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[发明专利]二维碲纳米片及其制备方法和应用-CN201810135123.4在审
发明人：张晗;谢中建 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维碲纳米片，所述二维碲纳米片的厚度为1‑50nm。本发明提供的二维碲纳米片具有优良的光电探测性能。本发明还提供了一种二维碲纳米片的制备方法，包括以下步骤：提供碲原料，采用液相剥离的方法对所述碲原料进行剥离，得到二维碲纳米片，所述二维碲纳米片的厚度为1‑50nm。本发明首次采用液相剥离的方法由非层状的碲原料制得二维碲纳米片，剥离效果良好，且可以实现大规模制备二维碲纳米片，成本较低，制备方法简单易操作。本发明还提供了所述二维碲纳米片在光探测器中的应用。
纳米片二维制备剥离制备方法和应用剥离效果光电探测光探测器应用

[发明专利]一种导电性碲化锌靶材的制备方法-CN202110445521.8在审
发明人：文崇斌;余芳;朱刘;童培云;胡智向;曾成亮 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电性碲化锌靶材的制备方法。本发明导电性碲化锌靶材的制备方法包括以下步骤：将碲化锌粉末和碲化亚铜粉末混合均匀后进行热压烧结，得到导电性碲化锌靶材；其中热压烧结过程中，在500～900℃下加压至45～70MPa，再保温保压。本发明通过在碲化锌中掺杂碲化亚铜，使所得碲化锌靶材具有非常好的导电性；采用碲化锌粉末和碲化亚铜粉末作为原料，并在较低温度下进行热压烧结，避免烧结过程出现偏析，确保所得碲化锌靶材具有良好的均匀性；同时在烧结过程中施压，使所得碲化锌靶材具有较高的密度。
一种导电性碲化锌靶材制备方法

[发明专利]一种从含金、银和铜碲渣浸出碲的工艺-CN202211520424.1在审
发明人：许化龙;彭志平;邓永喜 -专利权人：郴州雄风环保科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种从含金、银和铜碲渣浸出碲的处理工艺，通过2个步骤回收碲渣中的碲，分别为（1）将金、银和铜碲渣研磨，制得金、银和铜碲渣粉末，将金、银和铜碲渣粉末和氢氧化钠、硝酸钠和碳酸氢钠混合，将混合后的碲渣粉末放入反应炉中，煅烧，加入氧化剂反应，制得氧化焙烧后金、银和铜碲渣；（2）将氧化焙烧后金、银和铜碲渣使用水蒸气法在80‑90℃，反应时间为4‑5h浸出碲，制得碲液，本发明的处理工艺具有操作简便，回收率高等优点。
一种铜碲渣浸出工艺

[发明专利]一种制备碲酸的方法-CN201410250844.1有效
发明人：王波;朱刘;刘留;朱世明;朱世会 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备碲酸的方法，包括以下步骤：将碲粉与过氧化氢在水中混合，进行氧化还原反应，得到碲酸溶液，所述碲粉的纯度大于99.9％，所述碲粉的粒度小于325微米；将所述碲酸溶液进行浓缩结晶，得到碲酸本发明提供的方法以纯度大于99.9％、粒度小于325微米的碲粉为原料，将其与过氧化氢在水中进行氧化还原反应，得到碲酸。本发明采用纯度大于99.9％、粒度小于325微米的碲粉为原料，且原料不会引入新的杂质，制备得到的碲酸具有较高的纯度，且具有较高的产品得率。实验结果表明，本发明提供的方法得到的碲酸为5N级别，杂质总含量小于10ppm，产品收率可达到77.23％。
一种制备方法

[发明专利]一种测定高硒碲渣中碲的分析方法-CN201510799181.3有效
发明人：郑省政;余江鸿;王同敏;王红燕;方彦霞;路军兵;张彦翠;齐白羽;赵海军;展之旺;谷雅楠 -专利权人：西北矿冶研究院
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： G01N21/79 文献下载
摘要：本发明提供了一种测定高硒碲渣中碲的分析方法，采用硝酸、硫酸对样品进行溶解，硫酸冒烟使硒以溴化物形式挥发除去，在大于10mol/L的盐酸介质中氯化氢定量将高价碲（Ⅵ）还原为低价碲（Ⅳ），硫酸银以氯化银沉淀的形式除去氯离子的干扰，高锰酸钾将低价碲（Ⅳ）定量氧化为高价碲（Ⅵ），硫酸亚铁对过量高锰酸钾进行还原，从而间接测得样品中碲的含量；采用盐酸作为还原剂和络合剂，高锰酸钾作为氧化剂，硫酸亚铁进行间接滴定的方法对高硒碲渣中的碲进行分析测定，解决了在对高硒碲渣中碲进行回收利用时，碲难以准确测定的困局。
一种测定高硒碲渣中碲分析方法

[发明专利]一种脱除固体碲粉中杂质硒的方法-CN200710303633.X无效
发明人：马玉天;陈国梁;王兴;陈大林;张波;陈云峰;吴志明 -专利权人：金川集团有限公司
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：一种脱除固体碲粉中杂质硒的方法，涉及一种用于湿法处理铜阳极泥工艺中产生的含碲中间物料或火法处理铜、铅阳极泥工艺中产生的含碲渣中杂质硒的脱除方法。其特征在于其脱除过程是将粗碲粉加入亚硫酸钠溶液进行溶解，过滤，滤渣用水洗涤而脱除固体碲粉中杂质硒。本发明的方法实现了固体硒和碲的高效分离，使粗碲粉中硒的脱除率大于90.4％，其它杂质元素含量也有不同程度的降低，固体碲粉中碲含量大于96％，大大提高了固体碲粉中碲的主品位。
一种脱除固体碲粉中杂质方法

[发明专利]基于超薄纳米线和基于纳米级异质结构的热电转换结构及其制备方法-CN201180020572.0无效
发明人：吴越;张根强 -专利权人：普度研究基金会
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：公开包含碲的杆状结晶结构的超薄碲纳米线结构，其中结晶结构由5-6nm之间的直径限定。此外，公开包含碲化铅和碲化铋之一的杆状结晶结构的超薄碲基纳米线结构，其中超薄碲纳米线结构用作前体以产生杆状结晶结构。而且，公开包含哑铃状结晶异质结构的纳米级异质结构碲基纳米线结构，该哑铃状结晶异质结构具有中心杆状部分和连接至各中心杆状部分的各端的一个八面体结构，其中中心杆状部分是碲基纳米线结构并且八面体结构是碲化铅、碲化镉和碲化铋之一。
基于超薄纳米级异质结构热电转换及其制备方法

[发明专利]碲化镉晶体的生长方法-CN202111266820.1在审
发明人：狄聚青;李康;苏湛 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本公开提供一种碲化镉晶体的生长方法，包括以下步骤：步骤一，将碲化镉籽晶置于坩埚底部，碲‑镉混合料置于籽晶之上，密封坩埚；步骤二，将坩埚放入生长炉内，设置加热器温度T，使碲‑镉混合料熔化；步骤三，碲逐渐蒸发，并在坩埚顶部封泡位置凝固；步骤四，随着碲在混合原料中含量的降低，碲化镉析出，并在籽晶上结晶生长，直至碲完全蒸发，晶体生长完成。本公开的碲化镉晶体的生长方法制备的碲化镉晶体，具有单晶率高、位错密度低等优点。
碲化镉晶体生长方法

[发明专利]一种无需电极碲化铋热电器件及其制备方法-CN201611209420.6有效
发明人：张清杰;周洪宇;牟欣;魏平;朱婉婷;赵文俞 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种无需电极碲化铋热电器件及其制备方法。无需电极碲化铋热电器件，其特征在于：它由陶瓷基板、人造倾斜结构碲化铋热电材料和导线组成，人造倾斜结构碲化铋热电材料的左右两侧面连接导线，人造倾斜结构碲化铋热电材料的上下表面设有陶瓷基板层，人造倾斜结构碲化铋热电材料由p型和n型碲化铋材料交替排列组成，p型和n型碲化铋材料界面与人造倾斜结构碲化铋热电材料底面呈一定的夹角，所述的p型碲化铋材料为Bi
碲化铋倾斜结构热电材料热电器件电极制备热辐射探测器电敏传感器热敏传感器陶瓷基板层材料界面交替排列连接导线热稳定性上下表面陶瓷基板微型网络制备工艺可控性两侧面自供能可用发电加工

[发明专利]合金的碲腐蚀防护方法及其效果验证试验方法-CN202010858854.9有效
发明人：蒋力;李志军;王凯;黎超文;梁建平;叶祥熙;玉昆;陈双建 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C23F15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种合金的碲腐蚀防护方法，在所述合金所在的含碲腐蚀环境中引入相对于该合金更易与碲反应的活性材料作为吸附剂，吸附剂优先吸附碲并与之反应，从而降低含碲腐蚀环境中的碲的活性，达到所述合金的碲腐蚀防护目的本发明还公开所述碲腐蚀防护方法的效果验证试验方法。相比现有技术，本发明可以在不影响熔盐堆等含碲腐蚀环境既有设计的条件下低成本且高效的解决合金构件的碲腐蚀问题。
合金腐蚀防护方法及其效果验证试验

[发明专利]一种碲锌镉靶材的制备方法-CN202110874417.0在审
发明人：文崇斌;王英洁;朱刘;童培云 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲锌镉靶材的制备方法，包括：将碲粉、锌粉和镉粉混合，得到混合粉体；将所述混合粉体进行真空热压烧结，得到碲锌镉靶材。本发明提供的碲锌镉靶材的制备方法，制备得到的碲锌镉靶材相对密度大于99％，游离镉和游离碲小于200ppm，而且工艺简单，本发明直接采用三种粉末合成碲锌镉靶材，不需合成碲化镉和碲化锌，减少工艺操作，节约成本
一种碲锌镉靶材制备方法

[发明专利]一种含碲金属物料净化脱硒的方法-CN202110592833.1在审
发明人：马永峰;姜海燕;赵秀丽;张娟;韩文林;宗红星;张鹏;马宏博;张媛庆;马晓东;张琰 -专利权人：金川镍钴研究设计院有限责任公司;金川集团股份有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种含碲金属物料净化脱硒的方法，包括以下步骤：（1）含碲的物料的浸出：在常温下含碲金属物料分步分批次加入浓硝酸溶液中反应1～2h，得到二氧化碲；（2）二氧化碲的浸出：将二氧化碲分步分批次加入纯净的酸性溶液中，得到含碲溶液；（3）含碲溶液的浸出脱硒：在含碲溶液中分步分批次加入脱硒试剂，得到无硒或痕量硒的含碲溶液；采用的脱硒试剂用量为30g/L～45g/L、反应1～3h，硒的脱除率可以达到99.8%及以上。（4）脱硒后液的还原：无硒或痕量硒的含碲溶液经亚硫酸钠还原得到含硒不大于0.00035%、主金属碲含量不小于99.997%的高纯碲。本发明采用的含碲金属物料净化脱硒的方法，工艺容易控制、操作简单、工艺适应性强，可以使粗碲粉中硒的脱除率达到99.8%以上，而且可以从脱硒渣中回收硒，实现了有价金属的综合回收及提高纯碲产品纯度的目的。
一种金属物料净化方法

[发明专利]一种超高纯碲的制备方法-CN202010630157.8在审
发明人：黄杰杰;朱刘;何志达;李清宇 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高纯碲的制备方法，属于高纯金属材料领域。本发明将原料碲置于内部设有挡板的容器内，并使原料碲位于挡板的一侧，然后在保护气保护下将原料碲加热至完全熔化，控制原料碲所处侧的碲熔体的液面位于挡板的通孔的上方，以使原料碲内所含杂质碳粉和氧化物被拦截在挡板的一侧，确保通过通孔流向另一侧的碲熔体的杂质含量降低，将这部分碲熔体冷凝后用于制备超高纯碲，不仅提高了提纯效率，还使所得超高纯碲表面光亮，无氧化物，无需进行后续处理。
一种高纯制备方法

[发明专利]一种铜碲溶液中分离回收碲的方法-CN201010152353.5有效
发明人：蒋训雄;范艳青;汪胜东;蒋开喜;蒋伟;冯林永;刘巍;张登高 -专利权人：北京矿冶研究总院
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种从含铜碲溶液中分离回收碲的方法，涉及一种从铜碲混合溶液中电积分离铜、二氧化硫或亚硫酸盐还原沉淀粗碲，特别是从含铜高、含碲低的溶液中分离回收碲的方法。其特征在于其过程为：(1)将含铜和碲的混合溶液进行电积，至溶液中含铜5g/l以下，分离出铜；(2)在电积分离出铜的除铜后液中补充氯离子，至溶液含氯0.2-4mol/l；(3)通入二氧化硫或加入亚硫酸盐进行还原反应，得到沉淀的粗碲，二氧化硫或亚硫酸盐加入量为2.5-15mol/mol-碲，还原温度25-95℃，还原时间0.5-4h。本发明的铜碲混合溶液中分离回收碲方法，工艺流程简单，铜、碲分离完全，可一步得到含碲85％以上的粗碲，且碲回收率高。
一种溶液分离回收方法

[发明专利]一种用于分析碲镉汞界面缺陷形成原因的方法-CN202310301001.9在审
发明人：王旭杰;杜宇;彭成盼;徐健;何鑫;周进;魏召;陈慧 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于分析碲镉汞界面缺陷形成原因的方法，包括如下步骤：步骤1.用AB胶将LPE生长完成后的碲镉汞晶片粘贴在硅片上；步骤2.通过减薄和/或者抛光将碲锌镉衬底减薄，通过显微镜观察得到碲锌镉衬底；步骤3.利用溴甲醇溶液腐蚀碲锌镉衬底将步骤2中产生的加工损伤去除，腐蚀后碲锌镉衬底；步骤4.利用位错腐蚀剂将步骤处理后的碲镉汞晶片腐蚀，得到碲锌镉衬底表面的夹杂物与位错腐蚀坑；步骤5.利用选择性腐蚀剂将碲锌镉衬底全部去除，记录外延界面的腐蚀坑形貌与位置；步骤6.通过比较碲锌镉衬底与碲镉汞外延之间界面附近的碲锌镉衬底与碲镉汞外延的腐蚀坑形貌与位置，分析碲镉汞外延的界面缺陷形成的原因。
一种用于分析碲镉汞界面缺陷形成原因方法