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[发明专利]用于产生等离子体的设备及方法-CN201480007287.9有效
发明人：大卫·安东尼;约翰·托平 -专利权人： CAMVAC有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于产生等离子体的设备，包括用于运送移动基材的支承件、用于产生等离子体的等离子体发生器、用于使所述等离子体中的离子偏转并射向所述移动基材以形成离子流的电极。所述离子流具有处于3.6电子伏特至250电子伏特之间的能级。可替代地，所述用于产生等离子体的设备具有多个间隔分布的跑道形离子聚集区。
用于产生等离子体设备方法

[发明专利]大气压低温等离子体射流阵列可调装置-CN201510333396.6有效
发明人：刘景全;王涛;杨斌;陈翔;杨春生 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种大气压低温等离子体射流阵列可调装置，其中单个等离子体发生器与螺柱套管通过胶结固定；螺柱套管与箱体之间螺纹连接，且螺纹连接处用密封硅脂进行润滑和密封；箱体上端通入工作气体，并通过过滤丝网均匀流入等离子体发生器中；旋拧螺柱套管可以调整螺柱套管相对箱体位置进行上下调节，进而可以带动等离子体发生器进行上下调节；通过旋拧圈数和螺距可以计算出调节距离；通过对单个等离子体发生器的上下位置调节可以实现等离子体射流阵列的多种组合调节本发明可根据实际要求调节等离子体发生器的上下位置，提高等离子体射流阵列的应用灵活性和加工准确性。
大气压低温等离子体射流阵列可调装置

[发明专利]等离子体发生装置和使用等离子体发生装置的膜沉积方法-CN200680028272.6有效
发明人：江南;王宏兴;平木昭夫;羽场方纪 -专利权人：日本大业照明株式会社
申请日： 2006-07-31 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：为了低成本容易地产生较长的等离子体，以及为了使用单个的等离子体发生装置执行多种膜沉积方法，本发明提供一种等离子体发生装置，在其真空内部中配置有筒形电极，所述筒形电极在其一部分中包括开口，并且当将气体引入其中并且向其施直流负电压时在其中产生等离子体
等离子体发生装置使用沉积方法

[发明专利]一种智能控制的等离子体空气快速灭菌装置-CN202111181130.6在审
发明人：沈洁;陈根;方世东 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种智能控制的等离子体空气快速灭菌装置，包括：依次连接的反应段、混合段、催化反应段；所述反应段包括截面为三角形的锥形反应室、两个呈预定夹角布置的等离子体发生器；在等离子体发生器出口及交点处形成立体等离子体处理区，含菌气体在此与等离子体充分作用，达到快速杀菌的作用；所述两个等离子体发生器分别稳定工作于不同等离子体模式，其中，第一等离子体发生器工作于含氧模式，等离子体处理区产生氧活性物质；第二等离子体发生器工作于含氮模式等离子体处理区产生氮活性物质；所述第一等离子体发生器、第二等离子体发生器工作条件，需满足功率P1P2，流量Q1Q2。
一种智能控制等离子体空气快速灭菌装置

[发明专利]光学元件加工方法-CN201710498275.6有效
发明人：金会良;邓文辉;钟波;徐曦;袁志刚;郑楠;侯晶;陈贤华 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：该光学元件加工方法包括以下步骤：等离子体熔覆抛光、等离子体快速去除和等离子体面形修正。等离子体熔覆抛光用于熔合光学元件亚表面的损伤裂纹以及改善光学元件的表面光洁度。等离子体快速去除用于消除加工过程中产生的表面及亚表面损伤，并使光学元件的面形精度小于等于2μm，光学元件表面粗糙度小于50nm。等离子体面形修正用于完成所述光学元件的表面误差的修正。
光学元件加工方法

[发明专利]一种ECR等离子体溅射装置及其溅射方法-CN201610103436.2有效
发明人：刁东风;范雪;陈成 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种ECR等离子体溅射装置及其溅射方法，包括从左至右依次设置的微波发生器、等离子体室、成膜室及预真空室；所述微波发生器依次通过微波导管及石英窗与等离子体室相连；所述等离子体室的外侧设置有第一磁线圈和第二磁线圈；所述成膜室的外侧设置有第三磁线圈；所述成膜室的近等离子体室端的等离子体室右侧电子回旋共振磁场处设置有圆筒形固定靶材，所述成膜室的近预真空室端设置有基板；所述圆筒形固定靶材通过靶材电源接地。本发明通过确定成膜室中圆筒形固定靶材和基板的位置关系，在封闭和发散两种磁场模式下都能够获得稳定的等离子体，以及最好的电子和离子照射效果。
一种 ecr 等离子体溅射装置及其方法

[发明专利]大面积大气等离子体均匀放电电极-CN201310177068.2无效
发明人：王波;金会良;姚英学;李娜;车琳;辛强;金江;李铎 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：大面积大气等离子体均匀放电电极，本发明属于光学加工领域。它是为了解决现有大面积大气等离子体放电产生的交变电流在趋近电极边缘处有电流密度增大的趋肤效应，导致大面积电极放电不均匀，而严重影响了大气等离子体加工技术的精度和效率的问题。它的形状为扁片形；其放电面上设置有多个凸起形微电极，所有凸起形微电极的形状尺寸相同，所有凸起形微电极与相邻凸起形微电极的相互之间的距离都相等，所有凸起形微电极的放电表面都与其相对的被加工面的距离相等。本发明能实现大气等离子体大面积均匀放电，避免了大气环境下连续表面电极激发等离子体因趋肤效应和边缘放电效应导致放电不均匀现象，从而有效提高大气等离子体加工精度和效率。
大面积大气等离子体均匀放电电极

[发明专利]一种基于电流驱动技术反场位形结构的高密度等离子体射流发生装置-CN201910625548.8有效
发明人：张仲麟;孙宇飞 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：一种基于电流驱动技术反场位形结构的高密度等离子体射流发生装置，属于低温等离子体的应用技术领域，本发明为解决射频感应耦合等离子体源在模式转换时存在不稳定放电阶段，导致等离子密度、电子能量分布、气体宏观温度以及均匀性很难同时满足要求的问题本发明包括圆台型的石英腔体；石英腔体沿轴向分成两部分，靠近小端口的首端区域为等离子体产生区，靠近大端口的尾端区域为等离子体加速区；工作气体在等离子体产生区被击穿生成种子电子，所述种子电子在旋转磁场作用下生成高密度等离子体；所述等离子被拉伸至等离子体加速区进行加速形成等离子体射流，并向真空腔气室喷射。
一种基于电流驱动技术反场位形结构高密度等离子体射流发生装置

[发明专利]一种等离子体鞘套地面模拟电磁实验装置及使用方法-CN202011367717.1有效
发明人：包为民;刘彦明;刘东林;李小平;张佳;孙超;白博文 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体鞘套地面模拟电磁实验装置及使用方法，实验装置包括：等离子体发生器，用于将中性气体电离产生高温等离子体；喷管，用于将等离子体利用气动力学原理进行加速，并对真空暗室内等离子体射流的截面进行塑形；等离子体诊断系统，通过非接触的方法对等离子体射流的电子密度进行实时诊断，并反馈给综合控制器，综合控制器根据实测的电子密度大小与预设的电子密度值进行比较，通过反馈调节等离子体发生器的电源输出功率实现等离子体射流的电子密度连续稳定控制本发明产生的等离子体射流稳定可控、电子密度范围宽、碰撞频率范围宽、长度大、组分纯净，能够实现等离子体电子密度非均匀性分布的调控。
一种等离子体地面模拟电磁实验装置使用方法

[发明专利]等离子危废处理系统-CN201710856864.7在审
发明人：舒小明;刘立新;张安国;张明杰;宋慧;郑德刚 -专利权人：航天环境工程有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：一种等离子危废处理系统，其中的进料装置用于给等离子体熔炉输送废料，等离子体熔炉用于将废料气化或者熔化，二次反应室用于将等离子体熔炉所输送来的合成气体二次反应转换成可排放气体，净化装置用于将次反应室输送来的气体进行净化以达到排放标准，等离子体熔炉包括容器，容器具有接收废料的空腔，所述容器的侧壁设置有进料口；至少两个等离子体电极组件，其中第一等离子体电极组件安装在容器内上部，并在电极组件运行机构的作用下能够在容器内部的空腔中上下移动，第二等离子体电极组件安装在容器内下部，在第一等离子体电极组件和第二等离子体电极组件之间设置有呈碗形或盘形的旋转废料支架，且位于进料口之下方。
等离子处理系统

[实用新型]等离子危废处理系统-CN201721226780.7有效
发明人：舒小明;郑德刚;刘立新;张安国;张明杰;宋慧 -专利权人：航天环境工程有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：一种等离子危废处理系统，其中的进料装置用于给等离子体熔炉输送废料，等离子体熔炉用于将废料气化或者熔化，二次反应室用于将等离子体熔炉所输送来的合成气体二次反应转换成可排放气体，净化装置用于将次反应室输送来的气体进行净化以达到排放标准，等离子体熔炉包括容器，容器具有接收废料的空腔，所述容器的侧壁设置有进料口；至少两个等离子体电极组件，其中第一等离子体电极组件安装在容器内上部，并在电极组件运行机构的作用下能够在容器内部的空腔中上下移动，第二等离子体电极组件安装在容器内下部，在第一等离子体电极组件和第二等离子体电极组件之间设置有呈碗形或盘形的旋转废料支架，且位于进料口之下方。
等离子处理系统

[实用新型]等离子体与化学催化复合重整制备富氢燃气的设备-CN201120219608.5有效
发明人：胡又平;李格升;游伏兵;梅雪飞;高孝洪 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： C01B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体与化学催化复合重整制备富氢燃气的设备。它包括同轴布置的筒形内电极和筒形外电极，筒形内电极和筒形外电极之间形成环状等离子体放电区，环状等离子体放电区的一端为放电区进口，环状等离子体放电区的另一端为放电区出口，筒形内电极的空腔内填充有化学催化反应床层，化学催化反应床层的反应床进口与环状等离子体放电区的放电区出口位于同一侧并相连通，化学催化反应床层的反应床出口与环状等离子体放电区的放电区入口位于同一侧并相间隔。
等离子体化学催化复合重整制备燃气设备

[发明专利]气冷式等离子体保护气罩喷嘴-CN201310177051.7有效
发明人：王波;辛强;姚英学;金会良;丁飞;李娜;金江;李铎 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C23F3/00 文献下载
摘要：气冷式等离子体保护气罩喷嘴，它属于等离子体加工设备的技术领域。它是为了解决大气等离子体加工过程中，周围环境对加工的影响，反应不充分，及加工温度过高导致工件产生热应力的问题。它的圆管形保护罩的内孔呈锥形，其内侧壁上有三个间隔120度分布通气孔，圆盘的外圆面呈锥形，圆管形炬管延长件上端外圆面镶嵌在圆管形保护罩上端内孔中，圆管形炬管延长件下端圆盘的外圆锥形面与圆管形保护罩的下端内圆面密封连接或之间设置有间隙，当圆管形炬管延长件下端圆盘的外圆锥形面与圆管形保护罩的下端内圆面之间设置有间隙时。本发明通入气体后，可有效冷却等离子体，降低等离子体温度，从而使大气等离子体可加工温度敏感材料，扩大了其应用范围。
气冷等离子体保护喷嘴

[发明专利]一种电弧等离子体点燃煤粉装置和方法-CN200910117033.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：安徽省新能电气科技有限公司
申请日： 2009-06-09 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： F23Q7/02 文献下载
摘要：它包括一对阴阳极转移弧等离子体炬、煤粉燃烧筒和钝体。空气-煤粉混合物从煤粉燃烧筒一端流入；一对阴阳转移弧等离子体炬喷口位于煤粉燃烧筒内，一对等离子体炬轴线在喷口外延伸相交于煤粉燃烧筒投影截面内；在一对等离子体炬的空气-煤粉混合物流入侧放置一钝体，在钝体上开有透气孔或缝隙电弧产生的等离子体位于两只等离子体炬喷口之间和钝体背风面围成的区域并向燃烧筒出口方向流动，煤粉-空气混合物通过钝体上的孔或缝隙被减速、或绕过钝体被卷吸进入等离子体高温区域，煤粉在等离子体高温区域被快加热
一种电弧等离子体燃煤装置方法

[实用新型]一种电弧等离子体点燃煤粉装置和方法-CN200920172484.2无效
发明人：不公告发明人 -专利权人：安徽腾龙电气有限公司
申请日： 2009-06-09 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： F23Q7/02 文献下载
摘要：它包括一对阴阳极转移弧等离子体炬、煤粉燃烧筒和钝体。空气-煤粉混合物从煤粉燃烧筒一端流入；一对阴阳极转移弧等离子体炬喷口位于煤粉燃烧筒内，一对等离子体炬轴线在喷口外延伸相交于煤粉燃烧筒投影截面内；在一对等离子体炬的空气-煤粉混合物流入侧放置一钝体，在钝体上开有透气孔或缝隙电弧产生的等离子体位于两只等离子体炬喷口之间和钝体背风面围成的区域并向燃烧筒出口方向流动，煤粉-空气混合物通过钝体上的孔或缝隙被减速、或绕过钝体被卷吸进入等离子体高温区域，煤粉在等离子体高温区域被快加热
一种电弧等离子体燃煤装置方法