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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种晶须表面包覆碳纳米管的混杂预制块制备方法-CN201811286154.6有效
发明人：张学习;钱明芳;耿林 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C22C47/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶须表面包覆碳纳米管的混杂预制块制备方法，涉及复合材料制备技术领域，技术方案为：碳纳米管预处理；碳化硅晶须预处理；制备碳纳米管/碳化硅晶须混合悬浮液；将粘结剂加入到混合液悬浮中，超声分散，水浴中搅拌浓缩，得到混合物浆料，将混合物浆料导入预制块模具中，室温放置后，施加压力，保持压力一段时间，得到湿预制块；湿预制块干燥后烧结，得到晶须表面包覆碳纳米管的混杂预制块。本发明将碳纳米管紧密、均匀包覆在晶须表面，获得微米直径的晶须与纳米直径的碳纳米管均匀分布的混杂预制块，借助碳纳米管在晶须表面的紧密吸附，避免后续预制块挤压铸造过程中压力作用下铝液的快速流动导致碳纳米管再次团聚的问题
一种表面包覆碳纳米混杂预制制备方法

[发明专利]一种碳化硅晶体加工后冷却方法-CN202211407190.X在审
发明人：管家辉;杨振华;杨阳 -专利权人：无锡上机数控股份有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体加工后冷却方法，属于碳化硅晶体加工领域，一种碳化硅晶体加工后冷却方法，包括有以下步骤：S1：真空静置、在真空环境下对碳化硅晶柱进行静置，直至其初步冷却成形后取出；S2：风力冷却、利用逐渐降低温度的风力对S1中取出的碳化硅晶柱进行降温，风力温度始终低于碳化硅晶柱温度并高于室温；S3：水力冷却、将风力冷却后的碳化硅晶柱放置在储水设备内部的冷却水中，利用冷却水对碳化硅晶柱进行降温；S4：冰沙冷却、将水力冷却后的碳化硅晶柱放置进入冰块内部，它可以实现，在碳化硅晶柱的不同温度区间利用风力、水和冰对碳化硅晶柱进行降温，提升降温效率。
一种碳化硅晶体加工冷却方法

[实用新型]一种碳化硅晶锭退火装置及碳化硅晶锭加工设备-CN202223498886.6有效
发明人：耿安东;刘春艳;周元辉;陈建明;杨洪雨;范子龙 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种碳化硅晶锭退火装置及碳化硅晶锭加工设备，涉及单晶硅生产加工技术领域。该碳化硅晶锭退火装置包括退火炉以及设置于退火炉内的退火罩，以通过退火罩将退火炉分隔为用于容置碳化硅晶锭的第一腔室和用于容置碳化硅粉末的第二腔室，退火罩上设置有通气孔，位于第二腔室内的碳化硅粉末分解得到的气体可经由通气孔通入第一腔室内并与位于第一腔室内的碳化硅晶锭接触反应该碳化硅晶锭退火装置能够解决现有技术中因碳化硅粉末与碳化硅晶锭直接接触而发生的烧结现象，从而有效提高碳化硅晶锭的产品质量。
一种碳化硅退火装置加工设备

[发明专利]一种金刚石-碳化硅复合陶瓷及其制备方法-CN202111626314.9在审
发明人：王凯;王松娟;王泳;陶刚;汪静 -专利权人：河南联合精密材料股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石‑碳化硅复合陶瓷及其制备方法，属于复合陶瓷领域。本发明的金刚石‑碳化硅复合陶瓷的制备方法，包括以下步骤：(1)将主要由金刚石微粉、硅粉、石墨粉、可碳化粘结剂和增韧材料制成的素坯进行碳化处理，得到多孔材料；所述增韧材料选自纳米金刚石、纳米陶瓷晶须、纳米线状碳材中的一种或任意组合本发明的金刚石‑碳化硅复合陶瓷的制备方法，以无机非金属纳米材料作为增韧剂，不仅可以提高金刚石‑碳化硅复合陶瓷的致密度，也可以提高金刚石‑碳化硅复合陶瓷的断裂韧性。
一种金刚石碳化硅复合陶瓷及其制备方法

[发明专利]反应烧结及微氧化处理制备多孔碳化硅陶瓷的方法-CN201510465513.4有效
发明人：夏鸿雁;杨少辉;王红洁;史忠旗;王继平;乔冠军;张阔;杨建锋 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应烧结及微氧化处理制备多孔碳化硅陶瓷的方法，首先将一定量的中间相碳微球和硅粉湿球磨，得到混合粉末，其次在室温下干压成型制备生坯，最后在微氧化处理下高温反应烧结得到多孔碳化硅陶瓷。微氧化处理下，原位生成了大量的碳化硅晶须；同时产生了SiO2玻璃相，促进了烧结的进行，并且在碳化硅颗粒之间形成了烧结颈。本发明操作简单，生产效率高，采用本发明方法制备的多孔碳化硅陶瓷孔径分布均匀，弯曲强度高，强度在孔隙率为32％时达到176MPa。
反应烧结氧化处理制备多孔碳化硅陶瓷方法

[发明专利]一种直写成型3D打印用碳化硅陶瓷基复合材料浆料及其制备方法-CN202211013354.0有效
发明人：刘勇;徐海超;王丽;彭传校;王侃;陈中华 -专利权人：山东大学;山东大学威海工业技术研究院
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明属于打印材料技术领域，尤其涉及一种直写成型3D打印用碳化硅陶瓷基复合材料浆料及其制备方法。本发明所述复合材料浆料按重量计份，包括55‑65份粉体颗粒；33.31‑43.56份溶剂；0.87‑1.12份粘结剂；0.27‑0.98份分散剂；其中粉体颗粒为碳化硅、碳黑、碳化硅晶须。本发明提供的碳化硅陶瓷基复合材料3D打印浆料，定量的加入粉体颗粒、粘结剂、分散剂和溶剂，所得浆料具有低粘度、高固相、流动性好等优势，可以制造出高精度、形状复杂和较大结构的碳化硅陶瓷基复合材料器件。
一种成型打印碳化硅陶瓷复合材料浆料及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅功率器件及其加工制造方法-CN202210800897.0在审
发明人：马腾;王国亮;王平原 -专利权人：深圳市坪芯微电子有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件技术领域，具体涉及一种碳化硅功率器件及其加工制造方法；本发明首先采用高温气相沉积法制备碳化硅晶锭，然后对碳化硅晶锭进行整形并获得碳化硅晶棒，然后对碳化硅晶锭进行切片并获得碳化硅晶片，然后对碳化硅晶片依次进行研磨、抛光、检测和清洗，从而获得碳化硅衬底，然后通过化学气相沉积法在碳化硅衬底的上表面上制备碳化硅外延层，从而获得碳化硅晶圆，然后通过离子注入机向碳化硅晶圆中注入铝离子用以形成P
一种碳化硅功率器件及其加工制造方法

[发明专利]一种碳化硅纳滤膜及其制备方法-CN202111230567.4在审
发明人：季家友;徐慢;李亮;陈常连;张贺贺;龚泽洲 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅纳滤膜及其制备方法。方法包括如下步骤：S1:将碳化硅粉、硅粉、第一塑化剂、第一粘结剂和第一溶剂按照一定比例混合后挤压成型、干燥、排胶、烧结后得碳化硅支撑体；S2:将碳化硅粉制成浆料，将S1制得的碳化硅支撑体的一表面浸泡于上述浆料中，然后干燥；S3:将纳米硅粉和一维碳源混合均匀形成混合物，负压涂覆技术将混合物涂覆在碳化硅支撑体的一表面，烧结得碳化硅纳滤膜。本发明通过法在多孔碳化硅支撑体的表面构筑三维碳网，然后原位生长碳化硅晶须，得到一种孔径可控、应用前景好的碳化硅纳滤膜，其具有优异的高温机械强度、良好的耐强酸强碱性和高导热性、低热膨胀系数和高抗热冲击性，
一种碳化硅滤膜及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅增强陶瓷基复合材料-CN201410814445.3在审
发明人：岑伟;郭雷 -专利权人：青岛麦特瑞欧新材料技术有限公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： C04B35/488 文献下载
摘要：一种碳化硅增强陶瓷基复合材料，由下列重量份的原料组成：方解石9-12、氧化镁4-5、石英7-9、氧化锆65-70、氮化硅18-25、纳米氧化钛5-7、碳化硅晶须20-30、锂瓷石4-6、碳酸钠1-2、十二烷基苯磺酸钠0.6-0.9、聚丙烯酸1-1.5、聚乙烯醇1.2-1.6、抗磨助剂4-5；本发明的陶瓷添加了碳化硅晶须、纳米氧化钛，使得陶瓷具有极高的硬度，更好的韧性和导电性能，抗磨、耐高温性能，该陶瓷用于制作切削刀具
一种碳化硅增强陶瓷复合材料

[发明专利]一种结构化催化材料及在VOCs催化燃烧过程中的应用-CN201910340327.6有效
发明人：张劲松;矫义来;管亚男;田冲;刘强 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： B01J27/224 文献下载
摘要：该催化材料采用具有多孔结构、高热导率、高强度的泡沫碳化硅作为载体，在其表面原位生长碳化硅晶须作为二次载体，在二次载体表面负载贵金属、金属氧化物或两者的混合物作为活性组分，构成结构化催化材料。由于碳化硅陶瓷具有高热导率、高孔隙率，可以强化传质、传热，从而稳定催化活性组分。表面生长晶须的泡沫碳化硅，单位体积催化剂载体外表面积增大，有利于负载更多的催化活性组分，表现出良好的VOCs催化氧化性能。
一种结构催化材料 vocs 燃烧过程中的应用

[发明专利]碳化硅晶圆减薄方法-CN202010305427.8在审
发明人：贺冠中;姚雪霞 -专利权人：深圳方正微电子有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶圆减薄方法，其包括：在碳化硅晶圆背面淀积铝；将所述碳化硅晶圆在高温的反应气体环境中进行热退火，以使所述碳化硅晶圆背面的硅与所述铝互溶，并使得碳析出；去除所述碳化硅晶圆背面的所述铝、互溶的所述铝、互溶的所述硅以及析出的所述碳，以实现对所述碳化硅晶圆的减薄。其优点是：利用铝在高温下与碳化硅中的硅发生互溶反应，来改变碳化硅背面表层的物理化学性质，从而降低其表层的硬度，达到能正常使用传统硅片减薄机台对碳化硅晶圆进行减薄的目的。
碳化硅晶圆减薄方法

[发明专利]一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法-CN202010641062.6在审
发明人：李东键;叶宏伦;钟健;张本义;姜政余 -专利权人：璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法，其包括以下步骤：步骤1、根据所需尺寸及形状裁切碳化硅晶圆，并对碳化硅晶圆表面进行清洁处理；步骤2、在碳化硅晶圆上外延生长阻隔层；步骤3、对碳化硅晶圆进行图形化光刻处理，并在碳化硅晶圆上形成阻隔区域和开放区域，其中，开放区域没有阻隔层；步骤4、采用化学沉积横向外延过生长方法在碳化硅晶圆上生长碳化硅外延层，即可形成高质量籽晶。
一种碳化硅 pvt 长晶用高质量籽晶制备方法

[发明专利]一种铝熔体超声波净化系统导入杆的制备方法-CN201611064941.7在审
发明人：郑新才;曹海军;刘伟 -专利权人：国网河南省电力公司商丘供电公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝熔体超声波熔体净化系统导入杆的制备方法，第一步，将质量比为30~90%氧化铝粉末、1%~30%的碳化硅粉末和1%~20%的氮化硅粉末充分混合；第二步，将上述混合物放入在60~80℃下压铸成型；第三步，成型坯料在电阻炉或中频感应炉中加热至1200~1500℃，至一定时间后加压至10～15MPa，最终制得所需形状的晶须强化氧化铝陶瓷导入杆。本发明通过使用氮化硅和碳化硅等晶须或长纤维对氧化铝陶瓷进行复合增韧；晶须增韧陶瓷基体，使其可长期承受超声波的能量传递和冲击，提高探头在高温熔体中的使用寿命至七天以上。
一种铝熔体超声波净化系统导入制备方法

[发明专利]一种制备纳米晶碳化硅/非晶态碳化硅/石墨复合负极材料的方法-CN201010120764.6无效
发明人：张少波;张泽森;张洪涛 -专利权人：张少波;张泽森;张洪涛
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01M4/1393 文献下载
摘要：本发明提供一种制备锂离子电池纳米晶碳化硅/非晶态碳化硅/石墨复合负极材料的方法，它由纳米晶碳化硅、非晶态碳化硅和石墨组成,其中纳米晶碳化硅和非晶态碳化硅含量为50～100％，余量为石墨。一种纳米晶碳化硅/非晶态碳化硅/石墨复合负极材料的制备可以通过如下步骤实现：(一)配制混合溶胶；(二)搅拌；(三)凝胶化处理；(四)将得到的凝胶置于坩埚内，把盛有凝胶的坩埚放在气氛反应炉中，抽真空；(五)向气氛反应炉内通入氩气；(六)在惰性气氛中烧结；(七)冷却到室温，即得到纳米晶碳化硅/非晶态碳化硅/石墨的混合物。
一种制备纳米碳化硅晶态石墨复合负极材料方法

[发明专利]一种氧化锌晶须加热炉及其控制方法-CN202211549443.7在审
发明人：何秀琼;何清泉;红艳;王鹏吉;刘阳 -专利权人：成都天佑晶创科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌晶须加热炉及其控制方法，氧化锌晶须加热炉包括炉体、晶须收集槽及与炉盖连接的升降机构；炉盖上转动连接有锌丝缠绕机构；晶须收集槽的连接杆顶端设置有卡槽，中部开设有环形槽；锌丝缠绕机构上连接有碳化硅连接杆，碳化硅连接杆与卡槽配合；支撑框架上固定连接有旋转台，旋转台上固定有向炉体方向延伸的第一电动伸缩机构，第一电动伸缩机构上固定连接有第二电动伸缩机构，第二电动伸缩机构连接有与环形槽配合的卡爪；控制器与升降机构本方案可以实现晶须收集槽全自动取出和安装，无需高温时人工借助工具或者等待晶须收集槽冷却后取出，保证了氧化锌晶须生产的安全性。
一种氧化锌加热炉及其控制方法

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