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[发明专利]检测水稻光温敏雄性不育基因tms9-1和pms3的KASP标记引物及其应用-CN201811467092.9在审
发明人：祁永斌;王建军;王林友;张礼霞;宋建;桂君梅 -专利权人：浙江省农业科学院
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：标记引物及其应用，包括检测tms9‑1基因的Ktms9‑1引物组和检测pms3基因的Kpms3引物组，所述Ktms9‑1引物组包括Ktms9‑1正向引物1、Ktms9‑1正向引物2、Ktms9‑1反向引物、淬灭探针1和淬灭探针2，其核苷酸序列分别如SEQ ID NO.1‑3、8和10所示；所述Kpms3引物组包括Kpms3正向引物1、Kpms3正向引物2、Kpms3反向引物、淬灭探针1和淬灭探针2，其核苷酸序列分别如
淬灭探针正向引物引物组光温敏雄性不育基因核苷酸序列标记引物反向引物检测光温敏雄性不育系水稻种检测转育应用改良

[发明专利]引物去磷酸化引发的循环指数扩增检测碱性磷酸酶的方法-CN201811037977.5在审
发明人：张春阳;王黎娟;王子月 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C12Q1/6844 文献下载
摘要：本发明公开了引物去磷酸化引发的循环指数扩增检测碱性磷酸酶的方法，采用传感器由DNA引物、发夹探针1和发夹探针2组成，发夹探针1和发夹探针2的5'端碱基均修饰荧光基团，与发夹探针1的5'端碱基互补的碱基修饰淬灭基团；与发夹探针2中的5'端碱基互补的碱基修饰淬灭基团，发夹探针1中的淬灭基团和3'端之间的碱基序列与DNA引物的碱基序列互补，发夹探针1的5'端和发夹探针1酶切识别序列之间碱基序列与发夹探针2中的淬灭基团与
发夹探针淬灭基团碱基序列互补碱性磷酸酶碱基序列端碱基碱基修饰扩增检测去磷酸化循环指数酶切引物荧光基团传感器修饰灵敏检测

[发明专利]集成淬灭电阻的单光子雪崩二极管及其制造方法-CN201610887005.X在审
发明人：徐江涛;张安;韩立镪;高静;史再峰 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及一种单光子雪崩二极管(SPAD)及其制作方法，为降低版图尺寸的集成淬灭电阻的SPAD结构及其制备方法，通过将淬灭电阻光刻在SPAD结构中，使雪崩电荷控制在合理范围内，从而实现后脉冲概率的有效降低本发明采用的技术方案是，集成淬灭电阻的单光子雪崩二极管，在P型半导体衬底上，生成有P型外延层，在P型外延层上先后进行N型杂质注入和P型杂质注入形成有PN结，PN结上设置氧化形成的氧化层，对部分氧化层进行刻蚀处加入有阳极，阳极与P型杂质相连通，利用光刻添加的淬灭电阻与阳极相连，阳极通过一层金属环与输出引脚相连。
集成电阻光子雪崩二极管及其制造方法

[发明专利]一种应用于单光子探测器的门控电路-CN201610062184.3在审
发明人：卜晓峰;马浩文;沈寒冰;吴俊辉 -专利权人：苏州超锐微电子有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于单光子探测器的门控电路，包括应用于单光子雪崩二极管(SPAD)的淬灭、复位与读取电路。该电路采用一种全新的主动淬灭与复位技术，通过设定施加于MOSFET（金属‑氧化物半导体场效应晶体管,即金氧半场效晶体管Metal‑Oxide‑Semiconductor Field‑Effect Transistor,以下简称MOSFET）栅极上的电压的周期性来控制单光子雪崩二极管的光子探测、淬灭、复位与读取周期。改电路采用少量MOSFET实现单光子雪崩探测器的全部工作过程，且探测周期可根据需要调整，极大的简化了单光子探测器主动淬灭与复位电路的复杂性，有利于实现单光子雪崩二极管的大规模集成，实现单光子级灵敏度的成像阵列
一种应用于光子探测器门控电路

[发明专利]一种彩色光刻胶及其制备方法-CN201710560379.5在审
发明人：曾燚 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：所述彩色光刻胶是在含染料的组合物中添加一定量的荧光淬灭剂，所述荧光淬灭剂与染料的重量比为1(5‑20)；其制备方法包括以下步骤A，将碱可溶性树脂和单体溶解在一部分溶剂中，得到混合物A；B，将光起始剂溶解在剩余的溶剂中，得到混合物B；C，将混合物A、混合物B、添加剂和荧光淬灭剂相混合，得到混合物C；D，将混合物C、颜料分散液和染料相混合，得到所述的彩色光刻胶。本发明所述的彩色光刻胶由于在含染料的组合物中添加了一定量的荧光淬灭剂，降低了染料的荧光效应，提升了彩色光刻胶的对比度，从而改善画面品质。
一种彩色光刻及其制备方法

[发明专利]荧光检测体系、荧光生物传感器及其用途-CN202010393525.1在审
发明人：周洁;许改霞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种荧光检测体系，包括：至少两种荧光探针，结合至少两种阿尔兹海默症的生物标志物分子，每种荧光探针标记的荧光分子的发光光谱互不相同；荧光淬灭剂，荧光淬灭剂吸附荧光探针，使荧光分子的荧光淬灭；荧光淬灭剂与结合生物标志物分子的荧光探针解吸附
荧光检测体系生物传感器及其用途

[发明专利]硅光电倍增器、光电探测装置和成像系统-CN202010471026.X在审
发明人：张玺;徐青;王麟 -专利权人：湖北京邦科技有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅光电倍增器、光电探测装置和成像系统，该硅光电倍增器包括一个像素单元或并联连接的多个像素单元，每个像素单元均包括雪崩光电二极管以及淬灭晶体管，其中，多个像素单元中的雪崩光电二极管的阳极或阴极并联连接以构成硅光电倍增器的阳极或阴极，雪崩光电二极管的阴极或阳极分别与对应的淬灭晶体管的源极或漏极连接；多个像素单元中的淬灭晶体管的漏极或源极并联连接以构成硅光电倍增器的阴极或阳极，淬灭晶体管的栅极并联连接以构成硅光电倍增器的栅极。
光电倍增器探测装置成像系统

[发明专利]一种丙硫菌唑中间体的连续化反应装置及合成方法-CN201910831003.2在审
发明人：汪静莉;李新良;朱建华;陈晓龙;商一锴;焦德荣;王大文 -专利权人：泰州百力化学股份有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： C07C29/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种丙硫菌唑中间体的连续化反应装置及合成方法，连续化合成方法在连续化反应装置进行；反应装置包括连续化格式试剂制备单元、连续化加成反应单元和连续化淬灭反应单元；合成方法具体为邻氯氯苄、溶剂及镁在连续化格式试剂制备单元中反应得到格式试剂；格式试剂与1‑氯‑1‑氯乙酰基环丙烷在连续化加成反应单元中反应得到环氧中间体和加成中间体；两种中间体与盐酸在连续化淬灭反应单元进行淬灭，淬灭后经分液、水洗、蒸馏得到1‑氯‑2‑（1‑氯环丙基）‑3‑（
连续化格式试剂连续化反应装置丙硫菌唑淬灭反应加成反应合成淬灭制备环氧中间体连续化合成产品纯度反应装置氯乙酰基丙醇蒸馏副反应环丙烷氯苯基溶剂丙基产率分液加成氯环氯氯盐酸安全

[发明专利]一种连续制备甲苯衍生物的一溴代物的方法-CN202111667930.9在审
发明人：杜晨辉;刘巧伦;疏其朋;李星;王永正;陈晶;陈礼科;朱瑞恒;孙宝权;杨洪伟;傅小勇 -专利权人：上海合全药业股份有限公司;上海合全药物研发有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C07C17/14 文献下载
摘要：该方法包括如下步骤：S1.将溴酸钠溶液、氢溴酸溶液和反应原料输送至反应器中进行反应，得到反应产物；S2.将反应产物和淬灭剂溶液输送至第一混合器进行淬灭反应，得到淬灭产物；S3.将淬灭产物和萃取溶剂输送至第二混合器后
一种连续制备甲苯衍生物一溴代物方法

[发明专利]一种硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路及其控制方法-CN202210043656.6在审
发明人：唐遵烈;马华平;邓光平;郭安然;黄建;张洪博 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路及其控制方法，具有一总输入端和总输出端，所述硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路包括一偏压电源、一高速驱动器、一负偏差钳位子电路、一PMOS管和一NMOS管，可在总输出端产生一大电压脉冲信号，用于提高硅基单光子探测器的探测效率，并且，NMOS管和PMOS管轮流交替工作，使整个淬灭与恢复电路具有较低的静态功耗，从而延长使用寿命，并且获得的较快的开关速度以及较短的开启和关断时间有利于降低暗计数以及探测死区时间以及提高硅基单光子探测器的计数率，可适用于门控模式和主动模式的硅基单光子探测器的淬灭与恢复，通用性较强。
一种硅基单光子探测器恢复电路及其控制方法

[发明专利]带反馈的信号选择电路和光感测距芯片-CN202210190334.4在审
发明人：朱春艳;张超 -专利权人：上海灵昉科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G01S7/483 文献下载
摘要：该带反馈的信号选择电路包括淬灭复位模块、选择标记模块和TDC单元。该电路通过利用不同层级的选择标记单元实现使能信号反馈，从而输出淬灭复位单元自身的地址号。当一个淬灭复位单元的触发信号为1时，第一层上与淬灭复位单元连接的选择标记单元的信号输出端信号为1，通过其他层的选择标记单元向后传输信号，使得最后一层的选择标记单元信号输出端信号为1；最后一层的选择标记单元通过其他层的选择标记单元向前传输第一使能输入端信号
反馈信号选择电路测距芯片

[发明专利]一种动作次数智能统计的多腔室灭弧间隙-CN202211085405.0在审
发明人：蔡永翔;肖小兵;李跃;付宇;李华鹏;何肖蒙;刘安茳;张洋;周海;袁涛;杨忠;吴敌;黄志清;张锐锋;吴聪聪;郝树青;熊楠;陈宇;郑友卓;王扬;窦陈;唐学用;王颖舒;龙秋风;苗宇;何心怡;金庆远;龙琴;何洪流;张恒荣;吴鹏;李前敏;王卓月;班诗雪;黄如云 -专利权人：贵州电网有限责任公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01T4/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种动作次数智能统计的多腔室灭弧间隙，包括高压电极，包括配网输电线路和针式绝缘子，高压电极设置与配网输电线路上，且与针式绝缘子并联安装；以及多腔室灭弧单元，其上部为若干层环形结构组成的具有灭弧功能的多腔室结构；淬弧动作次数统计单元，设置多腔室灭弧单元的下部，淬弧动作次数统计单元包括供能电源、故障电流监测模块、数据采集控制器、数据存储以及通讯模块。本发明的有益效果为可实现装置淬弧动作次数和装置淬弧时间统计，且能够长期免维护、独立供能，为线路维护检修工作人员确定线路的运行情况和故障易发位置提供参考。
一种动作次数智能统计多腔室灭弧间隙

[发明专利]一种具备快速响应的单光子雪崩二极管淬灭与复位电路-CN202211490322.X在审
发明人：李显博;唐超;周燕贤;王东航 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具备快速响应的单光子雪崩二极管淬灭与复位电路，包括SPAD、负载电阻、NMOS管MN2、雪崩检测反相器、第一PMOS管MP1_{、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、淬灭信号电平移位器本发明提供一种具备快速响应的单光子雪崩二极管淬灭与复位电路，解决了现有的快速响应主动式淬灭与复位电路无法同时满足高灵敏度SPAD所需的高额外偏置电压的要求并保持快速响应特性的问题。}
一种具备快速响应光子雪崩二极管复位电路

[发明专利]一种3d堆叠芯片的键合键布设结构-CN202111338758.2有效
发明人：朱春艳;张超;吕京颖 -专利权人：深圳市灵明光子科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请公开了一种3d堆叠芯片的键合键布设结构，包括上下位置堆叠设置的SPAD芯片和逻辑芯片，SPAD芯片包括多个SPAD单元，每个SPAD单元中对应布设多个第一键合键，逻辑芯片包括与SPAD单元数量相同的淬灭复位电路单元，淬灭复位电路单元的面积小于SPAD单元的面积，每个淬灭复位电路单元中对应布设至少一个第二键合键，每个淬灭复位电路单元通过至少一个第二键合键与对应的SPAD单元的至少一个第一键合键电连接，其中，用于电连接的第一键合键为有效第一键合键
一种堆叠芯片键合键布设结构

[发明专利]一种基于糠醛功能化碳量子点检测多菌灵的方法-CN202111313617.5有效
发明人：王鹏;王鹏;刘东晖;刘雪科;周志强 -专利权人：中国农业大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：属于农药检测技术领域，包括：将样本与碱溶液混合后进行水浴，得到水浴液；将得到的水浴液与糠醛功能化碳量子点溶液、酸溶液混合后进行反应，得到反应物；将得到的反应物在350nm的激发光波长下检测荧光强度，得到荧光淬灭效率，将所述荧光淬灭效率代入线性方程中，得到样本中的多菌灵浓度，所述荧光淬灭效率＝(F0‑F)/F0，其中：F0：多菌灵浓度为0时的荧光强度，F：样本中多菌灵测得的荧光强度；线性方程：y＝0.005x+0.083，y为荧光淬灭效率；x为样本中多菌灵浓度，单位为mg/L。
一种基于糠醛功能量子检测多菌灵方法