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- [发明专利]认证者、被认证者和认证方法-CN201180067076.0无效
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长井裕士;加藤拓;坂本广幸
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株式会社东芝
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2011-09-26
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2013-10-30
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H04L9/32
- 根据一个实施例,被认证者包括:存储器,其被配置为存储秘密信息XYmain、XYsub和秘密信息XYmainE、XYsubE;生成模块,其被配置为生成随机数A;生成模块,其被配置为生成随机数D,其包括所生成的随机数A和所接收的随机数B的至少一部分;生成模块,其被配置为根据从存储器加载的秘密信息XYmain、XYsub生成秘密信息XY;计算模块,其被配置为通过对随机数D和秘密信息XY的至少一部分执行压缩计算操作,生成数据C;生成模块,其被配置为生成数据ν;以及逐位加法模块,其被配置为根据数据ν和数据C计算结果Z。
- 认证方法
- [发明专利]认证者、被认证者和认证方法-CN201180067121.2无效
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长井裕士;加藤拓;坂本广幸
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株式会社东芝
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2011-09-26
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2013-10-09
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H04L9/32
- 根据一个实施例,一种被认证者包括:存储器,其被配置为存储秘密信息XY、通过至少两次的多次复制所述秘密信息XY而生成的秘密信息XY和秘密信息XYE;生成模块,其被配置为生成随机数A;生成模块,其被配置为生成随机数D,其包括所生成的随机数A和所接收的随机数B的至少一部分;计算模块,其被配置为通过对所述随机数D和从所述存储器加载的所述秘密信息XY的至少一部分执行压缩计算操作来生成数据C;生成模块,其被配置为生成数据ν;以及逐位加法模块,其被配置为根据所述数据ν和所述数据C计算结果Z。
- 认证方法
- [发明专利]存储器装置、电子装置以及主机设备-CN200880021066.1有效
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藤本曜久;坂本广幸
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株式会社东芝
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2008-06-19
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2010-03-31
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G06K17/00
- 本发明涉及存储器装置、电子装置以及主机设备。一种存储器装置(11)包括半导体存储器(11c)和控制器(11a)。半导体存储器(11c)包括第一存储区域(11c1)和第二存储区域(11c2)。控制器(11a)控制半导体存储器(11c)。存储器装置(11)能够具有可访问第一存储区域(11c1)的第一状态和可从第二存储区域(11c2)读取数据的第二状态。控制器(11a)被配置为识别第一命令、第二命令和第三命令。第一命令在存储器装置开启之后将存储器装置(11)转换为第一状态。第二命令将存储器装置(11)从第一状态转换为第二状态。第三命令在存储器装置开启之后将存储器装置(11)转换为第二状态而不经过第一状态。
- 存储器装置电子以及主机设备
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