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[发明专利]应用于高密度集成SPAD阵列的淬灭电路与整形电路-CN201810826014.7在审
发明人：毛成;卜晓峰;孔祥顺;吴俊辉 -专利权人：苏州超锐微电子有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于高密度集成SPAD阵列中的淬灭电路以及整形电路，该电路主要包含PMOS被动淬灭电路以及整形电路。该淬灭电路利用SPAD雪崩后的大电流在PMOS管上的电压降进行被动淬灭，产生脉冲信号，该脉冲信号通过反相器进行整形，并增加驱动能力。
淬灭高密度集成电路脉冲信号整形电路单一像素电路功能电路结构电路要求驱动能力大电流电压降反相器整形减小雪崩应用

[发明专利]一种基于氧化石墨烯淬灭核酸适配体的外泌体检测微流控芯片及其制备方法-CN201910622443.7在审
发明人：秦建华;陈雯雯;苏文涛 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：一种基于氧化石墨烯淬灭核酸适配体的外泌体检测微流控芯片，其构成如下：上层为样品液路层，下层为氧化石墨烯淬灭的核酸适配体液路层，底面为空白玻璃底板；具体设置有下述结构：待测样品进样口、待测样品进样通道区、氧化石墨烯淬灭的核酸适配体进样口、氧化石墨烯淬灭的核酸适配体进样通道区、反应池。一种如上所述基于氧化石墨烯淬灭核酸适配体的外泌体检测微流控芯片，其特征在于：所述基于氧化石墨烯淬灭核酸适配体的外泌体检测微流控芯片的制备方法：制备出通道部分凸起的光刻胶模板；显影，坚膜；用硅烷化试剂处理模板
一种基于氧化石墨烯淬灭核酸适配体体检测微流控芯片及其制备方法

[发明专利]一种检测生物耗材核酸酶酶残留的DNA/RNA底物及其使用方法-CN202111368760.4在审
发明人：丁贤明 -专利权人：浙江赛宁生物科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： C12N15/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测生物耗材核酸酶酶残留的DNA/RNA底物，包括寡核苷酸底物、荧光基团和淬灭基团，寡核苷酸底物设置为一种茎环结构的双标记寡核苷酸底物，在此发夹结构中，寡核苷酸底物一端设置有荧光基团，另一端设置有淬灭基团，茎环结构中，环设置为15‑30个核苷酸长，并与目标序列互补；茎设置为5‑7个核苷酸长，并相互配对形成茎的结构，茎环结构呈完整状态时，淬灭基团的物理特性将荧光基团抑制，荧光基团连接在茎臂的一端，淬灭基团连接于另一端，模板不存在时，DNA/RNA底物保持原状；模板存在时则与模板配对，与模板配对后，寡核苷酸底物、荧光基团和淬灭基团形成茎环结构构象改变，荧光基团与淬灭基团剂分开，荧光基团被激发。
一种检测生物耗材核酸酶残留 dna rna 及其使用方法

[发明专利]一种连续生产环十二碳三烯的方法-CN201711263748.0有效
发明人：张彦雨;陈海波;边新建;黎源;吴训锟;黎晓峰;张文立;王文 -专利权人：万华化学集团股份有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C07C2/46 文献下载
摘要：在含有催化剂溶液的作用下，含有丁二烯的物料流在聚合反应器中发生丁二烯环化三聚反应，得到含有环十二碳三烯的反应液；(2)含有环十二碳三烯的反应液与另一部分催化剂溶液进入到老化反应器进行反应；(3)老化反应器得到的反应液进入到淬灭反应器，采用多烯多胺类物质作为淬灭剂对反应进行淬灭，获得淬灭后的含有环十二碳三烯的反应液。本发明首先通过对丁二烯进行预处理，使得聚合反应过程不受原料带入杂质的影响，催化剂效率增加；同时采用催化剂淬灭剂对反应进行淬灭，简化了后处理流程，提高了生产效率。
一种连续生产十二碳三烯方法

[发明专利]单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路及其方法-CN201910232656.9有效
发明人：喻文娟;张钰;许明珠 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H03K17/22 文献下载
摘要：本发明公开了单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路及其方法。目前有完成单光子雪崩光电二极管淬灭恢复功能的电路设计，但是其淬灭复位的时间还有提高的空间。本发明单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和延迟保持电路。本发明在淬灭过程中，雪崩二极管SPAD的阴极接至低电平，阳极接至高电平，进而达到雪崩二极管SPAD的阳极电压上升的同时阴极电压下降的效果，有效降低了淬灭时长。
光子雪崩二极管探测器快速复位电路及其方法

[发明专利]一种环十二碳三烯的分离纯化方法-CN202010012972.8有效
发明人：刘建军;何光文;冯猛;孟祥楠;刘英瑞;李俊平 -专利权人：万华化学集团股份有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C07C7/12 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：将淬灭剂溶解于溶剂中，制备得到淬灭剂溶液；将所述淬灭剂溶液与环十二碳三烯反应液混合后进入淬灭反应器进行淬灭，得环十二碳三烯粗产品；所述环十二碳三烯粗产品先进入螯合树脂塔，再依次通过蒸馏塔中的脱催化剂单元、脱重组分单元、脱溶剂单元、脱淬灭剂单元、脱轻组分单元和产品精制单元，得到环十二碳三烯产品。
一种十二碳三烯分离纯化方法

[发明专利]制造矿物熔体的方法和设备-CN201180052079.7有效
发明人：拉尔斯·柏伦德;拉尔斯·埃尔梅基尔德·汉森 -专利权人：罗克伍尔国际公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C03B3/02 文献下载
摘要：预热矿物材料和燃烧气体的供给并且燃烧在循环燃烧室（1）中的燃料由此熔化矿物材料来形成矿物熔体并产生排出气体，其中排出气体与矿物熔体（9）分离并且排出气体通过排出管（10）向上经过热交换系统的导管（11）；和淬灭机构，用于淬灭排出管（10）中的排出气体，其中淬灭机构包括淬灭罩，用于在排出气体进入导管（11）之前通过绕着排出出口（10）将诸如环境空气的冷却流体汲取到排出气体流中来淬灭排出气体，并且其中排出管（10）从燃烧室（1）向上延伸，并且伸入到淬灭罩中使得排出气体离开排出管（10）进入罩内部，所述延伸的高度是排出管（10）的内径的至少2.5倍，优选2.5和4之间，更优选约三倍。
制造矿物方法设备

[发明专利]一种三氯蔗糖氯化液后处理的方法-CN201910811708.8有效
发明人：王玉岗;刘钢;刘祥洪;严荣伟;周有桂 -专利权人：山东新和成精化科技有限公司;浙江新和成股份有限公司;上虞新和成生物化工有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C07H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氯蔗糖氯化液后处理的方法，包括：(1)向氯化液中加入淬灭试剂进行淬灭，淬灭完成后过滤得到滤液和滤渣；(2)向步骤(1)得到的滤液中加酸进行中和，中和完成后进行过滤得到滤液和滤渣；步骤(1)所用的淬灭试剂为两性化合物或两性化合物与无机碱的组合。
一种蔗糖氯化处理方法

[发明专利]一种超低阈值的门控淬灭电路-CN201710493302.0有效
发明人：白涛;刘小淮;乔伟 -专利权人：安徽北方微电子研究院集团有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03K17/785 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低阈值的门控淬灭电路，包括充电管MOS管M2、淬灭管MOS管M1和多个MOS管。本发明的超低阈值门控淬灭电路，可以检测微弱的雪崩电流信号，可以把光（暗）载流子触发的雪崩电流瞬间放大至超过一个NMOS阈值电压，使SPAD两端的电压由雪崩击穿电压以上降至雪崩击穿电压以下，进而淬灭雪崩电流
一种阈值门控电路

[实用新型]一种超低阈值的门控淬灭电路-CN201720748260.6有效
发明人：白涛;刘小淮;乔伟 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H03K17/785 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超低阈值的门控淬灭电路，包括充电管MOS管M2、淬灭管MOS管M1和多个MOS管。本实用新型的超低阈值门控淬灭电路，可以检测微弱的雪崩电流信号，可以把光（暗）载流子触发的雪崩电流瞬间放大至超过一个NMOS阈值电压，使SPAD两端的电压由雪崩击穿电压以上降至雪崩击穿电压以下，进而淬灭雪崩电流
一种阈值门控电路

[发明专利]一种防淬灭真菌荧光染色液-CN202310653666.6在审
发明人：陈文芳;廖丽芳;蒲英飞 -专利权人：朗禾（天津）医疗科技有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01N1/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种防淬灭真菌荧光染色液，由包括如下原料制备而成：荧光增白剂‑28、背景染料、抗荧光淬灭剂、促溶剂、渗透剂、稳定剂、表面活性剂、去离子水，其中所述抗荧光淬灭剂为抗坏血酸、三乙烯二胺、没食子酸丙酯将各组分稳定在一个溶液体系中，可长期室温稳定保存；同时添加抗荧光淬灭剂，可有效减缓荧光淬灭，增强真菌染色荧光强度。本发明具有操作简便、荧光强度高、猝灭时间长、染色时间短、特异性强、检测通用性好等优点，具有较好的临床应用前景。
一种防淬灭真菌荧光染色

[发明专利]一种被动淬灭电路-CN202011103716.6在审
发明人：梁毅;李长忠 -专利权人：良业科技集团股份有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本申请公开了一种被动淬灭电路，所述电路包括：恒流元件、雪崩光电二极管；其中，所述恒流元件与所述雪崩光电二极管串联。本申请通过将所述恒流元件替换传统电路中使用的淬灭电阻，从而解决现有技术中存在的淬灭恢复慢、死时间长、光计数率低的问题。
一种被动电路

[发明专利]一种基于核酸外切酶的microRNA多色检测探针及检测方法-CN201510530744.9在审
发明人：周翔;王少儒;张小娥 -专利权人：武汉顺可达生物科技有限公司;武汉大学
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： C12N15/11 文献下载
摘要：本发明检测探针为发卡结构的DNA，包含三个部分：茎末端区、loop环状区和5'、3'末端标记的荧光基团、淬灭基团；环状区包含待测miRNA的互补序列。没靶标miRNA时发卡结构稳定，荧光基团和淬灭基团彼此靠近，荧光被淬灭；靶标miRNA存在时，环结构与靶标结合后发卡结构打开形成DNA-RNA杂合体，5'与3'端部分裸露出来，露出来的单链DNA的3'端能被核酸外切酶识别降解，淬灭基团从杂合体中脱落从而使荧光恢复。根据检测标靶的不同设计相对应的探针，并且标记不同的荧光基团淬灭基团对，能实现多种miRNAs的同时检测。
一种基于核酸外切酶 microrna 多色检测探针方法

[发明专利]一种基于SPAD的高速图像传感器像素结构-CN201910454960.8在审
发明人：高静;牛洪星;聂凯明;徐江涛 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本发明公开一种基于SPAD的高速图像传感器像素结构，包括：第一检测处理电路，用于检测光子的第一雪崩光电二极管APD及用于通过反馈回路输出对第一雪崩光电二极管APD进行淬灭的第一淬灭电路；第二检测处理电路，用于检测光子的第二雪崩光电二极管及用于通过反馈回路输出对第二雪崩光电二极管APD进行淬灭的第二淬灭电路；本发明通过在基于SPAD的图像传感器中的像素内增加一个雪崩光电二极管和淬灭电路，可使两个雪崩光电二极管在对方进入死时间时交替探测入射光子
雪崩光电二极管淬灭光子高速图像传感器图像传感器电路处理电路反馈回路像素结构检测输出第二检测入射像素成像探测

[发明专利]一种用于扩增变异型靶基因片段的非淬灭型寡核苷酸探针及其应用-CN201910422217.4在审
发明人：唐东江;赵计昌;黄雅菁;齐盼盼;乔一恺;李雁茭;林上炎 -专利权人：珠海圣美生物诊断技术有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C12N15/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于扩增变异型靶基因片段的非淬灭型寡核苷酸探针及其应用，所述非淬灭型寡核苷酸满足以下条件：①与野生型靶基因片段完全匹配，与变异型靶基因片段局部错配；②调整寡核苷酸探针长度；③在变异位点附近的特定位置进行修饰(例如锁核酸或肽核酸修饰)；④所述探针为非淬灭型寡核苷酸探针，不标记荧光基团和淬灭基团；⑤探针3’末端进行修饰(如双脱氧修饰或氨基修饰，磷酸化修饰)；⑥所述变异为单个或者多个碱基变异(如点突变、缺失及其它类型变异本发明所述非淬灭型寡核苷酸探针具有成本低，富集后的检测方式灵活性大以及效果稳定的优点。
寡核苷酸探针淬灭靶基因修饰变异型探针扩增标记荧光基团磷酸化修饰氨基修饰变异位点淬灭基团寡核苷酸碱基变异效果稳定点突变局部错锁核酸野生型肽核酸脱氧富集匹配应用检测