专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]内容可寻址存储装置-CN202111306064.0在审
  • 姜易豪 - 瑞昱半导体股份有限公司
  • 2021-11-05 - 2023-05-09 - G11C15/04
  • 本发明提供一种内容可寻址存储装置,其包括第一至第三内容可寻址存储电路以及第一至第二外围电路。第一内容可寻址存储电路储存第一字组的第一比特。第二内容可寻址存储电路设置为与第一内容可寻址存储电路相邻近,并储存第二字组的第一比特。第三内容可寻址存储电路设置为与第二内容可寻址存储电路相邻近,并储存第二字组的第二比特,其中第一至第三内容可寻址存储电路设置在一存储列。第一外围电路存取第一与第二字组的第一比特。第二外围电路存取第二字组的第二比特。
  • 内容寻址存储器装置
  • [发明专利]操作快闪存储芯片的方法-CN200510136886.3有效
  • 郑畯燮;杨中燮 - 海力士半导体有限公司
  • 2005-12-27 - 2007-03-21 - G11C16/06
  • 一种用于操作封装的快闪存储模块的方法,包括:向在封装的快闪存储模块中排列的多个快闪存储芯片的第一快闪存储芯片施加第一编程或擦除命令和与第一命令相关联的第一地址;向在封装的快闪存储模块中排列的多个快闪存储芯片的第二快闪存储芯片施加第二编程或擦除命令和与第二命令相关联的第二地址,第二命令在第一快闪存储芯片完成第一命令之前被施加到第二快闪存储芯片;以及确定是否第一快闪存储芯片已经完成第一命令。如果确定第一快闪存储芯片还没有完成第一命令,则查看是否第二快闪存储芯片已经完成第二命令。如果确定第一快闪存储芯片已经完成第一命令,则查看是否所完成的第一命令对应于第一快闪存储芯片的最后页面。
  • 操作闪存芯片方法
  • [发明专利]搜索电路-CN202010358119.1在审
  • 松冈秀人 - 瑞萨电子株式会社
  • 2020-04-29 - 2020-11-10 - G06F16/9535
  • 提供一种能够在抑制存储芯片的增加的同时有效地执行搜索处理的搜索电路。所述搜索电路包括第一存储第二存储和处理,处理器使用第一存储第二存储执行分搜索。根据分搜索的读取顺序位置,将多个条目数据分为两个搜索阶段组,并存储在每个组的第一存储第二存储中。第二存储包括根据对应组的搜索阶段的数目提供的多个存储体。每个存储存储每个搜索阶段的条目数据。
  • 搜索电路
  • [发明专利]存储单元板之间的电荷共享-CN201780026023.1有效
  • 埃里克·S·卡门 - 美光科技公司
  • 2017-04-17 - 2020-06-16 - G11C11/22
  • 本申请案涉及存储单元板之间的电荷共享。第一铁电存储单元可被用以通过将电荷从第一铁电存储单元的板转移到第二铁电存储单元的板而给所述第二铁电存储单元充电。在一些实例中,在电荷的所述转移之前,可选择所述第一铁电存储单元用于第一操作,其中所述第一铁电存储单元从充电状态转变到放电状态,且可选择所述第二铁电存储单元用于第二操作,在此期间,所述第二铁电存储单元从放电状态转变到充电状态所述第一铁电存储单元的所述放电可被用以帮助给所述第二铁电存储单元充电。
  • 存储器单元之间电荷共享
  • [发明专利]存储装置、电子装置以及主机设备-CN200880021066.1有效
  • 藤本曜久;坂本广幸 - 株式会社东芝
  • 2008-06-19 - 2010-03-31 - G06K17/00
  • 本发明涉及存储装置、电子装置以及主机设备。一种存储装置(11)包括半导体存储(11c)和控制(11a)。半导体存储(11c)包括第一存储区域(11c1)和第二存储区域(11c2)。控制(11a)控制半导体存储(11c)。存储装置(11)能够具有可访问第一存储区域(11c1)的第一状态和可从第二存储区域(11c2)读取数据的第二状态。控制(11a)被配置为识别第一命令、第二命令和第三命令。第一命令在存储装置开启之后将存储装置(11)转换为第一状态。第二命令将存储装置(11)从第一状态转换为第二状态。第三命令在存储装置开启之后将存储装置(11)转换为第二状态而不经过第一状态。
  • 存储器装置电子以及主机设备
  • [发明专利]电子装置与其操作方法-CN202111549827.4在审
  • 林宗民 - 新唐科技股份有限公司
  • 2021-12-17 - 2022-08-16 - G06F3/06
  • 一种电子装置与其操作方法,该电子装置包括第一存储控制第二存储控制存储存取控制。第一存储控制储存既定存储的设定信息,其中既定存储定义为只执行存储第二存储控制依据既定存储的设定信息,提供并设定使能暂存,且产生使能信号。存储存取控制依据使能信号与既定存储的设定信息,存取第一存储控制第二存储控制,将既定存储的数据搬移至对应使能暂存的既定存储空间。
  • 电子装置与其操作方法
  • [发明专利]半导体存储-CN03824440.3有效
  • 松崎康郎 - 富士通株式会社
  • 2003-04-24 - 2005-10-26 - G11C11/4063
  • 多个标志被形成以对应于各自的存储单元组,每个存储单元组由多个易失性存储单元组成。每个标志指示存储单元以第二存储模式存储数据。在将模式从第一存储模式改变到第二存储模式的改变操作中,响应于对相应的存储单元组的第一次访问,每个标志被复位,其中在第一存储模式中由每个存储单元独立地保持数据,而在第二存储模式中,每个存储单元组中的存储单元保持相同数据为此,在每个存储单元组中,只有第一次访问是以第二存储模式进行的。在上述改变操作中,通过以与标志一致的模式访问存储单元,使得即使在改变操作期间,管理半导体存储的系统也能够自由地访问存储单元。
  • 半导体存储器
  • [发明专利]与双速存储有关的设备和方法-CN202010115203.0在审
  • F·F·罗斯;M·A·布莱瑟 - 美光科技公司
  • 2020-02-25 - 2020-09-08 - G06F13/16
  • 本公开包含与双速存储相关的设备和方法。一种存储模块可以包含多个存储装置,所述多个存储装置通过第一数量的第一端口耦接到主机且通过第二数量的第二端口耦接到控制。所述存储模块可以被配置成以第一时钟速度在第一数量的端口上传送数据,并且以第二时钟速度在第二数量的端口上传送数据。一种示例设备可以包含:第一数量的存储装置,所述第一数量的存储装置通过第一数量的端口耦接到主机;以及第二数量的存储装置,所述第二数量的存储装置通过第二数量的端口耦接到所述第一数量的存储装置,其中所述第一数量的存储装置被配置成通过所述第一数量的端口以第一时钟速度在所述第一数量的存储装置与所述主机之间传送数据,并且所述第二数量的存储装置被配置成通过所述第二数量的端口以第二时钟速度在所述第一数量的存储装置与所述第二数量的存储装置之间传送数据。
  • 存储器有关设备方法
  • [发明专利]存储测试方法与存储测试系统-CN201811024655.7有效
  • 林小东;邱智鸿;罗焜聪;张朝凯 - 群联电子股份有限公司
  • 2018-09-04 - 2021-08-17 - G11C29/56
  • 本发明提供一种存储测试方法与存储测试系统。存储测试系统包括主机系统以及测试装置。主机系统包括处理。测试装置中对应于第一类存储存储装置的第一存储控制电路单元测试可复写式非易失性存储模块以获得第一测试信息。测试装置中对应于第二存储存储装置的第二存储控制电路单元根据第一测试信息测试可复写式非易失性存储模块以获得第二测试信息。处理根据第一测试信息以及第二测试信息,判断可复写式非易失性存储模块是否适用于前述第二存储存储装置。
  • 存储器测试方法系统
  • [发明专利]存储设备及其操作方法-CN201911375068.7在审
  • 李正浩;金暎植;白承柔;柳永光;李永根;李睿娜 - 三星电子株式会社
  • 2019-12-27 - 2020-10-20 - G06F3/06
  • 本公开涉及存储设备及其操作方法。一种包括第一存储区域和第二存储区域的存储设备的操作方法,包括:从第一存储区域读取第一数据并将读取的第一数据存储在数据缓冲块中,对从数据缓冲块提供的第一数据和从第二存储区域读取的第二数据执行第一XOR运算以生成第一结果数据,将存储在数据缓冲块中的第一数据写入第二存储区域,对第一数据和第一结果数据执行第二XOR运算以生成第二数据,将生成的第二数据存储在数据缓冲块中,以及将存储在数据缓冲块中的第二数据写入第一存储区域
  • 存储器设备及其操作方法

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