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[发明专利]光照与生长方程共同约束的三维数字树木生长建模方法-CN201710639328.1有效
发明人：易磊;郗润平;郭建伟;李红军;孟维亮;张晓鹏 -专利权人：西北工业大学;中国科学院自动化研究所
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光照与生长方程共同约束的三维数字树木生长建模方法，用于解决现有三维数字树木生长建模方法不能约束树木生长高度的技术问题。技术方案是根据植物生长方程，通过输入三维数字树木根的起始位置和初始的主干方向，以及树木生长空间的光照信息，一轮一轮地迭代生长。首先计算各个树枝的顶芽和侧芽获得的光照资源，然后计算光照资源的汇聚和分配量，再利用生长方程约束树木的生长速度，确定每个顶芽和侧芽是否生长以及生长的速度，最后计算出新的树枝位置和分枝模型的几何量，更新树枝中各个结点的半径值停止迭代生长后，输出树枝模型，添加树叶。本发明解决了在光照资源充分的条件下，不能约束树木的生长高度的技术问题。
光照生长方程共同约束三维数字树木建模方法

[发明专利]存储器的制作方法及存储器-CN202111630356.X在审
发明人：黄驰;吕术亮;马亮;李远;孙祥烈;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种存储器及其制作方法、半导体器件，所述制作方法包括：在第一衬底上形成具有第一晶胞结构类型的第一阻挡层；形成覆盖所述第一阻挡层的第一导电层；其中，所述第一导电层的晶体生长方向为第一晶体生长方向
存储器制作方法

[发明专利]碳化硅锭和碳化硅衬底的制造方法-CN201480061900.5在审
发明人：堀勉;佐佐木信;本家翼;川濑智博 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：在碳化硅锭(1)中，端表面(1a)和端表面(1b)在生长方向上彼此面对，并且所述生长方向上的氮浓度梯度不小于1×10¹⁶cm^‑4且不大于1×10¹⁸
碳化硅衬底制造方法

[发明专利]碳纳米管的制备装置-CN200510100354.4无效
发明人：何纪壮 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2005-10-14 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： C01B31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管的制备装置，其包括：一反应腔，该反应腔包括一对相对设置的进气口与排气口，其分别位于该反应腔的底部与顶部；一基底承载装置，其位于该反应腔内，用于承载碳纳米管生长用基底；以及一对相对设置的网格电极本发明通过设置一对相对的网格电极，可使碳源气通过，使气流方向与碳纳米管生长方向平行，有利于碳纳米管准直生长；在该对网格电极间施加一电压可在两者之间产生电场，碳纳米管在该电场中生长，其生长方向将取向于该电场方向
纳米制备装置

[发明专利]晶体的生长装置及生长方法-CN201910010891.1在审
发明人：狄聚青;朱刘;刘运连 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体生长装置，该晶体生长装置包括一内中频感应线圈、一外中频感应线圈，所述外中频感应线圈套设于内中频感应线圈外侧，所述外中频感应线圈在晶体生长过程中能够沿着竖直方向移动；所述内中频感应线圈在晶体生长过程中位置固定；所述晶体生长装置还包括一感应坩埚，所述感应坩埚置于内中频感应线圈内部。本发明同时涉及一种晶体生长方法。本晶体的生长装置及生长方法通过在晶体的不同生长阶段沿着竖直方向向上或者向下移动外中频感应线圈，使双中频感应线圈形成的温场的温度梯度减小，避免晶体开裂，所制备得到的晶体无开裂、气泡、夹杂、散射等缺陷。
中频感应线圈晶体生长装置晶体的晶体生长过程感应坩埚生长装置竖直方向移动感应线圈晶体生长生长阶段温度梯度向下移动中频感应双中频线圈套生长散射夹杂减小竖直温场制备

[发明专利]发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片-CN201910350596.0有效
发明人：兰叶;顾小云 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长N型半导体层；在所述N型半导体层上生长应力释放层，所述应力释放层包括第一叠层结构，所述第一叠层结构由交替层叠的多个高温子层和多个低温子层组成，所述高温子层和所述低温子层均为N型掺杂的GaN层，每个所述高温子层的生长温度高于各个所述低温子层的生长温度，所述多个高温子层的生长温度保持不变，所述多个低温子层的生长温度沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层降低；在所述应力释放层上生长有源层；在所述有源层上生长P型半导体层。
发光二极管外延生长方法

[发明专利]一种绿化构件-CN202211192159.9在审
发明人：宋川 -专利权人：四川省交通勘察设计研究院有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： A01G9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种绿化构件，涉及生态绿化技术领域，包括砖体，所述砖体内设置有种植腔，所述砖体上设置有若干条用于供藤蔓植物蔓延的生长槽，所述生长槽内设置有用于将所述藤蔓植物限制于所述生长槽内的固定件。本申请以生长槽和固定件干预藤蔓植物生长方向的方式，使藤蔓植物按预设方向生长，从而达到复绿整个岩质边坡的目的。
一种绿化构件

[发明专利]用于大碳化硅单晶的高品质生长的籽晶和籽晶夹持器组合-CN200580032490.2有效
发明人： S·G·穆勒;A·泊韦尔;V·F·特斯维特考夫 -专利权人：克里公司
申请日： 2005-07-12 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：公开了碳化硅籽晶升华生长系统和相关方法。该系统包括坩埚、坩埚中的碳化硅源组合物、坩埚中的籽晶夹持器、籽晶夹持器上的碳化硅籽晶、在坩埚中产生主热梯度的装置，该梯度限定源组合物和籽晶之间的主生长方向并促进源组合物和籽晶之间的蒸气传输，并将籽晶放置在籽晶夹持器上，使籽晶的宏观生长表面相对于主热梯度和主生长方向形成约70°到89.5°的角度，并且籽晶的晶体取向使晶体的c轴与主热梯度之间形成约0°到2°的角度。
用于碳化硅品质生长籽晶夹持组合

[发明专利]一种氟化镁波片元件的制作方法-CN202010148055.2有效
发明人：徐悟生;彭明林;张可生;周方;杨春晖 -专利权人：秦皇岛本征晶体科技有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氟化镁波片元件的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：S1、切割氟化镁晶体毛坯，得到两边分别为a和b的长方形条状毛坯，a沿001方向；S2、将所述长方形条状毛坯沿（100）面切出成品厚度相同的长方形薄片；S3、将所述长方形薄片在外圆磨床上粗磨，磨具的中心点与毛坯片长边中心对应，将直径磨到所需尺寸。本发明采用提拉法生长100方向氟化镁单晶毛坯，加工波片先在柱面用X射线定向仪采用“十”字测定的方法定出晶体的(001)晶面，再按生长方向直接按(100)面切片，最后用外圆磨床加工到所需尺寸。
一种氟化镁波片元件制作方法

[发明专利]SiC锭和SiC晶片-CN202211254037.8在审
发明人：西原祯孝 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本实施方式涉及的SiC锭，具有晶种和在晶种上生长的单晶，所述单晶在内部具有在生长方向上贯穿的微管，当对从所述单晶沿着与所述生长方向交叉的方向切出的多个晶片进行光致发光观察时，所述多个晶片之中从最接近所述晶种的位置切出的第
sic 晶片

[发明专利]薄膜晶体管、半导体器件、显示器、结晶方法和薄膜晶体管的制备方法-CN200610084254.1有效
发明人：加藤智也;松村正清;中崎能彰 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-05-30 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：厚度小于50nm并且设置在绝缘衬底(1)上的非单晶半导体薄膜(3)用具有反峰构图光强分布的激光照射以在横向单向地生长晶体。因此，在晶体生长方向具有比宽度长的尺寸的带状晶粒(4)，在宽度方向彼此相邻地排列形成晶粒阵列(5)。形成TFT的源区(S)和漏区(D)，使得电流在包括该晶粒阵列(5)的多个晶粒(4)的区域内在所述晶体生长方向流过。
薄膜晶体管半导体器件显示器结晶方法制备

[发明专利]结晶性氧化物膜-CN201980043074.4在审
发明人：高桥勋;四户孝 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供一种具有刚玉结构的外延膜，其具有优异的对于减少了由于小面生长引起的位移等缺陷的半导体装置等有用的晶体品质。一种结晶性氧化物膜，包括刚玉结构的横向生长区域，所述横向生长区域实质上不包含小面生长区域，晶体生长方向为c轴或大致c轴方向，并包括在c轴或大致c轴方向上延伸的位移线，晶体生长已在c轴或大致c轴方向上扩展的结晶性氧化物彼此相互接合
结晶氧化物

[发明专利]一种半导体紫外光源器件-CN201310168615.0有效
发明人：张剑平;高英 -专利权人：青岛杰生电气有限公司
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体固态紫外光源器件，所述器件的外延结构中量子阱和量子垒在外延生长方向上存在组份梯度，量子阱和量子垒在外延生长方向上的组份梯度方向相反。
一种半导体紫外光源器件

[发明专利]用于在剃刮过程中引导用户的系统和方法-CN201480060751.0有效
发明人： J·L·库斯特拉;G·T·G·沃勒贝格;S·芬德纳;K·C·范布雷;P·J·A·H·奎杰滕;J·C·P·范德文;H·布勒斯 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： A45D24/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于在剃刮过程中引导用户的剃刮引导系统(10)，该系统包括图像传感器(30)，其被配置为记录用户身体的部位的图像；图像数据分析器(41)，其被配置为基于图像中的数据确定局部毛发生长方向；控制器(40)，其被配置成依赖于所确定的局部毛发生长方向生成关于毛发切割装置(20)待被移动的方向的指示；和反馈系统(130)，其被配置成提供指令给用户。
用于过程引导用户系统方法

[发明专利]一种大尺寸X面KTP晶体及其生长方法-CN202011244403.2有效
发明人：谭云东;张婷婷;杜曰强;方治文 -专利权人：山东重山光电材料股份有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：本发明涉及非线性晶体材料技术领域，具体涉及一种大尺寸X面KTP晶体及其生长方法，所述大尺寸X面KTP晶体采用如下生长方法制得，以X面作为籽晶生长面，将籽晶浸入熔液中下种籽晶并生长，晶体生长过程中不提拉籽晶本发明方法对籽晶形状和浸入熔剂的方向进行了创造性选择，从而缩小KTP晶体在X轴、Y轴和Z轴三个方向上的生长速度差异，并最终获得具备良好的光学均匀性、大的尺寸和更高的利用率的KTP晶体。
一种尺寸 ktp 晶体及其生长方法