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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200580051740.7有效
发明人：菊池秀明;永井孝一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：半导体器件的制造方法包括：在硅衬底30上形成第一绝缘膜45的工序；在第一绝缘膜45上形成电容器Q的工序；形成覆盖电容器Q的第二绝缘膜55的工序；在第二绝缘膜55上形成金属布线65的工序；形成第一电容器保护绝缘膜66的工序，该第一电容器保护绝缘膜覆盖金属布线65和第二绝缘膜55；在金属布线65的旁边形成绝缘侧壁67a的工序；在绝缘侧壁67a上形成第三绝缘膜68的工序；以绝缘侧壁67a的蚀刻速度比第三绝缘膜68的蚀刻速度慢的条件蚀刻第三绝缘膜
半导体器件及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN201480058364.3在审
发明人：久保田大介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该显示装置包括第一衬底上的晶体管、与晶体管接触的无机绝缘膜以及与无机绝缘膜接触的有机绝缘膜。该晶体管包括第一衬底上的栅电极、与栅电极重叠的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜的一个表面接触的栅极绝缘膜以及与氧化物半导体膜接触的一对电极。无机绝缘膜与氧化物半导体膜的另一个表面接触。有机绝缘膜隔着无机绝缘膜与氧化物半导体膜重叠并被分离。另外，有机绝缘膜的厚度优选大于或等于500nm且小于或等于10μm。
显示装置

[发明专利]动态随机存取存储器件中的场效应晶体管和存储单元的制造方法-CN01125249.9无效
发明人：成田薰 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1996-10-14 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在半导体衬底上配置绝缘膜,该绝缘膜有设置于半导体衬底的预定区域上的开口,在绝缘膜之上设置第一多晶硅膜。与第一多晶硅膜相接触地设置第二多晶硅膜。选择地设置栅绝缘膜,它在半导体衬底的预定区域上延伸,并在第二多晶硅膜和围绕第二多晶硅膜的那部分第一多晶硅膜上延伸。在栅绝缘膜上设置栅极,在栅绝缘膜下限定复合沟道区,使其延伸过栅绝缘膜下的第一和第二多晶硅膜以及栅绝缘膜下的半导体衬底。在第一多晶硅膜中选择地设置源区和漏区,使源区和漏区通过复合沟道区相连。
动态随机存取存储器中的场效应晶体管存储单元制造方法

[发明专利]一种采用DLC的有机电致发光器件-CN201510548583.6在审
发明人：田朝勇;郎丰伟 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用DLC的有机电致发光器件，包括基板和绝缘膜；所述设有间隔的设有绝缘膜；所述绝缘膜采用DLC来形成；所述绝缘膜置于有机发光器件的分离区域。本发明的有益效果在基板的区域上形成DLC材质的绝缘膜图形，采用黑色的DLC绝缘物质置于有机电致发光器件的分离区域，得到绝缘膜图形。这样的话，可以同时做传统的绝缘膜形状和黑矩阵或传统的阴极隔离柱和黑矩阵的作用。
一种采用 dlc 有机电致发光器件

[发明专利]半导体器件制造方法-CN200410078515.X无效
发明人：有田浩二;松田明浩;长野能久;那须徹;藤井英治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1996-06-21 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下列工序：在半导体基片上形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成由上电极、电容绝缘膜、以及下电极所组成的电容元件的工序，形成所述电容元件的工序包括下列工序：在所述绝缘膜上形成下电极膜的工序；通过蚀刻所述下电极膜形成所述下电极的工序；在所述下电极上形成由强电介质材料制成的电容绝缘膜的工序；在所述电容绝缘膜上形成上电极膜的工序；通过利用上电极形成用掩模对所述上电极膜进行蚀刻，形成所述上电极的工序；以及利用所述电容绝缘膜的端部比所述上电极端部大0.1μm以上的电容绝缘膜用掩模对所述电容绝缘膜进行干式蚀刻的工序。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200580050917.1有效
发明人：高桥诚;永井孝一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-07-05 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：在本发明中，通过CMP法等使下层绝缘膜(55)的表面平坦化，在该下层绝缘膜(55)上形成上层绝缘膜(56)和金属保护膜(59)。因此，上层绝缘膜(56)和金属保护膜(59)形成为覆盖率良好的状态，能够使上层绝缘膜(56)和金属保护膜(59)最大限度地发挥对水分及氢的遮蔽功能。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]动力电池绝缘膜和底托板组件和动力电池-CN202022457819.4有效
发明人：杜瑞平;段栋 -专利权人：欣旺达电动汽车电池有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01M50/474 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种动力电池绝缘膜和底托板组件和动力电池，属于电池技术领域。一种动力电池绝缘膜和底托板组件，包括绝缘膜和底托板，绝缘膜设有贯穿绝缘膜的第一通孔；底托板与绝缘膜层叠设置，底托板上设有贯穿底托板的第二通孔，第二通孔与第一通孔相连通，第二通孔远离绝缘膜的一侧的孔径大于第二通孔靠近绝缘膜一侧的孔径上述动力电池绝缘膜和底托板组件具有安全性较高且电解液浸润效果较好的优点。
动力电池绝缘底托板组件

[发明专利]带有绝缘被膜的电磁钢板-CN201480029665.3有效
发明人：佐志一道;村松直树;藤林亘江;洼田隆广 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C23C22/00 文献下载
摘要：本发明提供一种耐腐蚀性、粘附性优良的带有绝缘被膜的电磁钢板。一种带有绝缘被膜的电磁钢板，其具有电磁钢板和在电磁钢板上形成的绝缘被膜，绝缘被膜含有Zr和Fe，Zr的含量以ZrO2换算为0.05～1.50g/m2，Zr和Fe的含有比例以摩尔比(绝缘被膜中的Fe量(摩尔)/绝缘被膜中的Zr量(摩尔))计为0.10～2.00。优选绝缘被膜还含有Si，并且Zr和Si的含有比例以摩尔比(绝缘被膜中的Si量(摩尔)/绝缘被膜中的Zr量(摩尔))计为2.00以下。
带有绝缘电磁钢板

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010758272.3在审
发明人：野口将希;高岛章 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：根据一个实施方式，半导体装置具备交替包含多个电极层与多个绝缘层的层叠膜。所述装置还具备依序设在所述层叠膜内的第1绝缘膜、电荷蓄积层、第2绝缘膜及半导体层。所述装置还具备第3绝缘膜，所述第3绝缘膜是在所述层叠膜内，设在所述电极层与所述绝缘层之间、及所述电极层与所述第1绝缘膜之间，且包含α结晶相的氧化铝膜。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法-CN200910128789.8无效
发明人：石原贵光;村冈浩一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面，提供一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体衬底；源区和漏区，其形成在该半导体衬底中，彼此分离并限定它们之间的沟道区；形成在沟道区上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的绝缘电荷存储膜；形成在绝缘电荷存储膜上使得在沟道方向上比绝缘电荷存储膜短的导电电荷存储膜；形成在导电电荷存储膜上的层间绝缘膜；和形成在层间绝缘膜上的栅电极。
非易失性半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610095751.1有效
发明人：堀田胜彦;屉原乡子;早水太一;河野祐一 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-07-04 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：为了改进具有利用大马士革技术形成的熔丝的半导体器件的可靠性，在第四层布线和熔丝上方淀积阻挡绝缘膜和层间绝缘膜。该阻挡绝缘膜与位于下方的阻挡绝缘膜一样是一种用于防止Cu的扩散并且由通过等离子体CVD淀积的SiCN膜组成的绝缘膜。覆盖熔丝的该阻挡绝缘膜的厚度大于位于下方的阻挡绝缘膜的厚度，使得改进熔丝的耐潮性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111299113.2在审
发明人：黑田亮太;松浦仁 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：将沟槽栅极电极和栅极焊盘电连接的内置电阻器由导电膜形成，该导电膜经由绝缘膜形成在半导体衬底上。此处，绝缘膜的膜厚度大于沟槽内的绝缘膜的膜厚度，并且小于作为场氧化膜的绝缘膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种石墨烯加热膜封装结构-CN202110332707.2在审
发明人：蔺洪振;李麟阁;程双;李付锦;王健 -专利权人：苏州烯时代材料科技有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯加热膜封装结构，其特征在于，包括自上而下依次复合固定的上保护层、上层绝缘膜、中层绝缘膜、下层绝缘膜和下保护层；所述中层绝缘膜一表面均匀涂覆有石墨烯涂层，所述石墨烯涂层两端通过导电胶固定有相互平行的长条状铜箔，所述铜箔一端超出中层绝缘膜边缘形成电极焊接端，中层绝缘膜、石墨烯涂层及铜箔形成导电体组件，所述上层绝缘膜和下层绝缘膜完全包覆导电体组件，形成四周密封的绝缘结构，所述电极焊接端上方设有贯穿上保护层和上层绝缘膜的电极电缆焊接孔本发明绝缘性好、漏电短路风险小、可实现自动连续化生产、焊接和模块化装配等，成本低。
一种石墨加热封装结构

[发明专利]导体与绝缘被膜的层叠体、线圈、旋转电机、绝缘涂料及绝缘膜-CN202180039985.7在审
发明人：林坂德之;加藤俊彦;菊池英行 -专利权人：住友精化株式会社;合同会社英科技
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种层叠体，其具备导体和包含金属氢氧化物水合物的绝缘被膜，在维持对局部放电的侵蚀抑制效果的同时提高了电特性、物理特性等性能，进而削减了制造成本。一种层叠体，其至少具备导体和绝缘被膜，绝缘被膜包含第一绝缘被膜第二绝缘被膜，第二绝缘被膜由包含金属氧化物水合物的树脂组合物构成，在树脂组合物中，相对于树脂100质量份，金属氧化物水合物的含量为6～50质量份，第二绝缘被膜厚度为5μm以上，第二绝缘被膜厚度的比例小于绝缘被膜整体的厚度的75％，在层叠体暴露于由逆变器浪涌产生的局部放电时，绝缘被膜形成无机绝缘层。
导体绝缘层叠线圈旋转电机涂料

[发明专利]层叠构造体、薄膜晶体管阵列以及它们的制造方法-CN201380050481.0有效
发明人：石崎守;八田薰 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：层叠构造体在绝缘基板上具有第1电极层，在第1电极层上具有第1绝缘膜，在第1绝缘膜上具有第2电极层，在第2电极层上具有第2绝缘膜，在第2绝缘膜上具有第3电极层，该层叠构造体通过第1电极层、第1绝缘膜的开口、第2电极层、第2绝缘膜的开口以及第3电极层的层叠构造，使所述第1电极层和第2电极层进行连接通过第1电极层、第1绝缘膜的开口、第2电极层、第2绝缘膜的开口以及第3电极层的层叠构造，使所述第1电极层和第2电极层进行连接，在第2绝缘膜的开口内，第3电极层对第1电极层、与第1绝缘膜上的第2电极层的连接进行中继或加强。
层叠构造薄膜晶体管阵列以及它们制造方法

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