“碳化硅陶瓷素坯”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果841050个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种硅/碳化硅复相陶瓷的制备方法-CN201911053391.2在审
发明人：张舸;范天扬;崔聪聪;董斌超;徐传享 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供了硅/碳化硅复相陶瓷的制备方法，包括以下步骤：冷等静压成型第一碳化硅陶瓷素坯；高温脱脂、浸渍改性得到第二碳化硅陶瓷素坯；干燥、机械加工得到第三碳化硅陶瓷素坯；渗硅烧结得到致密的碳化硅烧结体；清理碳化硅烧结体的表面残硅，得到硅/碳化硅复相陶瓷。本发明的硅/碳化硅复相陶瓷的制备方法在冷等静压成型碳化硅素坯时不加入炭黑，通过高温脱脂去除粘结剂，再通过浸渍改性提高素坯的强度，大大提高了素坯加工性能，同时引入的小粒径碳源可降低烧结体的硅含量，提高了硅/碳化硅复相陶瓷的力学性能。
复相陶瓷碳化硅碳化硅陶瓷素坯冷等静压成型碳化硅烧结体高温脱脂浸渍改性制备致密碳化硅素坯机械加工力学性能素坯加工烧结烧结体小粒径粘结剂渗硅素坯炭黑去除引入

[发明专利]凝胶注模成型米级碳化硅陶瓷素坯无阻力干燥装置及方法-CN201711019648.3有效
发明人：张舸;董斌超;张学军;崔聪聪;曹琪;包建勋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： B28B11/24 文献下载
摘要：本发明公开一种凝胶注模成型米级碳化硅陶瓷素坯无阻力干燥方法及装置，方法包括：提供干燥工装，包括面板、外框和背部支撑板；将干燥工装与碳化硅陶瓷素坯进行装配，两者之间用硅胶填充；利用干燥工装将碳化硅陶瓷素坯干燥过程中放置于底面的部分翻转置于上方，拆除背部支撑板，取下碳化硅陶瓷素坯与背部支撑板之间的硅胶；重新安装背部支撑板，将万向球固定至背部支撑板上，调节高度使其与碳化硅陶瓷素坯接触，并施加预紧力；利用干燥工装将碳化硅陶瓷素坯干燥过程放置于底面的部分翻转置于下方，让所有万向球均匀承受碳化硅陶瓷素坯重力；拆除面板；将外框、背部支撑板和碳化硅陶瓷素坯吊入干燥液中，对碳化硅陶瓷素坯进行干燥。
凝胶成型碳化硅陶瓷素坯无阻力干燥装置方法

[发明专利]一种碳化硅素坯的加工方法-CN201710736856.9有效
发明人：王晓波;贺智勇;张启富;千粉玲;史晓强 -专利权人：北京钢研新冶精特科技有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： B28B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅素坯的加工方法，属于陶瓷加工技术领域，解决了现有技术中碳化硅素坯加工过程中容易出现崩边以及加工量预留较大的问题。该加工方法通过加工碳化硅素坯的外形、去除部分预留毛坯、加工至素坯预设厚度、加工通孔等步骤，得到碳化硅素坯。本发明提供的碳化硅素坯的加工方法可用于加工碳化硅素坯。
碳化硅素坯加工预留陶瓷加工技术加工通孔加工量崩边可用毛坯素坯预设去除

[发明专利]多孔碳化硅陶瓷及其制备方法-CN202010240791.0在审
发明人：刘海林;黄小婷;李荟;胡传奇 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明是关于一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其包括：将碳化硅微粉、烧失剂、陶瓷粘结剂、单体、交联剂、分散剂和水混合，得到碳化硅陶瓷料浆；在所述陶瓷料浆中加入引发剂，经真空除气后，进行注模成型，在10‑80℃条件下，进行交联固化，脱模后，形成陶瓷素坯；陶瓷素坯经干燥后，进行烧结，得到多孔碳化硅陶瓷。本发明采用凝胶注方法制备多孔碳化硅陶瓷素坯，陶瓷素坯中添加同碳化硅颗粒性能相近的陶瓷粘结剂，经高温烧结得到多孔碳化硅陶瓷。本发明制备的多孔陶瓷具有孔径、孔隙率可任意调整，材料显微结构均一、气流通道均匀、强度高、耐磨性好、耐腐蚀性能好的特性。
多孔碳化硅陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜及其制备方法-CN202210610312.9有效
发明人：闫春泽;刘桂宙;王长顺;欧阳震;史玉升 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜及其制备方法。所述方法包括：将表面包覆有聚碳硅烷的碳化硅粉末作为打印粉末，采用增材制造技术根据梯度多孔的三维结构打印碳化硅素坯；碳化硅素坯中碳化硅的体积分数沿着Z轴方向线性变化；将碳化硅素坯进行高温裂解处理得到碳化硅陶瓷体；然后对碳化硅陶瓷体进行预氧化处理；再采用液态铝合金填充碳化硅陶瓷体得到铝基碳化硅镜坯；在铝基碳化硅镜坯的一表面上沉积SiC致密层，所述表面为碳化硅的体积分数最大的一面；对SiC致密层表面进行抛光处理，得到高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜。本发明解决了坯体与镜面的组分差异过大、结合力差、热匹配性能差的技术问题。
一种比分梯度碳化硅复合材料反射及其制备方法

[发明专利]采用液相烧结制备以氧化锆为增韧相的碳化硅陶瓷的方法-CN201410363201.8有效
发明人：梁汉琴;黄政仁;刘学建;姚秀敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用液相烧结制备以氧化锆为增韧相的碳化硅陶瓷的方法，所述方法包括：1）将含有SiC粉体、Al2O3粉体、Y2O3粉体和ZrO2粉体的原料与溶剂均匀混合得到碳化硅陶瓷浆料；2）将碳化硅陶瓷浆料干燥后、粉碎、研磨、过筛得到碳化硅陶瓷粉体；3）将碳化硅陶瓷粉体通过干压、等静压处理得到碳化硅陶瓷素坯；4）将碳化硅陶瓷素坯烧结。
采用烧结制备氧化锆增韧相碳化硅陶瓷方法

[发明专利]碳化硅陶瓷阀芯及其制备方法-CN201810117066.7在审
发明人：张玉强;黄政仁;刘学建;陈忠明;杨金晶;姚秀敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C04B35/577 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅陶瓷阀芯及其制备方法，所述碳化硅陶瓷阀芯包括阀芯主体和阀芯头部，所述阀芯主体的外径小于200mm，阀芯头部的外径大于10mm，且所述阀芯主体的外径和阀芯头部的外径之比为1.5～3，所述方法包括：将碳化硅喷雾造粒粉体装入模套密封后直接冷等静压成型，再经烘干，得到碳化硅陶瓷素坯；所述冷等静压成型的压力为120～230MPa，保压时间为3～20分钟；将所得碳化硅陶瓷素坯经机械加工和脱粘后，在2000～2280℃下烧结一定时间，再经精加工，得到所述碳化硅陶瓷阀芯；所述碳化硅陶瓷素坯的机械加工后的尺寸为碳化硅陶瓷阀芯按照烧结后线收缩率16～23%进行放大后的尺寸。
碳化硅陶瓷阀芯碳化硅陶瓷素坯阀芯头部阀芯主体冷等静压成型机械加工烧结制备喷雾造粒粉体收缩率碳化硅精加工保压烘干模套脱粘装入密封放大

[发明专利]反应烧结碳化硅陶瓷素坯的连接方法-CN201510274287.1有效
发明人：王兴;张舸;赵汝成;赵文兴 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应烧结碳化硅陶瓷素坯的连接方法，属于碳化硅陶瓷素坯制备技术领域。解决了现有技术中碳化硅陶瓷素坯的连接方法无法降低连接料与待连接母材之间的热失配，导致接头的热应力大、结合强度低，且操作复杂等技术问题。本发明的方法，是先将模具通过隔板分为1#和2#两个区域，然后对1#区域的模具的内表面和隔板表面进行处理，再对1#区域注浆并固化，将得到的碳化硅素坯保湿后，卸去隔板和金属薄膜，在连接面上涂刷水基引发剂后，对2#区域注浆并固化，得到的碳化硅连接件素坯经预烧结和反应烧结后，得到碳化硅陶瓷连接件。
反应烧结碳化硅陶瓷连接方法

[发明专利]一种高性能碳化硅/炭黑陶瓷素坯的凝胶注模成型方法-CN202310434763.6在审
发明人：黄政仁;王承宇;陈忠明;刘学建;杨金晶;孙安乐;姚秀敏;刘桂玲;刘雷敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B28C3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高性能碳化硅/炭黑陶瓷素坯的凝胶注模成型方法，包括将海因环氧树脂、分散剂溶解在去离子水中得到预混液；将预混液和炭黑、碳化硅粉体、固化剂、消泡剂混合均匀得到陶瓷浆料；真空除气泡，注模固化，本发明的技术方案解决了目前碳化硅/炭黑浆料体系粘度大、素坯强度低的问题，制备的碳化硅陶瓷素坯强度大，致密度高并具有足够强度承受机加工，适用于反应烧结制备碳化硅空间反射镜和光刻机用碳化硅方镜等大尺寸复杂结构碳化硅陶瓷结构件
一种性能碳化硅炭黑陶瓷凝胶成型方法

[发明专利]一种高耐磨氮化物结合碳化硅复合陶瓷过流件的制备方法-CN202110440632.X有效
发明人：吕春江;曹会彦;李杰;王在峰;刘云;程竹;张新华;王佳平;刘臻 -专利权人：中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司;山东章鼓耐研新材料科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅耐磨陶瓷材料的制备技术领域，涉及一种高耐磨氮化物结合碳化硅复合陶瓷过流件的制备方法。涉及的一种高耐磨氮化物结合碳化硅复合陶瓷过流件的制备方法中氮化物结合碳化硅复合陶瓷过流件的主原料选用碳化硅含量98%以上的磨料级黑碳化硅颗粒和细粉、碳含量99%以上的石墨碎颗粒和硅含量98%以上的金属硅粉；选不同种类的临时粘结剂或胶凝剂，半干法模压或湿法注模等方式成型所需外形的素坯；素坯脱模干燥，制得不溶水的干素坯，干素坯进行真空浸水处理，二次烘干后装窑；纯氮气气氛下，高温下氮化烧结，制得高耐磨氮化物结合碳化硅复合陶瓷过流件产品本发明提高了碳化硅复合陶瓷过流件的综合使用性能。
一种耐磨氮化物结合碳化硅复合陶瓷制备方法

[发明专利]一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体及其制备方法-CN201510323372.2有效
发明人：刘桂玲;苏碧哲;黄政仁;刘学建;陈忠明;杨勇;姚秀敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体及其制备方法，包括：1）将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛、并干压成型得到陶瓷素坯；2）将陶瓷素坯在真空条件、600℃～1050℃下加热裂解；3）将热裂解后的陶瓷素坯在氮气气氛、1500℃～1750℃下进行碳热还原反应；4）将碳热还原反应后的陶瓷素坯研磨过筛，即得到氮化铝和碳改性的碳化硅陶瓷粉体。采用本发明方法制备的氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体中，氮化铝固溶进入碳化硅晶格，后期烧结实验结果表明粉体烧结活性得到了提高。
一种氮化改性碳化硅陶瓷及其制备方法

[发明专利]碳化硅陶瓷管烧结用石墨槽、高性能碳化硅陶瓷管及其制备方法-CN202010916121.6有效
发明人：黄政仁;张玉强;刘学建;陈忠明;杨金晶;裴兵兵;姚秀敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： F27D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅陶瓷管烧结用石墨槽、高性能碳化硅陶瓷管及其制备方法，所述石墨槽为具有圆弧顶角的V型石墨槽，其中：所述圆弧顶角的圆弧部分的直径=所需碳化硅陶瓷管的外径+（0.1～0.3）mm，V型石墨槽的角度α=2×arcsin（m/M）‑x，其中0≤x≤2，其中m为将碳化硅陶瓷管素坯放在平面石墨板上进行脱脂和烧结后所得碳化硅陶瓷管的外径圆度能保持在±0.1mm时对应的碳化硅陶瓷管素坯的最大单位长度质量；M为待脱脂和烧结的碳化硅陶瓷管素坯的单位长度质量，m＜M≤8.0g/cm。该石墨槽可使得碳化硅陶瓷管在烧结收缩过程结束时是最大程度贴合该圆弧顶角之中，实现了陶瓷管材的直线度、圆度和强度的提升。
碳化硅陶瓷烧结石墨性能及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅复相陶瓷及其制备方法-CN202310058053.8在审
发明人：王东;黄海兴;石威;李伟强;王强 -专利权人：潍坊华美智能科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅复相陶瓷材料及其制备方法，本发明通过以具有特定参数(粒径、角形系数、堆积密度)的碳化硅粉体为原料，结合3D打印过程中的对铺层粉体进行抽气并低频震动的操作，实现了高密度的碳化硅陶瓷材料素坯，所制备得到的碳化硅陶瓷材料素坯的密度可达1.90g/cm3。制备同样素坯密度的碳化硅复相陶瓷材料，降低了后续的增密处理的次数，简化了工艺，节约能源。
一种碳化硅陶瓷及其制备方法

[发明专利]多孔碳化硅陶瓷及其制备方法-CN202011492478.2有效
发明人：刘国彬 -专利权人：深圳市德澳美科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C04B35/577 文献下载
摘要：本申请涉及碳化硅陶瓷领域，具体公开了一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法。该多孔碳化硅陶瓷包括以下重量份数的组分：碳化硅微粉80~100份、烧结助剂2~10份、造孔剂1~5份、交联剂1~5份、分散剂3~6份、去离子水45~55份，造孔剂为粒径是1~30μm秸秆微粉；其制备方法为：将碳化硅微粉、烧结助剂、交联剂、分散剂、去离子水混合并进行搅拌，然后加入造孔剂和催渗剂并于真空条件下搅拌得到碳化硅陶瓷浆料；对碳化硅陶瓷浆料进行真空抽滤后放入模具中烘烤得到多孔碳化硅陶瓷素坯，将多孔碳化硅陶瓷素坯在氩气气氛下进行烧结，得到多孔碳化硅陶瓷。本申请制得的多孔碳化硅陶瓷环保性好、成本低，孔隙率大且性能优异。
多孔碳化硅陶瓷及其制备方法

[发明专利]反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法-CN201710014820.X有效
发明人：姚鹏;牛佳慧;黄传真;张志宇;薛栋林;朱洪涛;王冲 -专利权人：山东大学;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-01-09 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： B24C1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应烧结碳化硅表面残留物的磨料水射流选择性去除方法，属于碳化硅陶瓷素坯表面处理技术领域，其在一定的加工参数下，对碳化硅陶瓷素坯进行磨料水射流铣削，其中，所述的加工参数满足的条件是：磨料水射流的射流能量仅仅铣削掉硅而不足以去除碳化硅本发明解决了现有技术中，依靠人工打磨反应烧结碳化硅表面残留物的耗费人力物力、加工效率低且工作环境恶劣等问题。本发明采用磨料水射流对反应烧结而成的碳化硅陶瓷素坯进行铣削加工，可以有效去除陶瓷表面残留的硅凸起，且对碳化硅陶瓷没有损伤。故本发明属于一种选择性表面处理技术。
反应烧结碳化硅表面残留物磨料水射流选择性去除方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条