜上提供的布线，其中在光敏有机树脂膜中提供第一开口部分，第一开口部分的内壁表面由第二氮化物绝缘膜覆盖，在包含栅极绝缘膜、第一氮化物绝缘膜和位于第一开口部分内的第二氮化物绝缘膜的叠层膜中提供第二开口部分
半导体元件使用显示器件

[实用新型]用于微型麦克风的组合绝缘膜环-CN200820164191.5无效
发明人：方希佳;黄磊波 -专利权人：方希佳;黄磊波
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于微型麦克风的组合绝缘膜环。用于微型麦克风的组合绝缘膜环包括绝缘垫圈、膜环、绝缘层，在膜环外侧壁设有绝缘层，在膜环的振动膜端面设有绝缘垫圈，膜环包括连接环、振动膜，在连接环的端面设有振动膜。本实用新型将绝缘圈、膜环和绝缘垫圈三个部件制成一体，有效的克服了该类产品尺寸小，重量轻，操作困难的问题，通过将绝缘垫圈贴到振动膜上，省略了人工装绝缘垫圈这个最难操作的生产工序，提高了工效，避免了人工操作时一次装入多个绝缘垫圈的问题同时增大了膜环的壁厚，增加了贴振动膜的工作面，同时增大了振动膜的面积，提高了贴振动膜的效率和品质，省略了绝缘圈的制造和组装工序，进一步降低制作成本。
用于微型麦克风组合绝缘

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置-CN201510568466.6有效
发明人：大桥直史;中山雅则;须田敦彦;丰田一行;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：该方法具有：研磨衬底的工序，衬底在具有多个布线用槽的第一绝缘膜上形成有金属膜；在衬底上形成第二绝缘膜的工序；第二绝缘膜研磨工序；接收第二绝缘膜的衬底面内的膜厚分布数据的工序；基于膜厚分布数据计算处理数据的工序，所述处理数据通过调节形成于研磨后的第二绝缘膜上的第三绝缘膜的膜厚分布来修正由研磨后的第二绝缘膜和第三绝缘膜形成的层合绝缘膜的膜厚分布；和基于处理数据、以使得生成于衬底中心侧的处理气体的活性种浓度和生成于衬底外周侧的处理气体的活性种浓度不同的方式使处理气体活化并形成第三绝缘膜、修正层合绝缘膜膜厚分布的工序。
半导体器件制造方法衬底处理系统装置

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202111338049.4在审
发明人：松本悟 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在半导体衬底上形成绝缘膜GF1，并且在绝缘膜GF1上形成硅膜PS1。去除晶体管形成区1C中的硅膜PS1和绝缘膜GF1，并且留下晶体管形成区1B中的硅膜PS1和绝缘膜GF1。在晶体管形成区1C中的半导体衬底上形成绝缘膜GF2。在绝缘膜GF2和硅膜PS1上形成含Hf膜HA，并且在含Hf膜HA上形成硅膜PS2。然后，通过图案化硅膜PS2来形成栅极电极GE2，并且通过图案化硅膜PS1来形成栅极电极GE1。栅极电极GE下方的栅极绝缘膜TF1由绝缘膜GF1形成，并且栅极电极GE2下方的栅极绝缘膜TF2由绝缘膜GF2和含Hf膜HA形成。
制造半导体器件方法

[发明专利]铁电存储器件及其制造方法-CN200610087761.0有效
发明人：林孝尚 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2006-05-30 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：具有半导体基板(11)、第1绝缘膜(30)、贯穿第1绝缘膜的多个第1及第2栓塞(34)及(36)、导电性氢阻挡膜(32)、铁电电容器结构体(40)、覆盖铁电电容器结构体的第1绝缘性氢阻挡膜(41)、第2绝缘膜(43)、在第2绝缘膜上延伸的局部布线(45)、覆盖局部布线的第2绝缘性氢阻挡膜(47)、第3绝缘膜(50)、贯穿第3绝缘膜并与导电性氢阻挡膜连接的第3栓塞(52)、在第3绝缘膜上延伸的第1布线层
存储器件及其制造方法

[发明专利]功率用半导体装置及其制造方法-CN201210316489.4无效
发明人：小林仁 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：功率用半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层（2）、场绝缘膜（6）、场板电极（7）、第一绝缘膜（8）、导电体（9）、第二绝缘膜（11）、栅极绝缘膜（10）以及栅电极（12）。场板电极（7）隔着场绝缘膜（6）设置在第一半导体层（2）的沟槽（5）内。第一绝缘膜（8）设置在场板电极（7）上，与场绝缘膜（6）一起包围场板电极（7）。导电体（9）设置在第一绝缘膜（8）上，与场板电极（7）绝缘。栅电极（12）设置在场绝缘膜（6）的上端上，隔着第二绝缘膜（11）与导电体邻接，并隔着栅极绝缘膜（10）设置在沟槽（5）内。
功率半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200880021052.X有效
发明人：家田义纪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-06-12 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件具有：岛状半导体膜，该岛状半导体膜在绝缘表面上形成，且包括沟道形成区和高浓度杂质区；在岛状半导体膜上形成的隧穿绝缘膜；在隧穿绝缘膜上形成的浮置栅极；在浮置栅极上形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成的控制栅极；以及在隧穿绝缘膜与浮置栅极之间形成的第一绝缘膜。第一绝缘膜由浮置栅极的材料的氧化膜形成，因此防止浮置栅极的材料扩散到隧穿绝缘膜中。
半导体器件

[发明专利]隔离器-CN202210048378.3在审
发明人：山田雅基 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明实施方式的隔离器具备第一导体、第二导体和第一～第三绝缘膜。上述第一绝缘膜设置于上述第一导体与上述第二导体之间，包含硅、氧和氮。上述第二绝缘膜设置于上述第一导体与上述第一绝缘膜之间，包含硅和氧，进一步包含比上述第一绝缘膜的上述氮的组成比小的组成比的氮、或不含氮。上述第一绝缘膜在从上述第一导体朝向上述第二导体的第一方向上，具有上述第二导体与上述第二绝缘膜之间的第一膜厚，上述第二绝缘膜具有比上述第一膜厚薄的上述第一方向的第二膜厚。上述第三绝缘膜设置于上述第一导体与上述第二绝缘膜之间，具有比上述第一膜厚薄的上述第一方向的第三膜厚，具有与上述第一绝缘膜的组成及上述第二绝缘膜的组成不同的组成。
隔离器

[发明专利]具有低介电膜的半导体器件及其制造方法-CN01808741.8无效
发明人：前川薰;杉浦正仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2001-04-26 - 公布日： 2003-06-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一绝缘膜上淀积第二绝缘膜，在第二绝缘膜中形成图形以在其中形成一个开口，以及利用第二绝缘膜作为一个蚀刻掩模来蚀刻第一绝缘膜，其中，将一低介电膜用作第二绝缘膜。
具有低介电膜半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN00101058.1无效
发明人：大谷久;安达广树;宫永昭治;高山彻 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-12-02 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，它包括：半导体层，它有至少第一杂质区、第二杂质区以及绝缘表面上的沟道形成区；栅极绝缘膜，它与半导体层相邻；栅电极，它与栅极绝缘膜相邻；第一绝缘膜，它形成于整个绝缘表面、半导体层、栅极绝缘膜和栅电极上面；第二绝缘膜，它包括一种有机树脂，并形成于第一绝缘膜上面；电极，它形成于第二绝缘膜上，并与第一杂质和第二杂质区中的一个杂质区相接；以及，象素电极，它形成于第二绝缘膜上面。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110857054.X在审
发明人：山中孝纪;藤冢良太;岸宽贵 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能适当地形成与层叠膜有关的绝缘材料的半导体装置及其制造方法。一个实施方式的半导体装置具有：交替地包括多个电极层和多个绝缘层的层叠膜；隔着第1绝缘膜而设置于所述层叠膜的侧面的电荷蓄积层；以及隔着第2绝缘膜而设置于所述电荷蓄积层的侧面的半导体层。所述装置还具有：设置于所述电极层与所述绝缘层之间、以及所述电极层与所述第1绝缘膜之间的第3绝缘膜；以及包含碳、锗、锡、铝、磷或砷的第1膜，该第1膜设置于所述第3绝缘膜与所述绝缘层之间、以及所述第3绝缘膜与所述第1绝缘膜之间中的至少任一方。
半导体装置及其制造方法

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