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- [发明专利]自对准双重图形的形成方法-CN201210378503.3有效
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隋运奇
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2012-09-29
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2014-04-09
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H01L21/308
- 一种自对准双重图形的形成方法，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层表面具有第一牺牲层，第一牺牲层的宽度与相邻第一牺牲层之间的距离相同；在第一牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成第一掩膜侧墙；在待刻蚀层表面形成覆盖第一掩膜侧墙表面的第二牺牲层，第二牺牲层的表面与第一牺牲层的表面齐平；在形成第二牺牲层之后，去除第一牺牲层，并暴露出待刻蚀层表面；在去除第一牺牲层之后，在第二牺牲层和第一掩膜侧墙两侧的刻蚀层表面形成第二掩膜侧墙，第二掩膜侧墙的剖面形状与第一掩膜侧墙的剖面形状对称；在形成第二掩膜侧墙之后，去除第二牺牲层。采用所形成的双重图形为掩膜进行刻蚀的图形尺寸及形貌统一。
- 对准双重图形形成方法
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