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- [发明专利]钨膜的形成方法-CN200910253445.X有效
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杉浦正仁;沟口泰隆;饗场康
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东京毅力科创株式会社
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2006-06-23
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2010-12-01
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C23C16/14
- 本发明提供一种钨膜的形成方法，用于在处理容器内的被处理体上形成钨膜。该钨膜形成方法包括：向处理容器中供给SiH4气体的初始化工序；交替重复进行向处理容器中供给WF6气体的步骤和向处理容器中供给B2H6气体的步骤，并在两步骤之间插入向处理容器中供给惰性气体的清扫步骤，在被处理体的表面形成第一钨膜的第一钨膜形成工序；和向处理容器中同时供给WF6气体和H2气体，在第一钨膜上形成第二钨膜的第二钨膜形成工序；其中，在清扫步骤期间，设置停止惰性气体的供给、对处理容器进行真空排气的时间，使第一钨膜成为无定形体状态，由此增大第二钨膜的颗粒尺寸。
- 形成方法
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