“碲化铁”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果35789个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]二氧化碲的制备方法-CN201811552086.3在审
发明人：兰石琨;包新军;李义伟;刘懿;夏楚平;王志坚;翁国庆;陈建波;吴希桃;胡婷;谢振山;罗天纵;李静 -专利权人：湖南稀土金属材料研究院
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种二氧化碲的制备方法，包括以下步骤：提供原碲酸；在加热条件下，将原碲酸和碱反应，得到碲酸四氢盐；将碲酸四氢盐在含氧气氛中焙烧，得到亚碲酸盐；将亚碲酸盐和酸反应，得到二氧化碲。上述二氧化碲的制备方法，通过原碲酸和碱在加热条件下反应，生成不溶于水的碲酸四氢盐，再将碲酸四氢盐在含氧气氛中焙烧，生成亚碲酸盐，再将亚碲酸盐酸化，得到二氧化碲，整个过程无NO、NO₂
二氧化碲氢盐碲酸亚碲酸盐原碲酸制备焙烧含氧气氛加热条件不溶于水环境效益气体产生工艺流程碱反应酸反应亚碲酸盐酸化申请

[发明专利]一种高碲含量铜碲触头材料及其熔炼工艺-CN201810585274.X在审
发明人：王发展;郭阳阳;王永滨;吕勤良 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高碲含量铜碲触头材料及其熔炼工艺。本发明的高碲含量的铜碲触头材料，以重量份数计，由以下材料制备：碲粉3～4份，余量为铜。本发明还提供了一种高碲含量的铜碲触头材料的熔炼工艺，该方法采用上述的高碲含量的铜碲触头材料的配方，该方法通过制备铜碲中间合金，然后将该铜碲中间合金与铜块在惰性气体下进行熔炼并除气，最后将熔融的合金液在惰性气体保护下浇铸成铜碲触头材料锭坯，挤压铜碲触头材料锭坯得到铜碲触头材料。本发明的铜碲触头材料熔炼工艺使最终铜碲触头材料中元素成分被严格控制，并且铜碲触头材料中氧含量低于30ppm，氮含量低于10ppm，铜碲触头材料抗熔焊性能和分段能力良好，组织均匀性高，金属元素偏析程度低。
铜碲触头材料熔炼中间合金锭坯惰性气体保护抗熔焊性能组织均匀性材料制备惰性气体分段能力金属元素合金液重量份除气浇铸偏析熔融铜块制备碲粉挤压配方

[发明专利]一种二氧化碲粉制备精碲的方法-CN201910754152.3有效
发明人：郑雅杰;曹攀;范科彪;孙召明 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化碲粉制备精碲的方法：(1)将二氧化碲粉加入到盐酸溶液中搅拌浸出，并在浸出过程中或浸出结束后加入硫化钠除杂且通入二氧化硫或加入亚硫酸钠进行预还原，浸出、除杂与预还原结束后过滤得到滤渣和含碲溶液；(2)向含碲溶液加入还原剂还原，过滤得到还原后液和粗碲粉；(3)粗碲粉经水洗过滤得到水洗碲粉，水洗碲粉经碱洗过滤得到碱洗碲粉，碱洗碲粉再经水洗过滤干燥得到精碲粉；(4)惰性气体保护条件下，精碲粉经铸锭得到精碲，碲的直收率90％，精碲产品质量达到Te9999碲锭质量标准。本发明工艺原料适应性强、工艺简单、成本低、产量大、产品质量稳定、碲的直收率高，具有重要的经济效益。
一种氧化制备方法

[发明专利]一种从碲阳极泥回收回用碲的方法-CN201610310326.3有效
发明人：张梅;裴启飞;邓远久;侯刚;余秋雁;杨伟;李雪松;田维惟;刘德国;肖明金;薛芳;李宗兴;闫建英 -专利权人：云南驰宏资源综合利用有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种从碲阳极泥回收回用碲方法，采用的技术方案是：先用蒸馏水洗涤碲阳极泥，并用双氧水将未洗净的Na₂TeO₃全部氧化为Na₂TeO₄，然后向碲阳极泥中缓慢加入稀硫酸浸出碲，过滤得碲浸出液，再用Na₂SO₃将Te⁶⁺还原粗碲粉，再采用硝酸溶液溶解粗碲粉，溶液加入碲电积定期排放的废液或碲阳极泥洗水进行中和，控制反应终点pH值5~6，碲全部转化为二氧化碲，从中和后液排除杂质，最后将二氧化碲用碲电积废液溶解，调整溶液成分至电积新液成分要求，返回电积流程生产精碲本发明能够将碲电积生产产出的阳极泥中的碲及时的补充进行流程生产精碲，提高了资源的利用效率，工艺合理，易于操作实施，且碲的回收率高。
阳极泥电积二氧化碲流程生产粗碲精碲溶解双氧水蒸馏水洗涤成分要求电积废液反应终点硝酸溶液浸出液稀硫酸废液后液浸出洗净洗水新液回收率过滤还原并用中和返回排放补充转化生产

[发明专利]一种碲化镉薄膜制备方法及其使用的装置-CN201210197215.8无效
发明人：刘志强;蒋猛 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种碲化镉薄膜制备方法及其使用的装置，包括将单质碲加热气化后形成碲蒸汽、以及将单质镉加热气化后形成镉蒸汽；用携带气体分别运载所述碲蒸汽和所述镉蒸汽并将所述碲蒸汽和镉蒸汽混合均匀得到碲镉混合蒸汽；所述携带气体再将所述碲镉混合蒸汽携带至衬底本发明以碲、镉单质作为原料，采用碲、镉单质独立蒸发源，通过气相分子混合方法制备碲化镉薄膜的方法。这样不仅降低了碲化镉太阳电池的生产成本，而且也把高纯碲化镉原料制备和碲化镉薄膜制备工艺有机的结合到了一起。
一种碲化镉薄膜制备方法及其使用装置

[发明专利]成长碲及碲化物纳米线阵列于导电基材上的方法和碲及碲化物纳米线热电装置-CN201610539817.5在审
发明人：林宗宏;周庭楙;李璎纯;饶允婷 -专利权人：林宗宏
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明是提供成长碲及碲化物纳米线阵列的方法及碲及碲化物纳米线热电装置。碲及碲化物纳米线可表现出n‑型或p‑型热电特性。碲及碲化物纳米线热电装置包含有第一电极、于第一电极上所形成具热电特性的多个碲及碲化物纳米线阵列以及第二电极。另于碲及碲化物纳米线阵列及第二电极间可包含导电聚合物。借此，透过碲及碲化物纳米线热电材料的纳米尺度特性，可大幅提高热电转换效率。再者，此种热电装置不受大小规模限制，且具有轻薄体积以及可挠特性，具备在衣物、汽车、工厂废热等广大的应用性。
成长碲化物纳米阵列导电基材方法热电装置

[发明专利]一种从碲化铜或铜碲渣中提取碲的方法-CN201811014619.2在审
发明人：陈巍;杨斌;戴卫平;韩龙;郑春阳;范茂雄;李建国;陈浩;速斌 -专利权人：昆明鼎邦科技股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明属于真空冶金技术领域，公开一种从碲化铜或铜碲渣中提取碲的方法，将碲化铜或铜碲渣加硫化剂硫化，经过真空蒸馏工序实现碲的提取，包括以下步骤：步骤一、将碲化铜或铜碲渣和硫化剂按一定的比例混合，置于容器中进行硫化反应，得到单质碲与硫化铜物质混合的硫化产物；步骤二、将步骤一得到的硫化产物置于真空炉中进行真空蒸馏，将碲从混合物中分离，得到单质碲和硫化铜渣。碲化铜或铜碲渣经过硫化和真空蒸馏工序实现碲的提取。本发明方法不使用酸碱溶液，不产生三废，整个工艺流程对环境友好，不会对环境造成污染，经过实际生产验证，使用本发明得到的碲单质纯度高达97～99.9％。
碲化铜铜碲真空蒸馏硫化产物硫化剂硫化铜硫化单质真空冶金技术环境友好硫化反应酸碱溶液物质混合混合物工艺流程真空炉碲单质验证污染生产

[发明专利]一种从铜碲渣中简单高效回收铜和碲的方法-CN201811353613.8有效
发明人：杨斌;查国正;蒋文龙;刘大春;徐宝强;陈秀敏;李一夫;郁青春;杨红卫;田阳;邓勇;王飞;熊恒;杨佳;曲涛;孔令鑫;郭新宇;邓聚海;黄大鑫;邓攀;周毅 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种从铜碲渣中简单回收铜和碲的方法，属于稀散金属碲综合回收技术领域；本发明通过造渣熔炼、铜碲分离、酸浸中和沉碲、真空碳热还原等步骤分别有效回收金属碲及金属铜，本发明能够从铜碲渣中简单高效分别回收金属铜和金属碲，生产工艺简单，铜的回收率达98%以上，碲的回收率可达95%以上，碲的纯度大于99%。
一种铜碲渣中简单高效回收方法

[发明专利]一种高纯二氧化碲的制备方法-CN202111531055.1在审
发明人：赵科湘;莫建新 -专利权人：株洲科能新材料股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯二氧化碲的制备方法，将单质碲与干燥的氯气反应得到四氯化碲，将四氯化碲溶于有机溶剂中，第一次固液分离，所得液相蒸发重结晶得到高纯四氯化碲，将高纯四氯化碲放入超纯水中，通入氨气，控制溶液pH值为6.5～7.5，使四氯化碲水解，第二次固液分离，干燥，即得高纯二氧化碲。本发明中，通过单质碲与干燥的氯气反应得到四氯化碲，并利用了碲与氯气的反应产物四氯化碲能溶于甲醇和无水乙醇，而碲中杂质与氯气的反应产物不溶于甲醇和无水乙醇的特性，从而将碲与其杂质分离，将四氯化碲重结晶后进一步提高其纯度，再将四氯化碲放入超纯水中水解，通过本发明的制备方法，不仅环保，而且所得二氧化碲纯度可达5N以上。
一种高纯氧化制备方法

[发明专利]从锑碲废料中提取精碲的方法-CN201611124526.6有效
发明人：刘宇晖;欧阳宇平;王志坚;苏正夫;刘荣丽;易师 -专利权人：湖南稀土金属材料研究院
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：一种从锑碲废料中提取精碲的方法，包括以下步骤：将锑碲废料在第一碱性溶液中浸出，得到含碲浸出液；将含碲浸出液和助剂混合，并调节溶液的酸碱度至氢氧根离子浓度为2.0～2.5mol/L，得到第一电沉积液；将第一电沉积液进行电沉积，在电沉积槽的阴极沉积得到碲富集物；将碲富集物溶于第二碱性溶液中，加入可溶性钙盐，过滤得到滤液并加入助剂，得到第二电沉积液，将第二电沉积液进行电沉积，在电沉积槽的阴极沉积得到精碲。如此通过碱性浸出得到含碲浸出液，并将含碲浸出液不经化学除杂和中和沉碲直接电沉积使得碲富集，得到碲富集物。然后将碲富集物溶解除杂，再次电沉积得到精碲。该方法不仅保证了碲的回收率，而且提高了碲的品位。
电沉积液富集物浸出液精碲电沉积锑碲电沉积槽碱性溶液阴极沉积浸出酸碱度可溶性钙盐氢氧根离子直接电沉积富集回收率过滤中和品位保证

[发明专利]将碲化镉层改性的方法和具有碲化镉层的薄膜器件-CN201110175409.3无效
发明人： J·M·弗里 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明名称为将碲化镉层改性的方法和具有碲化镉层的薄膜器件。包括设置在碲化镉层内的改性碲化镉和未改性碲化镉的层。该改性区包括的碲化物浓度大于未改性碲化镉区中的碲化物浓度。该改性区还包括六方密排晶体结构。还公开用于将碲化镉层改性的方法和薄膜器件。
将碲化镉层改性方法具有碲化镉层薄膜器件

[发明专利]一种碲化亚铜渣短流程处理制备高纯碲的方法-CN201610683868.5在审
发明人：陈杭;王俊娥;吴健辉;衷水平;张焕然;林泓富;苏秀珠;熊家春 -专利权人：紫金矿业集团股份有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化亚铜渣短流程处理制备高纯碲的方法，先将碲化亚铜渣与浓硫酸混合均匀后进行流态化焙烧，焙烧所得焙砂用水浸脱铜进行预处理脱杂；再把水浸渣用NaOH浸出得到含碲浸出液；最后将含碲浸出液旋流电积提碲，即可直接得到高纯碲产品。该碲化亚铜渣短流程处理制备高纯碲的方法具有工艺流程短、投资少生产成本低、无环境污染、碲纯度及回收率高的特点，实现了碲化亚铜渣的短流程处理及高纯碲产品的高值、高效回收。
一种碲化亚铜渣短流程处理制备高纯方法

[发明专利]一种控制亚碲酸盐产品中二氧化碲及亚碲酸盐含量的方法-CN201511025115.7有效
发明人：王波;朱刘;刘留 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制亚碲酸盐产品中二氧化碲、无水亚碲酸盐、三水合亚碲酸盐含量的方法，该方法包括如下步骤(1)将碱金属氢氧化物与二氧化碲在摩尔比为2.00(1.00‑1.15)的水溶液中反应得到亚碲酸盐溶液；(2)向亚碲酸盐溶液中加入碱金属氢氧化物，加入量为步骤(1)中碱金属氢氧化物重量的X,从X中选择不同数值范围来控制亚碲酸盐产品中二氧化碲、无水亚碲酸盐、三水合亚碲酸盐的含量，0＜X≤8.00％。本发明不仅能制备高纯度亚碲酸钾，还能工业化生产高纯度针状三水合亚碲酸钾。
一种控制亚碲酸盐产品氧化含量方法

[发明专利]生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法-CN201110365464.9有效
发明人：吴召平;高绪彬;徐悟生;江浩川;张明龙 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法，该方法包括：形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场；将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过，在该过程中，坩埚内的富碲材料熔化形成熔区，碲化镉或碲锌镉多晶材料逐渐溶解到所述熔区中，然后冷却析出碲化镉或碲锌镉单晶体；以及，将所述坩埚从所述原位退火区域中通过，在该过程中对所述晶体生长区域中生成的碲化镉或碲锌镉单晶体进行退火，以降低所述单晶体中的碲夹杂含量
生产碲化镉碲锌镉单晶体方法

[发明专利]一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法-CN201110355312.0有效
发明人：仇光寅;魏彦锋;陈倩男;孙权志;孙瑞赟 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品后续的霍尔测试，可以正确标定碲镉汞外延材料的电学性质，排除碲镉汞界面层对碲镉汞外延材料电学性质的影响。本方法操作方便，仪器要求简单，能够有效的去除碲镉汞界面层。解决了长久以来，难以排除界面层对碲镉汞材料影响，正确标定碲镉汞电学参数的问题。这对研究碲镉汞外延材料特性有着重要意义。
一种去除碲镉汞界面霍尔样品制备方法