“等离子体位形”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1992501个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于场反位形等离子体的轴向压缩聚变装置及方法-CN202011425316.7在审
发明人：廖晖;孙玄 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G21B1/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于场反位形等离子体的轴向压缩聚变装置及方法，包括场反位形的形成和传输系统、高速等离子团发生器阵列、内部快速反应的磁场线圈组、中心燃烧腔室、和外部直流线圈组；场反位形的形成和传输系统对称分布在该压缩聚变装置左右最末两侧，两组对称分布的高速等离子体团发生器阵列位于中心燃烧室两侧的类锥形室外侧；内部快速反应的磁场线圈组对称分布在高速等离子体团发生器的喷射口附近到中心燃烧室的边缘部分，多个不同规格的直流线圈均匀分布在中心燃烧腔室外，每个线圈相隔一定距离，且左右对称分布；利用对称分布的高速等离子体团发生器阵列产生的等离子体推进层对位于中心燃烧室的碰撞融合场反位形进行轴向压缩，达到聚变点火条件。
一种基于场反位形等离子体轴向压缩聚变装置方法

[实用新型]一种基于场反位形等离子体的轴向压缩聚变装置-CN202022924585.X有效
发明人：廖晖;孙玄 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G21B1/05 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于场反位形等离子体的轴向压缩聚变装置，包括场反位形的形成和传输系统、高速等离子团发生器阵列、内部快速反应的磁场线圈组、中心燃烧腔室和外部直流线圈组；场反位形的形成和传输系统对称分布在该压缩聚变装置左右最末两侧，两组对称分布高速等离子体团发生器阵列位于中心燃烧室的两侧的类锥形室外侧；内部快速反应磁场线圈组对称分布在高速等离子体团发生器的喷射口附近到中心燃烧室的边缘部分，多个直流线圈均匀分布在中心燃烧腔室外，每个线圈相隔一定距离，且左右对称分布；利用对称分布的高速等离子体团发生器阵列产生的等离子体推进层对位于中心燃烧室的碰撞融合场反位形进行轴向压缩，达到聚变点火条件。
一种基于场反位形等离子体轴向压缩聚变装置

[发明专利]一种适用于灭菌器的等离子体空气净化方法-CN201310427189.8有效
发明人：张建斌;王儒涛;孟群;陈长才;张玲 -专利权人：连云港佑源医药设备制造有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： A61L9/22 文献下载
摘要：一种适用于灭菌器的等离子体空气净化方法，包括一个壳体，壳体上设有进气孔和出气孔，进气孔处设有静电除尘过滤网，出气孔处设有带滤孔的吸附装置，在进气孔与出气孔之间的壳体内设有等离子体发生腔室，腔室内装有等离子体发生装置，等离子体发生装置至少包括两块平行设置的梳形电极板，相邻电极板间设有放电区域，相邻电极板的其中一块与电源相连，另一块与地相连，在等离子体发生装置中靠近壳体壁的梳形电极板在靠近进气孔的一端通过导流板与壳体内壁相接本发明通过设等离子体发生装置使得对进入灭菌室的空气杀菌净化可靠，相邻梳形电极板间的间隙大，回气率高，且进气孔和出气孔的过滤孔径适应性强，分拆清洗容易，使用周期长。
一种适用于灭菌等离子体空气净化方法

[实用新型]一种适用于灭菌器的等离子体空气净化装置-CN201320579360.2有效
发明人：张建斌;王儒涛;孟群;陈长才;张玲 -专利权人：连云港佑源医药设备制造有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： A61L9/22 文献下载
摘要：一种适用于灭菌器的等离子体空气净化装置，包括一个壳体，壳体上设有进气孔和出气孔，进气孔处设有静电除尘过滤网，出气孔处设有带滤孔的吸附装置，在进气孔与出气孔之间的壳体内设有等离子体发生腔室，腔室内装有等离子体发生装置，等离子体发生装置至少包括两块平行设置的梳形电极板，相邻电极板间设有放电区域，相邻电极板的其中一块与电源相连，另一块与地相连，在等离子体发生装置中靠近壳体壁的梳形电极板在靠近进气孔的一端通过导流板与壳体内壁相接本实用新型通过设等离子体发生装置使得对进入灭菌室的空气杀菌净化可靠，相邻梳形电极板间的间隙大，回气率高，且进气孔和出气孔的过滤孔径适应性强，分拆清洗容易，使用周期长。
一种适用于灭菌等离子体空气净化装置

[实用新型]一种等离子体镀膜机-CN202220041227.0有效
发明人：王守国 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子体镀膜机，该等离子体镀膜机，包括八角形筒状机体，其侧部沿周向均匀设有八个功能面板，八个功能面板和八角形筒状机体能够围成一用于镀膜的真空腔室，八个功能面板两两正对以形成四组功能面板，其中，第一组功能面板为两个正对的分别带有外控磁场的板式PVD镀膜源，第二组功能面板为射频发射的电感耦合等离子体源和与其正对的等离子体参数测量窗，第三组功能面板为两个正对的分别带有外控磁场的直流电弧溅射靶源该等离子体镀膜机，设置了八个功能面板，可以使等离子体镀膜腔室结构更合理、功能最全、效率更高，实现被镀材料多种等离子体参数膜及等离子体参数的准确控制。
一种等离子体镀膜

[发明专利]一种行星际磁场与地球磁场相互作用的地面模拟装置及方法-CN202310243462.5在审
发明人：鄂鹏;凌文斌;金成刚;李立毅 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：所述装置包括真空室以及真空室内设置的模拟行星际磁场的线圈、模拟太阳风等离子体的线圈、模拟地球磁场的线圈、模拟地球磁层等离子体的等离子体源；模拟行星际磁场的线圈由一组圆环形的线圈组成；模拟太阳风等离子体的线圈由一组圆环螺旋形线圈组成；模拟地球磁场的线圈呈圆环形，在线圈的外部产生趋近于理想偶极磁场的磁场，以模拟地球的偶极磁场；模拟地球磁层等离子体的等离子体源用于产生模拟地球磁层等离子体的等离子体。
一种行星磁场地球相互作用地面模拟装置方法

[发明专利]一种微波等离子体源和远程微波等离子体装置-CN201710163982.X有效
发明人：邬钦崇;邬明旭;全峰 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波等离子体源和远程微波等离子体装置，包括微波等离子体源，微波等离子体源装入不同形式的真空室内，构成不同形式的远程微波等离子体装置，微波等离子体源由微波腔、产生等离子体的介质容器和产生微波的磁控管及其供电电源组成，微波腔由矩形波导制成，在矩形波导一端离短路板距离为λg/4处，磁控管的天线在圆孔中心伸入矩形波导，磁控管的天线距这一端的短路板18.6mm，介质管的一端接装有进气口的法兰，与介质管通过O形胶圈形成真空密封连接用本远程微波等离子体装置可进行多种物件的表面处理，可使得物件表面变得更加光滑，产量增加，对水的接触角从未处理的115°减少到85°。
一种微波等离子体远程装置

[发明专利]一种等离子体包轴输运与同步烧结的打印装置及方法-CN202210426056.8有效
发明人：叶冬;李奥康;蒋宇;谢寒;黄永安 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B22F12/00 文献下载
摘要：本发明属于柔性/曲面电子微纳制造相关技术领域，其公开了一种等离子体包轴输运与同步烧结的打印装置及方法，该打印装置包括墨水模块、等离子体射流模块、隔绝鞘气模块、该等离子体射流模块及该隔绝鞘气模块分别连接于该墨水模块；该墨水模块用于将打印用的液态金属墨水输送到喷嘴中，该等离子体射流模块用于放电产生等离子体射流，该隔绝鞘气模块用于产生隔离液态金属墨水和等离子体射流的鞘气气流；该墨水模块、该等离子体射流模块及该隔绝鞘气模块相互配合以实现等离子体射流自身局域动态强电场诱导电流体生成泰勒锥本发明解决了复杂型面绝缘基板液态金属电路的打印成形难题，为柔性/曲面电子器件的高效共形喷印制造提供了技术支撑。
一种等离子体输运同步烧结打印装置方法

[实用新型]一种微波等离子体源和远程微波等离子体装置-CN201720267203.6有效
发明人：邬钦崇;邬明旭;全峰 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波等离子体源和远程微波等离子体装置，包括微波等离子体源，微波等离子体源装入不同形式的真空室内，构成不同形式的远程微波等离子体装置，微波等离子体源由微波腔、产生等离子体的介质容器和产生微波的磁控管及其供电电源组成，微波腔由矩形波导制成，在矩形波导一端离短路板距离为λg/4处，磁控管的天线在圆孔中心伸入矩形波导，磁控管的天线距这一端的短路板18.6mm，介质管的一端接装有进气口的法兰，与介质管通过O形胶圈形成真空密封连接用本远程微波等离子体装置可进行多种物件的表面处理，可使得物件表面变得更加光滑，产量增加，对水的接触角从未处理的115°减少到85°。
一种微波等离子体远程装置

[发明专利]一种非热电弧等离子体污水处理厂出水杀菌的方法-CN201410477884.X无效
发明人：杜长明 -专利权人：中山大学
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： C02F1/46 文献下载
摘要：本发明公开一种非热电弧等离子体污水处理厂出水杀菌的方法，将污水处理厂出水引入包括高压电源、1个或多个并联的刀形不锈钢电极、喷嘴、气源的非热电弧等离子体装置；开启高压电源，在刀形不锈钢电极和水液面之间产生击穿电弧，打开气源，气流通过喷嘴驱动电弧沿着刀形电极滑动，形成非热电弧等离子体，等离子体诱发等离子体化学反应，产生大量过氧化氢、臭氧、氢氧自由基等活性粒子，能够有效将待处理污水处理厂出水中的有害微生物杀死。
一种电弧等离子体污水处理出水杀菌方法

[发明专利]多区等离子体生成的方法和设备-CN201180067134.X有效
发明人：马修·斯科特·罗杰斯;华仲强;克里斯托弗·S·奥尔森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种方法和设备，通过在给定压力下控制等离子体中离子与自由基的比例而对基板进行等离子体处理，以于基板上和置于其上的器件上形成薄膜。可维持给定压力以利用一等离子体源促进离子生成，并可用第二等离子体源来提供其他自由基。在一实施例中，在处理区域中生成低压等离子体，并于单独区域中生成高压等离子体，所述处理区域具有位于其中的基板。来自高压等离子体的自由基被注入到具有低压等离子体的处理区域中，因而在给定操作压力下改变自由基对离子的自然分布。所得到的处理与设备能调适离子与自由基的比例，以更好地控制在高纵横比特征结构上的薄膜形成，并因而提升角区磨圆、侧壁对底部沟槽成长的共形性，及选择性成长。
等离子体生成方法设备

[发明专利]一种电极引入结构-CN201210477228.0有效
发明人：席峰;王佳;李楠;汪明刚;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体工艺设备技术领域，具体涉及一种电极引入结构。所述电极引入结构，用于等离子体工艺设备，包括电极及包裹电极的绝缘防护结构，绝缘防护结构包括圆筒形的第一绝缘套和设置在第一绝缘套下方的圆筒形的第二绝缘套，第二绝缘套固定在电极上，第一绝缘套固定在等离子体工艺设备的腔室盖的上端本发明的电极引入结构，可以减小或避免由于防护性与电气绝缘等问题，引起的等离子体启辉不均匀现象的出现；在等离子体启辉条件下，本发明的电极引入结构没有放气现象，可以保持真空腔室对真空度的要求。
一种电极引入结构

[发明专利]真空处理装置及等离子体处理方法-CN201180030847.9有效
发明人：中尾祯子;笹川英四郎;竹内良昭;宫园直之;大坪荣一郎 -专利权人：三菱重工业株式会社
申请日： 2011-05-09 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：提供一种抑制脊形电极及基板的热变形，对于大型的基板也能进行稳定的等离子体处理的真空处理装置。具有：放电室（2），由脊形波导管构成，该脊形波导管具有生成等离子体的排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）；一对转换器，将高频电力转换成方形波导管的基本传送模式即TE模式而向放电室（2）传送，并使排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）之间产生等离子体；均热调温器（40），设置在基板侧脊形电极（21b）的外表面侧，并使温度均匀地进行加热；热吸收调温单元（50），设置在排气侧脊形电极（21a）的外表面侧，并控制实施等离子体处理的基板（S）的板厚方向的热流束，将基板（S）设置在排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）之间而实施等离子体处理。
真空处理装置等离子体方法

[发明专利]一种基于冯·哈格诺夫方法的GS方程数值计算方法-CN202310433315.4有效
发明人：胡业民;白书航 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于冯·哈格诺夫方法的GS方程数值计算方法，包括：1、在等离子体区域内求解Grad‑Shafranov方程右边表达形式；2、构造Grad‑Shafranov算子的Green函数，用以求解无界区域中的空间解；3、使用Von Hagenow方法计算等离子体电流部分；4、确定产生给定等离子体形状的外部线圈电流。通过本方法可以获得托卡马克装置中给定等离子体参数的电流反转平衡位形和外部控制线圈电流，其中等离子体表面由给定的理想等离子体形状或环外的X点限定。
一种基于哈格诺夫方法 gs 方程数值计算方法

[发明专利]一种大面积超高硬度金刚石膜的制备方法-CN202210320506.5有效
发明人：刘金龙;屠菊萍;产思义;安康;魏俊俊;陈良贤;郑宇亭;张建军;欧阳晓平;李成明 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明采用等离子体化学气相沉积，通过在常规碳氢等离子体环境中间歇性通入氮气和氩气实现扰动，打破等离子体平衡态生长，在金刚石膜中引入大量层错、孪晶缺陷，高密度缺陷实现了金刚石膜超高硬度的显著增强。工艺步骤为：a.将衬底经过研磨和超声清洗预处理；b.采用等离子化学气相沉积设备，在氢氧等离子体环境中刻蚀衬底表面；c.在高浓度甲烷环境中进行金刚石形核，在衬底表面形成高密度晶核；d.在形核后的衬底表面沉积一层超纳米金刚石膜；e.在碳氢等离子体环境中生长金刚石膜时，间歇性通入氮气和氩气，扰动等离子体环境，实现具有高缺陷密度的金刚石膜沉积，使得金刚石膜硬度显著增强。
一种大面积超高硬度金刚石制备方法