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[发明专利]一种用于地下结构的防水混凝土及其制备方法-CN202211690763.4在审
发明人：乔启信;朱华林 -专利权人：安徽朗凯奇建材有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B28/04 文献下载
摘要：本发明在制备用于地下结构的防水混凝土时，先将碳化硅晶须依次和烯丙基三乙氧基硅烷、三烯丙基硅烷反应后，再依次和盐酸、氨基钠反应制得改性碳化硅晶须；将碳酸钠、硅酸钠、偏铝酸钠、EDTA四钠、甘氨酸混合配制成活性添加剂；将增稠剂、调凝剂、减水剂混合配制成常规添加剂；将氢氧化钠和水玻璃混合配制成碱激发剂；将水泥、改性碳化硅晶须、骨料、氧化铝微粉、二氧化硅微粉、石膏粉、活性添加剂、常规添加剂、碱激发剂、聚乙二醇和纯水混合后浇筑并养护制得地下结构的防水混凝土
一种用于地下结构防水混凝土及其制备方法

[发明专利]一种海苔渣制备碳化硅晶须复合聚四氟乙烯摩擦材料的方法-CN201510997510.5在审
发明人：高玉梅;盛艳花;高力群 -专利权人：常州亚环环保科技有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： C08L27/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种海苔渣制备碳化硅晶须复合聚四氟乙烯摩擦材料的制备方法，属于摩擦材料制备领域。本发明利用废弃海苔碎渣，与盐酸、蒸馏水混合，加热升温吸水溶胀后，进行二次酸解，干燥得海苔微晶纤维素，超声分散制得催化分散液，与正硅酸乙酯、无水乙醇水浴加热混合，过滤收集滤饼，焙烧后，与聚四氟乙烯粉末混合成膜，再次焙烧制得碳化硅晶须复合聚四氟乙烯摩擦材料。本发明的有益效果是：本发明制备方法简单，所得产品耐磨性和抗蠕变性能好，可充分分散至其他材料中，与其他材料粘结性好；充分利用废弃海苔碎渣制备碳化硅晶须复合聚四氟乙烯摩擦材料，实现了资源的可持续循环利用。
一种海苔制备碳化硅复合聚四氟乙烯摩擦材料方法

[发明专利]一种碳化硅衬底的制备方法及碳化硅衬底-CN202210502400.7在审
发明人：欧欣;伊艾伦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供一种碳化硅衬底的制备方法，包括：获取第一碳化硅晶圆和第二碳化硅晶圆；对所述第一碳化硅晶圆和所述第二碳化硅晶圆分别进行离子注入，得到第一离子注入后的第一碳化硅晶圆和离子注入后的第二碳化硅晶圆；对所述第一离子注入后的第一碳化硅晶圆进行离子注入，得到第二离子注入后的第一碳化硅晶圆；将所述第二离子注入后的第一碳化硅晶圆和所述离子注入后的第二碳化硅晶圆进行键合，得到键合晶圆；对所述键合晶圆进行退火处理，得到第三碳化硅晶圆。该种制备方法，可以解决现有技术中碳化硅衬底产能不足、单片衬底成本高及通过离子束技术制备的碳化硅衬底存在界面性能损耗的问题，从而实现高质量、低成本的碳化硅衬底制备。
一种碳化硅衬底制备方法

[其他]增强陶瓷切削刀具-CN86102489无效
发明人：詹姆斯·F·霍迪斯;查斯特·J·德茨德茨克;罗纳德·L·比蒂 -专利权人：大西洋里奇费尔德公司
申请日： 1986-03-13 - 公布日： 1986-11-12 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：这里所公开的切削刀具是由混合体组成的，该混合体包括用陶瓷晶须增强的陶瓷基体。其中陶瓷基体可以是氧化铝或氮化硅，也可以含有韧化组分。其中晶须最好是碳化硅，但也可以其它已知陶瓷晶须。在混合物中晶须含量为2～40％，一般用于间歇切削条件下的刀具的晶须含量更高些，而用于连续切削条件下的刀具的晶须含量更低些。
增强陶瓷切削刀具

[发明专利]一种高强度烟气过滤材料的制备方法-CN201810199231.8在审
发明人：雷广云;何伟仁;陈可 -专利权人：江苏新亿源环保科技有限公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： B01D39/14 文献下载
摘要：本发明涂层液所含玻璃粉主要成分为二氧化硅，有极强的抗酸碱能力，即使遇到硫和硫的氧化物或氮的氧化物等酸性气体也不会发生化学反应，在500～600℃能够稍微软化作为润滑剂降低玄武岩在高温下由于膨胀带来的挤压应力，聚碳硅烷和玻璃粉在高温下会裂解为碳化硅晶须，碳化硅晶须填充于过滤材料中可减小气孔，提高过滤材料的高温耐压强度，聚四氟乙烯和玻璃粉通过聚碳硅烷紧密结合，再经高温烧成后通过碳化硅结合，由于碳化硅具有极高的结合强度，另外，碳化硅还可与氧化铝溶胶在高温下反应形成氧化铝‑二氧化硅薄膜，从而进一步提高过滤材料的高温耐压强度，应用前景广阔。
过滤材料玻璃粉碳化硅烟气过滤材料碳化硅晶须聚碳硅烷氧化物耐压制备玄武岩二氧化硅薄膜应用前景广阔制备技术领域化学反应聚四氟乙烯氧化铝溶胶二氧化硅高温烧成环境治理挤压应力酸性气体抗酸碱润滑剂涂层液氧化铝减小裂解软化填充膨胀

[发明专利]一种表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物-CN201510226048.9在审
发明人：查尔斯·罗伯特·克莱恩;罗振林;成民主 -专利权人：武汉森源驰新科技发展有限公司
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明描述了一种表面刻蚀的碳化硅纳米晶须复合物，由质量百分比含量为97.5％～99.45％的碳化硅斜方晶须；质量百分比含量为0.01％～0.05％的氧化铝斜方晶须；表面经过Na₂SiF
一种表面刻蚀碳化硅纳米复合物

[发明专利]碳化硅纤维强韧化陶瓷骨支架的激光制备方法-CN201310729011.9有效
发明人：帅词俊;彭淑平;韩子凯;高成德;冯佩 -专利权人：中南大学
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C04B35/22 文献下载
摘要：针对现有生物陶瓷骨支架强度与韧性低的缺点，本发明提出了以生物陶瓷为基体，以SiC晶须纤维为增强体，以选择性激光烧结为工艺制备新型陶瓷多孔骨支架的方法，其优点在于：将碳化硅晶须纤维作为增强相添加到生物活性陶瓷中，利用碳化硅优异的力学性能以及晶须拔出、桥联和裂纹偏转效应大幅度提高陶瓷的强度和韧性；本发明的生物陶瓷骨支架具有高强度、高韧性、互联多孔性、可定制外形等特点，有望在承重或动载环境中使用。
碳化硅纤维强韧陶瓷支架激光制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202110388636.8在审
发明人：罗军;袁述;许静;张丹 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有碳化硅层；采用离子注入对所述碳化硅层进行轰击，以使所述碳化硅层的表层非晶化，形成碳化硅的非晶层；进行氧化工艺，以将所述碳化硅的非晶层氧化为氧化硅层通过采用离子注入对碳化硅层进行轰击，使碳化硅层的表层非晶化，形成碳化硅的非晶层，之后对碳化硅的非晶层进行氧化工艺，生成氧化硅层。相较于致密的碳化硅层，碳化硅的非晶层在进行氧化工艺时具有更快的氧化速度，并且碳化硅的非晶层在进行氧化工艺时，通过固相外延再次生长，能够改善SiC和氧化硅的界面质量。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种碳化硅晶圆的正面加工方法-CN202210971865.7在审
发明人：严立巍;刘文杰;马晴;林春慧 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆的正面加工方法，本发明包括以下步骤：S11、取一个带有气孔的耐高温载板，将一个完成前段制程的碳化硅晶圆背面贴附到耐高温载板上，再从耐高温载板底部采用抽气设备进行抽气，将碳化硅晶圆吸附到耐高温载板上；S12、对步骤S11中得到的碳化硅晶圆，首先在碳化硅晶圆正面进行碳沉积，使得碳沉积层碳化硅晶圆外侧为碳化硅晶圆提供保护，方便对碳化硅晶圆的正面进行加工，不但无需直接对碳化硅晶圆进行蚀刻，而且通过带有气孔的耐高温载板对碳化硅晶圆进行吸附承载，无需对碳化硅晶圆和耐高温载板进行永久键合，使得对碳化硅晶圆正面的加工工艺的难度更低。
一种碳化硅正面加工方法

[发明专利]一种碳化硅晶圆切片工艺-CN202211039735.6在审
发明人：严立巍 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶圆切片技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆切片工艺，本发明包括以下步骤：S1、取一个厚度为4‑6cm的碳化硅晶锭，在碳化硅晶锭的中心位置采用隐形激光切割，形成两个厚度为2‑3cm的碳化硅晶柱，然后对两个碳化硅晶柱进行分离，得到两个厚度一致碳化硅晶柱，通过对碳化硅晶锭采用激光隐形切割进行对半切割，可以得到256片厚度一致碳化硅薄片，不但可以使得碳化硅晶锭切割成碳化硅晶柱时不产生损耗，只产生最终对碳化硅薄片进行打磨时的损耗，能够降低切片产生的损耗，得到更多的碳化硅薄片，而且所有切割剥离得到的碳化硅薄片可以统一进行研磨抛光，有效的简化了加工工艺，提高了生产效率。
一种碳化硅切片工艺

[发明专利]一种碳化硅蜂窝陶瓷的制备方法-CN201410120766.3有效
发明人：蔡锴;邓平晔;郭栋;邹涛;张灵飞;黎爽 -专利权人：北京市理化分析测试中心
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅蜂窝陶瓷的制备方法，包括步骤：1）制备具有平行孔道的碳化硅蜂窝坯体；2）蜂窝坯体的排胶或脱脂；3）煅烧蜂窝坯体，得到具有孔道内壁伸展晶须结构的碳化硅蜂窝陶瓷。本发明方法制得的陶瓷基体部分颗粒结合紧密，蜂窝孔洞内壁生长成晶须，该蜂窝陶瓷耐高温、耐化学腐蚀等优良性能，适用于多种流体的过滤和净化。使用后的蜂窝陶瓷易于采用多种方法除去过滤物，可重复使用。
一种碳化硅蜂窝陶瓷制备方法

[发明专利]一种形貌控制合成链珠状一维碳化硅纳米晶须的方法-CN201210421074.3无效
发明人：李忠;谭德新;陈明功 -专利权人：安徽理工大学
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种形貌控制合成链珠状一维碳化硅纳米晶须的方法，所采取的技术方案是：将清洗干燥后的木粉或竹粉100～200g，于真空炉中在500～700℃下碳化1～2h得到生物质炭粉；将生物质炭粉和SiO2凝胶按本发明合成的一维碳化硅纳米晶须为链珠状，晶须长径比大；合成工艺简单，成本低，生产设备简单。
一种形貌控制合成链珠状一维碳化硅纳米方法

[发明专利]陶瓷及其制备方法和应用-CN201310116156.1有效
发明人：王小伟;夏小鸽 -专利权人：安徽美芝精密制造有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：其中陶瓷包含：陶瓷本体和晶须，晶须为选自三氧化二铝、碳化钛、碳化硅、氮化钛、氮化铝、氧氮化铝的至少一种，其中，晶须、硅氧化物和钙氧化物形成于陶瓷本体中。
陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]二元纳米协同强化增韧碳化硅陶瓷及其制备方法-CN200910099233.0无效
发明人：郭兴忠;杨辉;张玲洁;傅晓健 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-06-01 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明公开了一种二元纳米协同强化增韧碳化硅陶瓷的制备方法，以碳化硅粉体、钇铝石榴石、纳米颗粒和纳米晶须组成主原料，包括以下步骤：1)将上述主原料、粘结剂和分散剂加入到去离子水中，球磨混合后，配制成水基碳化硅料浆；2)采用喷雾造粒工艺对水基碳化硅料浆进行喷雾干燥；3)对所得的碳化硅造粒粉采用干压预压和冷等静压终压的两步方式成型；4)将所得的碳化硅素坯放入真空无压烧结炉中处理，得到二元纳米协同强化增韧碳化硅陶瓷。本发明还同时公开了根据上述方法所制备的二元纳米协同强化增韧碳化硅陶瓷。该碳化硅陶瓷具有抗弯强度大、断裂韧性优良等特性。
二元纳米协同强化碳化硅陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种低损耗的碳化硅晶圆切片方法-CN202210758478.5在审
发明人：严立巍;朱亦峰 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种低损耗的碳化硅晶圆切片方法，本发明包括以下步骤：S1、取一个厚度为3.5‑6cm的碳化硅晶锭，采用激光切割，切割成厚度为825‑4000μm的碳化硅晶柱；S2、对步骤S1中得到的碳化硅晶柱，采用激光隐形切割，在碳化硅上形成裂纹，在碳化硅晶柱上形成厚度为80‑200μm的碳化硅薄片和厚度为625‑3920μm的碳化硅厚片，然后在碳化硅薄片上涂布黏着剂，切片时，每次只产生打磨的损耗，对碳化硅切片时产生的损耗更小，对于每1000μm的碳化硅晶柱，能够分离出6个碳化硅薄片，比传统的多线切割技术不但能够分离出更多的碳化硅薄片，而且所产生的损耗更小，有效的降低碳化硅晶圆的加工成本
一种损耗碳化硅切片方法