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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体激光器-CN200910002480.4无效
发明人：中川康幸;蔵本恭介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：在射出激光的前端面形成了镀膜的GaN类的半导体激光器中，镀膜包括与前端面相接的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，对于半导体激光器的激光波长λ，第一绝缘膜和第二绝缘膜的光学膜厚之和为λ/4的奇数倍，第一绝缘膜对GaN的密合性强于第二绝缘膜，第一绝缘膜的折射率为1.9以下，第二绝缘膜的折射率为2～2.3。
半导体激光器

[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置-CN201610584634.5在审
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;冈崎健一;神长正美;井口贵弘;后藤尚人 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：晶体管包括第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的栅电极；与第二绝缘膜的侧面接触的金属氧化膜；以及氧化物半导体膜、栅电极以及金属氧化膜上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括重叠于栅电极的沟道区域；与第三绝缘膜接触的源区域；以及与第三绝缘膜接触的漏区域。源区域及漏区域包含如下一种以上氢、硼、碳、氮、氟、磷、硫、氯、钛、稀有气体。
半导体装置以及包括显示装置

[发明专利]用于制造电绝缘材料的方法、电绝缘材料以及电机-CN201180045734.6在审
发明人： C.赛德尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01B3/30 文献下载
摘要：本发明的用于制造电绝缘材料（5,6,7）的方法具有步骤：提供液晶聚合物；以如下方式将液晶聚合物成形为绝缘膜：液晶聚合物的中间相存在于所述绝缘膜中，由此聚合物的分子在所述绝缘膜中在优选方向上定向；将多个绝缘膜层压成构成所述电绝缘材料（5,6,7）的层复合体，其中所述层复合体具有至少一个绝缘膜，所述绝缘膜在其分子的优选方向方面与其他绝缘膜的分子的优选方向不同。
用于制造绝缘材料方法以及电机

[发明专利]一种风热PTC自动卷膜穿管机及其工作方法-CN202210187717.6有效
发明人：黄启焜;邱宇驰 -专利权人：福建坤华智能装备有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B26D1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种风热PTC自动卷膜穿管机及其工作方法，包括绝缘膜输送部件、发热芯体上料部件、进膜部件、卷绕裁切部件、铝管上料部件、穿管部件和自动下料部件，绝缘膜输送部件将绝缘膜输送至进膜部件的平台上，发热芯体上料部件将发热芯体搬运至进膜部件平台上的绝缘膜上方，进膜部件将发热芯体与绝缘膜夹紧后输送至卷绕裁切部件中，卷绕裁切部件用于裁切绝缘膜、将绝缘膜卷绕于发热芯体外部、再将卷绕好绝缘膜的发热芯体输送至穿管部件中，铝管上料部件用于将铝管按要求输送至穿管工位，由穿管部件将卷绕好绝缘膜的发热芯体套入铝管中
一种 ptc 自动卷膜穿管机及其工作方法

[发明专利]低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件-CN03128623.2无效
发明人：中川秀夫;笹子胜 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-04-28 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。
介电常数绝缘形成用材方法半导体器件

[发明专利]包括绝缘膜的半导体器件及其制造方法-CN97120672.4无效
发明人：水原秀树;渡辺裕之;児岛则章 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 1997-09-06 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：提高有两层结构的绝缘膜之间的粘接强度，改善平面化和膜特性的半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法中，在半导体衬底上形成至少有上下层的两层结构的绝缘膜。以后，在杂质至少到达上下绝缘膜之间的界面的条件下给上层绝缘膜引入杂质。使上下绝缘膜之间的粘接强度提高，上层绝缘膜不易剥离。
包括绝缘半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02126951.3无效
发明人：梅本武 -专利权人：夏普公司
申请日： 2002-07-24 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件包括下层互连层；形成有到达下层互连层的连接孔的层间绝缘膜；和被掩埋在连接孔中的上互连层，其中层间绝缘膜包括含有用于检测第一刻蚀结束点的杂质的绝缘膜、第一绝缘膜、含有用于检测第二刻蚀结束点的杂质的绝缘膜和第二绝缘膜，这四层膜按顺序叠加。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202011128239.9在审
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;神长正美;黑崎大辅 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该晶体管包括栅电极、栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极和漏电极、源电极上的第三绝缘膜以及漏电极上的第四绝缘膜。在晶体管上设置有包括氧的第五绝缘膜。第三绝缘膜包括第一部分，第四绝缘膜包括第二部分，第五绝缘膜包括第三部分。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置以及具有该半导体装置的显示装置-CN201580010830.5有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;神长正美;黑崎大辅 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该晶体管包括栅电极、栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极和漏电极、源电极上的第三绝缘膜以及漏电极上的第四绝缘膜。在晶体管上设置有包括氧的第五绝缘膜。第三绝缘膜包括第一部分，第四绝缘膜包括第二部分，第五绝缘膜包括第三部分。
半导体装置以及具有显示装置

[实用新型]一种绝缘挠性覆铜膜-CN201921407915.9有效
发明人：余鹏飞;余家明;陶云鹏;余月霞;周才民 -专利权人：湖北恒驰电子科技有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： B32B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘挠性覆铜膜，包括绝缘膜层、散热薄层、挠性基膜层和铜箔薄层，所述绝缘膜层下设置有散热薄层，且绝缘膜层连接在散热薄层的上表凸面，并且绝缘膜层通过粘合膜层固定在散热薄层上，所述散热薄层下固定有挠性基膜层，且散热薄层的下表凹面连接在挠性基膜层上表面，所述挠性基膜层下设置有铜箔薄层，且绝缘膜层通过粘合膜层设置在铜箔薄层下，所述散热薄层中设置有散热孔，且散热孔的上表面连接在绝缘膜层下。该绝缘挠性覆铜膜设置有散热薄层，且散热薄层为凹凸形设置在挠性基膜层上，避免了绝缘挠性覆铜膜使用过程中温度升高导致电子元件产生损坏的情况，并且增加了绝缘挠性覆铜膜使用方式的多样性。
一种绝缘挠性覆铜膜

[发明专利]有源矩阵液晶显示装置-CN200510054527.3无效
发明人：山崎舜平;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1993-05-29 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：提供了一种具有显示电路和驱动电路的有源矩阵液晶显示装置，包括：包含形成在衬底上的氮化硅的第一绝缘膜；包含形成在所述第一绝缘膜上的氧化硅的第二绝缘膜；形成在所述第二绝缘膜上的半导体膜；形成在所述半导体膜上的栅绝缘膜；以及形成在所述栅绝缘膜上的栅电极，其中所述半导体膜含有浓度为7×10¹⁹原子/立方厘米的碳或氧或氮。
有源矩阵液晶显示装置

[发明专利]半导体器件-CN200510078018.4无效
发明人：岛津博美;岩崎富生;太田裕之;石川宪輔;井上修;大岛隆文 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-06-10 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：在半导体衬底上的绝缘膜上形成的多层布线结构中，布线结构为：以与以铜为主要构成材料构成的第一布线的上表面相接的方式，从下依次至少层叠阻挡性高且具有压缩应力的第一绝缘膜、具有拉伸应力的第二绝缘膜、比上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜介电常数低的第三绝缘膜，设置通孔以便贯通上述第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜并与上述第一布线连接。
半导体器件

[实用新型]汇流排绝缘结构-CN202020226188.2有效
发明人：唐泳聪;郭耿洪;侯永坤;江吉兵;刘金成 -专利权人：湖北亿纬动力有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01M2/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池技术领域，公开一种汇流排绝缘结构，其包括：汇流排，包括若干个汇流排本体；第一阻燃绝缘膜，汇流排安装在第一阻燃绝缘膜上；第二阻燃绝缘膜，其与第一阻燃绝缘膜相连，以使汇流排夹设于第一阻燃绝缘膜和第二阻燃绝缘膜之间本实用新型的汇流排绝缘结构的第一阻燃绝缘膜和第二阻燃绝缘膜具有质量低、成本低、体积小且能够防火的优点，使得电池的总质量降低，即单位质量的电池的所能储存的能量增多，电池的能量密度增大，进而增强了该汇流排绝缘结构的适用性
汇流绝缘结构

[发明专利]半导体装置-CN202010692943.0在审
发明人：岛行德;大野正胜;重信匠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层以及第一导电层。半导体层、第二绝缘层以及第一导电层依次层叠在第一绝缘层上。第一绝缘层具有依次层叠有第一绝缘膜、第二绝缘膜以及第三绝缘膜的叠层结构。第二绝缘层包含氧化物。第三绝缘膜具有接触于半导体层的部分。第一绝缘膜包含硅及氮。第二绝缘膜包含硅、氮及氧。第三绝缘膜包含硅及氧。半导体层包含铟及氧。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810348811.9在审
发明人：门岛胜;井上真雄 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：为了改善半导体器件的性能，半导体器件包括在半导体基板上方的绝缘膜部。绝缘膜部包括包含硅和氧的绝缘膜、包含硅和氮的第一电荷存储膜、包含硅和氧的绝缘膜、包含硅和氮的第二电荷存储膜以及包含硅和氧的绝缘膜。第一电荷存储膜由两个电荷存储膜构成。
半导体器件电荷存储膜绝缘膜绝缘膜部半导体基板制造

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