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[发明专利]纳米孔阵列-CN201480003939.1有效
发明人： R.J.A.陈;D.J.富拉加 -专利权人：吉尼亚科技公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G01N27/447 文献下载
摘要：公开了一种使用包括被包括在芯片上的多个单元的纳米孔阵列来分析分子的方法。引起在所述多个单元的至少一部分中形成纳米孔。评估纳米孔的第一物理测量结果。确定是否引起分子与纳米孔相互作用。引起纳米孔的至少一部分与分子相互作用。评估指示分子性质的纳米孔的第二物理测量结果。确定是否引起重新形成纳米孔，使得单元可重新使用以与附加分子相互作用。
纳米孔分子相互作用物理测量结果纳米孔阵列分子性质评估指示芯片评估分析

[发明专利]制作纳米孔阵列的方法、纳米孔阵列和纳米孔阵列传感器-CN202111587794.2在审
发明人：刘泽文;洪浩 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明提出了制作纳米孔阵列的方法、纳米孔阵列和纳米孔阵列传感器，制作纳米孔阵列的方法，包括：提供硅片；形成第一掩膜层，形成第二掩膜层；形成第一图案化层；形成第二图案化层；进行第一湿法刻蚀；进行第二湿法刻蚀；形成功能材料层；对第二刻蚀腔进行第三湿法刻蚀，以形成第三刻蚀腔，暴露位于锥尖的功能材料层；对位于锥尖的功能材料层进行第四刻蚀，以形成多个纳米孔，得到纳米孔阵列。由此，可通过简便的方法制备具有孔径均一、制备流程简便、可重复性高等优点的纳米孔阵列结构。
制作纳米阵列方法传感器

[发明专利]一种图案化纳米阵列模板及其制备方法和应用-CN202010466833.2在审
发明人：黄璐 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： B29C33/38 文献下载
摘要：本申请属于纳米阵列材料的技术领域，尤其涉及一种图案化纳米阵列模板及其制备方法和应用。本申请提供了一种图案化纳米阵列模板，包括微米通孔模板层和纳米孔模板层；所述微米通孔模板层的微米通孔的孔径为5～30μm；所述微米通孔模板层的微米通孔按照图案化排列；所述纳米孔模板层的纳米孔的孔径为10～300nm；所述微米通孔模板层可拆卸性固定在所述纳米孔模板层的纳米孔面上。本申请的图案化纳米阵列模板能制得具备特定图案和不同尺寸的阵列结构，有效解决现有的纳米孔阵列模板法只能制备无图案的、尺寸单一的纳米柱阵列的技术缺陷。
一种图案纳米阵列模板及其制备方法应用

[实用新型]一种金属表面刻蚀纳米孔阵列的形貌-CN201220024411.0有效
发明人：陈万涛;黄其煜;孙强;陈姗姗;严明;徐骎;张梅 -专利权人：上海交通大学医学院附属第九人民医院
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种金属表面刻蚀纳米孔阵列的形貌，所述的金属表面刻蚀纳米孔阵列的形貌是由金属和金属表面的纳米孔阵列组成，所述的金属是纯钛或钛合金，纳米孔阵列是TiO2纳米孔阵列，所述的TiO2纳米孔阵列刻蚀在纯钛或钛合金的表面，纳米孔结构分布均匀。其优点表现在：本实用新型的钛表面纳米孔阵列结构在有效克服了“纳米管”的容易脱层、且不具备良好的机械加工性能缺点的同时，创新性地制造特定尺度的纳米孔阵列结构，在以其制作工艺简单方便、成本低廉的优势，成为很有应用前景的骨种植和骨内固定材料
一种金属表面刻蚀纳米阵列形貌

[发明专利]光敏元件-CN201410796003.0有效
发明人：陈平;卢亚宾;李星;赵东旭;林列 -专利权人：南开大学
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：一种光敏元件，包括半导体有源层、纳米孔阵列层、亚微米颗粒层、阳极和阴极，纳米孔阵列层设有贯穿纳米孔阵列层的纳米孔，纳米孔沿纳米孔阵列层的厚度方向延伸，半导体有源层、纳米孔阵列层和亚微米颗粒层依次层叠，纳米孔阵列层和亚微米颗粒层的两端对齐，阳极和阴极均位于半导体有源层上，且阳极和阴极分别位于纳米孔阵列层和亚微米颗粒层的两端。通过亚微米颗粒结构和纳米孔阵列结构之间的局域表面等离子体共振耦合作用能够使得半导体产生的载流子数量增强，从而提高半导体的光电流强度，提高灵敏度。
光敏元件

[实用新型]基于镍/碳纳米管复合阵列的正极极片-CN201520832979.9有效
发明人：马伟斌;张权 -专利权人：惠州集越纳米材料技术有限责任公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于镍/碳纳米管复合阵列的正极极片，包括硫、导电聚合物、碳纳米管-镍阵列、金属片阵列、导电基体，所述金属片阵列安装在导电基体上，碳纳米管-镍阵列沉积于金属片阵列上，硫负载于所述金属片阵列、碳纳米管-镍阵列的外壁及孔内壁中，导电聚合物包覆于金属片阵列及碳纳米管-镍阵列外壁上，碳纳米管-镍阵列的截面呈“U”型，并在碳纳米管-镍阵列上均匀开设有多个散热孔A，金属片阵列上均匀开设有多个散热孔B本实用新型在原有的正极片的碳纳米管-镍阵列上均匀开设有多个散热孔A，在金属片阵列上均匀开设有多个散热孔B，在导电基体上开设有多个散热槽，能够提高正极片的散热效果，增强其使用寿命。
基于纳米复合阵列正极

[发明专利]聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料及其制备方法和储能应用-CN201110362797.6有效
发明人：谢一兵;杜洪秀 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C25B3/00 文献下载
摘要：一种聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料，所述的聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料包括：聚吡咯基体，在聚吡咯基体上设有呈阵列分布且两端通透的纳米孔，在纳米孔内嵌入聚吡咯纳米柱，聚吡咯纳米柱柱面与纳米孔内壁之间设有间隙采用脉冲伏安法进行调控的电聚合反应，二氧化钛纳米管、包覆在纳米管外壁面上的聚吡咯纳米膜和嵌入在纳米管管腔内的聚吡咯纳米柱复合而成的同心轴实心结构的聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料，采用化学腐蚀溶解方法，氢氟酸完全去除二氧化钛有序纳米管模板后得到聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料。所述的聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料作为超级电容器电极材料进行电化学储能应用。
吡咯纳米阵列材料及其制备方法应用

[发明专利]一种纳米孔局部亲疏水性修饰的方法-CN202110433800.2在审
发明人：张琬皎;龙眈 -专利权人：杭州欧光芯科技有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米孔局部亲疏水性修饰的方法。其工艺为：在基片表面形成一层牺牲层；在牺牲层上形成具有纳米孔阵列结构的图形转移层；去除残余层；在牺牲层制备具有纳米孔阵列结构的牺牲层；在基片上制备具有纳米孔阵列结构的基片；纳米孔阵列结构的亲水性修饰；去除牺牲层本发明制备的具有纳米孔阵列结构的基片中的纳米孔具有超亲水性，凸起的基片表面具有疏水性，实现了同一纳米孔基片具有不同的亲疏水性，避免了基片表面残留物质对纳米孔内标记的影响，提高了纳米孔基片捕获能力和检测的准确性
一种纳米局部亲疏水性修饰方法

[发明专利]一种基于介质纳米结构的拓扑边缘态波导及其制造方法-CN202210151255.2在审
发明人：胡劲宇;史丽娜;李龙杰;王冲;尚潇;陈生琼;薛惠文 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于介质纳米结构的拓扑边缘态波导及其制造方法，其中，所述基于介质纳米结构的拓扑边缘态波导，包括：衬底；设置在衬底上的埋氧层；以及设置在埋氧层上的纳米孔阵列层；纳米孔阵列层设置有由正六边形孔组成的第一纳米孔阵列和第二纳米孔阵列，第一纳米孔阵列和第二纳米孔阵列的交界处形成边缘态结构，边缘态结构用于选择性的接收和/或传播对应波长的光。
一种基于介质纳米结构拓扑边缘波导及其制造方法

[发明专利]SiC纳米孔阵列在超级电容器中的应用-CN201810720469.0在审
发明人：陈善亮;李维俊;刘乔;杨为佑 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01G11/22 文献下载
摘要：本发明涉及SiC纳米孔阵列在超级电容器中的应用，属于纳米材料技术领域。所述的超级电容器的电极由SiC纳米孔阵列一体化制成。所述的SiC纳米孔阵列的相成分为4H‑SiC，所述的SiC纳米孔阵列的纳米孔为竖直孔道结构，孔直径为5‑40nm，孔长为8‑20μm。本发明中SiC纳米孔阵列电极材料具有大比表面积、较好导电性以及化学稳定性和热稳定性，在较宽的温度条件下都具有较高的循环稳定性，因此，将SiC纳米孔阵列一体化制成电极用于超级电容器中可在保证超级电容器高比电容的同时提高其在宽温条件下的循环温度性
纳米孔阵列超级电容器一体化制成电极纳米材料技术导电性化学稳定性循环稳定性电极材料孔道结构热稳定性温度条件比电容纳米孔温度性孔长宽温竖直应用保证

[发明专利]聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料及其制备方法和储能应用-CN201110362862.5有效
发明人：谢一兵;杜洪秀 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：一种聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料，所述的聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料包括：聚吡咯基体，在聚吡咯基体上设有呈阵列分布且两端通透的纳米孔，在纳米孔内嵌入聚吡咯纳米管，聚吡咯纳米管外壁与纳米孔内壁之间设有间隙采用脉冲伏安法进行调控的电聚合反应方法，得到由二氧化钛纳米管、包覆在纳米管外壁面上的聚吡咯纳米膜和包覆在纳米管内壁面上的聚吡咯纳米膜复合而成的同心轴中空结构的聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料，采用化学腐蚀溶解方法，氢氟酸完全去除二氧化钛有序纳米管模板后得到聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料。所述的聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料作为超级电容器电极材料进行电化学储能应用。
吡咯纳米阵列材料及其制备方法应用

[发明专利]一种有机异质结纳米线阵列及其制备方法和光电器件-CN202210486215.3在审
发明人：许金友;张玲玉;王兴宇;周国富 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机异质结纳米线阵列及其制备方法和光电器件，该制备方法包括：在衬底的表面制备纳米级沟道阵列，而后对该表面进行疏水处理；借助具有第一通孔阵列的第一掩模版，通过物理气相沉积在所述表面制备金属酞菁纳米线阵列；再借助具有第二通孔阵列的第二掩模版，通过物理气相沉积在所述表面制备三(8‑羟基喹啉)铝纳米线阵列，其中，第二通孔阵列用于控制三(8‑羟基喹啉)铝纳米线阵列的生长区域，使得三(8‑羟基喹啉)铝纳米线阵列与金属酞菁纳米线阵列搭接，制得有机异质纳米线阵列。该制备方法可实现有机异质结纳米线的定向生长和对齐，进而可实现纳米线器件阵列的原位大规模构筑和集成。
一种有机异质结纳米阵列及其制备方法光电器件

[发明专利]相控纳米孔阵列-CN201880040529.2在审
发明人： S.费南德斯-戈梅斯;J.W.曼尼 -专利权人：豪夫迈·罗氏有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C12Q1/6869 文献下载
摘要：本文中描述的技术可以将具有不同相位的AC信号施加到纳米孔传感器芯片中的纳米孔单元的不同群组。当纳米孔单元的第一群组处于暗时段并且没有被模数转换器（ADC）采样或被最小采样来捕获有用数据时，纳米孔单元的第二群组处于亮时段，在此期间来自纳米孔的单元的第二群组的输出信号由模数转换器采样。
纳米孔采样群组模数转换器施加纳米孔传感器参考电平输出信号捕获芯片

[发明专利]基于纳米环图案化界面的紫外滤光结构及其设计方法-CN202110079530.X有效
发明人：王岭雪;东苗;蔡毅 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于纳米环图案化界面的紫外滤光结构及其设计方法，该结构包括设于玻璃基底上的金属纳米孔阵列，金属纳米孔阵列包括若干基本单元；基本单元包括一个金属空气柱孔和一组金属纳米环；金属空气柱孔穿透金属薄膜，金属纳米环组位于玻璃基底界面上方，由若干个同心的金属纳米环组成；金属空气柱孔和金属纳米环组同轴。本发明有效解决了制备在玻璃基底上的纳米圆孔阵列在紫外波段一个阵列周期对应两个透射峰的问题，灵活度高；并且可使纳米圆孔阵列在200‑400nm波段获得超过50%的峰值透射率，解决了纳米圆孔阵列在紫外波段透射率低的问题
基于纳米图案界面紫外滤光结构及其设计方法

[发明专利]聚吡咯有序纳米孔阵列材料及其制备方法和储能应用-CN201110365033.2有效
发明人：谢一兵;杜洪秀 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： C30B29/58 文献下载
摘要：一种聚吡咯有序纳米孔阵列材料，具有两端通透、整齐有序排列的纳米孔阵列结构。一种聚吡咯有序纳米孔阵列材料的制备方法，采用恒电压阳极氧化反应方法制备管壁间隔分离的二氧化钛纳米管并作为模板，采用脉冲伏安法进行调控的电聚合反应方法，在管壁间隔分离的二氧化钛有序纳米管外壁面沉积完整的聚吡咯纳米膜，形成聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料，采用化学腐蚀溶解方法，以聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料为前驱体，氢氟酸完全去除模板后得到聚吡咯纳米孔阵列材料。一种聚吡咯有序纳米孔阵列材料作为超级电容器电极材料进行电化学储能应用。
吡咯有序纳米阵列材料及其制备方法应用

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