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[发明专利]一种锗硅异质结晶体管抗单粒子效应的加固方法-CN202010355945.0有效
发明人：张晋新;郭红霞;付军;王玉东;欧阳晓平;潘霄宇;王信;孙静 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/556 文献下载
摘要：本发明提供一种锗硅异质结晶体管抗单粒子效应的加固方法，包括：在多个锗硅异质结晶体管中筛选出符合预设电学特性的锗硅异质结晶体管作为初选锗硅异质结晶体管；对初选锗硅异质结晶体管在预设偏置电压下进行伽马射线预辐照，以获取加固锗硅异质结晶体管；在多个加固锗硅异质结晶体管中筛选出符合预设电学特性的加固锗硅异质结晶体管作为抗单粒子效应锗硅异质结晶体管；根据相同激光脉冲能量且相同偏置电压条件下，初选锗硅异质结晶体管和抗单粒子效应锗硅异质结晶体的单粒子瞬态信号差异
一种锗硅异质结晶体管抗单粒子效应加固方法

[发明专利]基于天线直接匹配的锗硅异质结双极晶体管探测器-CN201811094111.8有效
发明人：孙鹏林;傅海鹏;张齐军;马建国 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G01D5/40 文献下载
摘要：一种基于天线直接匹配的锗硅异质结双极晶体管探测器，有第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管，第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管的基极分别连接天线，第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管的发射极均接地，第一锗硅异质结双极晶体管的集电极通过第一四分之一波长微带线至输出端，第二锗硅异质结双极晶体管的集电极通过第二四分之一波长微带线至输出端，第一锗硅异质结双极晶体管的基极和第二锗硅异质结双极晶体管的集电极之间连接第电容，第二锗硅异质结双极晶体管的基极和第一锗硅异质结双极晶体管的集电极之间连接第电容，天线中的直流偏置走线连接直流偏置电压。
基于天线直接匹配锗硅异质结双极晶体管探测器

[发明专利]锗硅异质集成三极管-CN201610214756.5在审
发明人：钱伟国 -专利权人：太仓凯丰电子科技有限公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种锗硅异质集成三极管，所述的锗硅异质集成三极管包括最外层宽带隙半导体材料层，中间层聚氯乙烯材料层和最内层的锗硅材料层，所述宽带隙半导体材料层为氮化镓、碳化硅和氧化锌，所述的宽带隙半导体材料层占锗硅异质集成三极管总体分量的42‑45%，所述的聚氯乙烯材料层占锗硅异质集成三极管总体分量的15%‑20%，所述的锗硅材料层占锗硅异质集成三极管总体分量的35%‑40%，本发明提供一种锗硅异质集成三极管，具有节省了成本，提高了功率的优点
锗硅异质集成三极管

[发明专利]与锗硅异质结NPN 三极管集成的PNP三极管-CN201110326307.7有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李昊;王永成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管。本发明通过在有源区的侧面上形成有基区引出区来引出基区，能避免在有源区的顶部形成多晶硅来引出基区，从而能不需要改变锗硅异质结NPN三极管的制作工艺就能实现PNP三极管和锗硅异质结NPN三极管的集成，能避免对锗硅异质结NPN三极管的制作产生影响，能保证不增加锗硅异质结NPN三极管的制作成本和不降低锗硅异质结NPN三极管的良率。
锗硅异质结 npn 三极管集成 pnp

[发明专利]一种锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应测试方法及系统-CN202110412508.2在审
发明人：郭红霞;冯亚辉;潘霄宇;欧阳晓平;钟向丽;张晋新;刘晔;张鸿 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应测试方法及系统，其中测试方法包括：将试验锗硅异质结双极晶体管放置于预设温度下，并对所述试验锗硅异质结双极晶体管施加预设偏置条件；对所述预设温度和所述预设偏置条件下的所述试验锗硅异质结双极晶体管的目标区域施加第一预设辐照条件的激光微束，得到所述目标区域中每一个坐标点的瞬变电流结果；基于所述目标区域中每一个坐标点的瞬变电流结果，得到所述试验锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应的敏感区域。本发明的测试方法可有效测出锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应。
一种锗硅异质结双极晶体管粒子效应测试方法系统

[发明专利]基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器-CN201811094137.2有效
发明人：孙鹏林;傅海鹏;张齐军;马建国 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01Q19/10 文献下载
摘要：一种基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器，包括用于探测的锗硅异质结双极晶体管，所述锗硅异质结双极晶体管的基极通过匹配网络连接用来接收太赫兹波信号的基片集成波导天线，所述锗硅异质结双极晶体管的发射极接地，所述锗硅异质结双极晶体管的集电极通过输出滤波器分别连接四分之一波长开路微带线和直流偏置电压，以及构成输出端。本发明的基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器，提高片上集成天线的增益和效率，减小接直流偏置的封装线引入的寄生效应。
基于集成波导天线锗硅异质结双极晶体管探测器

[发明专利]自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法-CN201210161177.0有效
发明人：付军;王玉东;张伟;李高庆;吴正立;崔杰;赵悦;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、重掺杂多晶硅发射区、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管有效地降低了基极电阻RB。本发明锗硅异质结双极晶体管制备方法工艺步骤简单，成本低。
对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

[发明专利]一种硅锗异质结太阳电池及其制备方法-CN201510282991.1有效
发明人：沈辉;邱开富;吴伟梁;包杰 -专利权人：中山大学
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L31/077 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅锗异质结太阳电池，该硅锗异质结太阳电池的结构从上至下依次包括银电极、掺铝氧化锌AZO导电层、n型单晶硅、i型SiGe合金缓冲层薄膜、p型Ge薄膜和金电极，所述硅锗异质结太阳电池具有300该电池在硅与锗之间沉积一层硅锗合金缓冲层，可以有效地降低界面态，减少界面复合，增大电池的开路电压。另外由于缓冲层的带隙渐变，可以更好地吸收太阳光，从而增大电池的短路电流。还公开了上述硅锗异质结太阳电池的制备方法。该制备方法原料安全，可直接应用现有设备，成本相对较低。
一种硅锗异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]硅锗异质结双极晶体管及其制造方法-CN201110002764.0有效
发明人：孙涛 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-01-07 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，所述硅锗异质结双极晶体管包括：基极、位于基极上的发射极以及位于基极和发射极交界面处的异质结，所述基极为掺入锗的硅，所述锗的掺入浓度随着深度增加依次包括：掺入浓度上升区、掺入浓度平台区、掺入浓度下降区，其中，所述掺入浓度上升区随着深度增加依次包括掺入浓度增加平缓区、掺入浓度增加快速区，其中，异质结位于掺入浓度增加平缓区。对于不同尺寸的发射极窗口，本发明的硅锗异质结双极晶体管的电流增益的变化较小。
硅锗异质结双极晶体管及其制造方法

[发明专利]一种压力传感结构及其制备方法-CN201510224539.X在审
发明人：雷双瑛;韩瑞峰 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种压力传感结构，包括硅片基底和多晶硅梁结构，所述多晶硅梁结构呈n型架设在所述硅片基底上，所述多晶硅梁结构上表面并列设有两个压力感应结构，所述压力感应结构包括两个相对设置的氮化硅层和位于两个氮化硅层之间的多根硅锗异质结纳米线，所述氮化硅层上还沉积有多晶硅层，所述多根硅锗异质结纳米线呈列阵结构排布。本发明还公开了上述压力传感结构的制备方法，本发明压力传感结构采用硅锗异质结纳米线作为敏感源，硅锗异质结纳米线比单一的硅纳米线或单一的锗纳米线具有更灵敏的压阻特性，另外，本发明压力传感结构具有两组列阵式硅锗异质结纳米线敏感源
一种压力传感结构及其制备方法

[发明专利]基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器及制备方法-CN200710131530.X无效
发明人：施毅;闾锦;陈裕斌;左正;濮林;张荣;韩平;顾书林;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2007-09-04 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶粒；应用渐变锗硅异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。本发明使用硅烷SiH₄或乙硅烷Si₂H₆采用低压化学气相外延方法LPCVD淀积纳米量级的非晶硅薄膜，然后使用锗烷GeH₄采用低压化学气相外延技术自组织生长得到锗纳米晶粒；取出样品采用选择刻蚀除去锗浸润层，通过高温退火促进锗硅间的互扩散，然后采用化学选择腐蚀剂得到锗硅异质纳米结构。
基于锗硅异质纳米结构挥发存储器制备方法

[发明专利]自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法-CN201210160790.0有效
发明人：付军;王玉东;张伟;李高庆;吴正立;崔杰;赵悦;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、外基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、发射区低电阻金属硅化物层本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法降低了基极电阻RB，工艺简单，成本低。
对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

[发明专利]金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法-CN201210161189.3有效
发明人：付军;王玉东;张伟;李高庆;吴正立;崔杰;赵悦;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管有效地降低了基极电阻RB。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管制备方法工艺步骤简单，成本低。
金属硅对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

[发明专利]硅异质结太阳能电池及其制作方法-CN202010718701.4有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种硅异质结太阳能电池以及硅异质结太阳能电池的制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以利用本征非晶硅锗层抑制硅基底界面的外延生长，以利用本征非晶硅层提升硅基底界面的钝化效果。该硅异质结太阳能电池，包括：N型硅基底；形成在N型硅基底的一面上的本征非晶硅锗层；形成在本征非晶硅锗层上的第一本征非晶硅层；以及形成在第一本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层。本发明提供的硅异质结太阳能电池的制作方法用于制作上述硅异质结太阳能电池。
硅异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法-CN200710191199.0有效
发明人：谢自力;张荣;韩平;王荣华;刘斌;修向前;赵红;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群 -专利权人：南京大学
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
inn 材料衬底缓冲制备薄膜方法

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