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[发明专利]一种低温共烧陶瓷基板及其制备方法-CN202010182130.7在审
发明人：吕潭;刘峰;张发强;刘志甫 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温共烧陶瓷基板及其制备方法，所述低温共烧陶瓷基板的制备方法包括：（1）将陶瓷粉体40～60 wt%、溶剂30～50 wt%、粘结剂5～15 wt%、分散剂0.2～2 wt%混合，得到陶瓷流延浆料，所述粘结剂为聚甲基丙烯酸酯；（2）将所得陶瓷流延浆料经流延成型，得到陶瓷流延生瓷带；（3）将所得陶瓷流延生瓷带置于空气气氛或无氧气氛中，在380～450℃下排胶后，再经过烧结，得到所述陶瓷基板；或者，将Cu电极和Ni电极中的至少一种印刷至陶瓷流延生瓷带后置于无氧气氛中，在380～450℃下排胶后，再经过烧结，得到所述低温共烧陶瓷基板。
一种低温陶瓷及其制备方法

[发明专利]低温磁瓷共烧复合基材及制备方法-CN201210030888.4无效
发明人：王永明;廖杨;王升;韩志全;冯涛;陈劲松;张菊艳 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2012-02-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及低温磁瓷共烧复合基材和微波领域，特别涉及一种低温磁瓷共烧复合基材，包括介质层，其由介质粉料加入流延载体经制浆流延而成；磁性层，其由铁氧体材料加入流延载体制浆流延而成；以及过渡层，其由介质粉料以及铁氧体材料加入流延载体制浆流延而成；所述介质层、磁性层以及过渡层进行共烧；所述过渡层位于所述介质层和磁性层之间；所述介质层为外层;同时也提供了一种低温磁瓷共烧复合基材的制备方法。
低温磁瓷共烧复合基材制备方法

[发明专利]流延共烧法制备镍基阳极支撑型固体氧化物燃料电池-CN202211257067.4在审
发明人：于方永;韩婷婷;杨乃涛;解玉姣;孟秀霞;张津津;吴玉玺;李琳;苗珂 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01M8/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种流延共烧法制备镍基阳极支撑型固体氧化物燃料电池，包括以下步骤：（1）制备镍基阳极粉末；（2）制备阳极、石墨和电解质流延浆料；（3）流延法制备复合阳极层；（4）固化；（5）流延法制备电解质层；（6）对镍基阳极‑电解质共同体进行压片、打孔和共烧；（7）制备阴极浆料，涂刷法制备阴极，高温烧结后得到镍基阳极支撑固体氧化物燃料电池。另外，本发明采用流延共烧法一步制备镍基阳极支撑体与电解质，有效简化了制备工艺，节省成本。
流延共烧法制备镍基阳极支撑固体氧化物燃料电池

[发明专利]低温共烧陶瓷材料复合基板的制备方法-CN201811416262.0在审
发明人：吴亚光;高岭;任才华;白洪波;张义政;王贝;王东生 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种低温共烧陶瓷材料复合基板的制备方法，涉及微波器件用材料技术领域，包括制备玻璃原粉、制备不同介电常数的低温共烧陶瓷材料、制备流延浆料、流延、制作基板和烧结工序。本发明提供的低温共烧陶瓷材料复合基板的制备方法，利用钙硼硅玻璃作为主玻璃相制得玻璃原粉，制得不同介电常数的LTCC材料，进而制得流延浆料和基板，最终将其层叠制得复合基板，该加工方法采用相同的钙硼硅玻璃作为多种低温共烧陶瓷材料的主玻璃相
低温共烧陶瓷材料制备复合基板介电常数钙硼硅玻璃流延浆料基板原粉材料技术领域玻璃烧结工序微波器件玻璃相功能相翘曲度收缩率主玻璃带料粉料抗弯流延加工制作

[发明专利]一种低温共烧陶瓷流延浆料及其制备方法-CN202310121958.5在审
发明人：梁永源;刘峰;金航烽;金小杰 -专利权人：浙江矽瓷科技有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温共烧陶瓷流延浆料及其制备方法。所述低温共烧陶瓷流延浆料的组成包括：以质量百分比计，低温共烧陶瓷生瓷粉40～50％，粘结剂5～6％，增塑剂2～2.4％，分散剂0.5～1.5％，溶剂42.5～50.1％；所述粘结剂为分子量50000～100000
一种低温陶瓷浆料及其制备方法

[发明专利]一种低温共烧材料及制备的用于过流保护的生瓷片、器件-CN202110379026.1有效
发明人：奚洪亮;刘振锋;闫鑫升;艾辽东;宋锡滨 -专利权人：山东国瓷功能材料股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明属于过流保护器件技术领域，具体涉及一种低温共烧材料，并进一步公开其制备的用于过流保护的生瓷片及过流保护器件。本发明所述低温共烧材料基于陶瓷粉、玻璃粉，并加入添加剂和稀土元素制得，所述低温共烧材料可制得流延浆料并经流延处理形成生瓷片进而成型所述贴片保险丝，制得产品具有高强度、浪涌稳定性高，良好的绝缘特性、热膨胀系数匹配金属浆料
一种低温材料制备用于保护瓷片器件

[发明专利]一种低温共烧陶瓷吸波材料及其制造方法-CN201110059301.8有效
发明人：童春媛;房玉礼 -专利权人：潍坊介纳新材料有限公司
申请日： 2011-03-07 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温共烧陶瓷吸波材料的制造方法，其特征在于包括以下步骤：一种低温共烧陶瓷吸波材料的制造方法，其特征在于包括以下步骤：采用瀑布流延工艺，将陶瓷浆料在片状吸波材料上流延成膜；以及，将上述数块带有陶瓷膜的片状吸波材料叠层后在本发明提供的方法，通过瀑布流延和低温烧结工艺制造低温共烧陶瓷吸波材料，成本低、工艺简单，适于工业生产。
一种低温陶瓷材料及其制造方法

[发明专利]一种低介低膨胀低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN201210561636.4有效
发明人：彭寿;王芸;方亮;曹志强 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2012-12-22 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C04B35/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种低介低膨胀低温共烧陶瓷材料及其制备方法，包括：a、将重量百分比为（60～80）%的硼硅酸盐玻璃粉，与（20～40）%的球形熔融石英微粉混合得到低温共烧陶瓷粉料；b、向低温共烧陶瓷粉料中加入溶剂、粘结剂、增塑剂、分散剂，得到流延浆料，流延瓷浆料制成生瓷带；c、生瓷带置于电炉烧结后形成低温共烧陶瓷材料。本发明制备的低温共烧陶瓷材料的介电常数为5.1（1MHz），热膨胀系数为4.2×10-6K-1，具有良好的应用前景。
一种低介低膨胀低温陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高温共烧陶瓷用氮化铝生瓷片的制备方法-CN201810507449.5在审
发明人：李大海;胡娟 -专利权人：宁夏艾森达新材料科技有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：一种高温共烧陶瓷用氮化铝生瓷片的制备方法，包括以下步骤：1）装入研磨球；2）配置浆料；3）一次研磨；4）配置流延浆料；5）二次研磨；6）真空脱泡；7）流延成型：将真空脱泡后的流延浆料移至流延机进行流延操作本发明生产原料不含苯、酮、醛等有毒成分，生产过程不产生有机类有毒有害物质及废液，减少环境污染，本发明制成的生瓷片，强度高、导热性好、密度均匀，在高温共烧陶瓷的制作过程中不易变形、打孔印刷精度高、平整度好
生瓷片高温共烧陶瓷氮化铝流延浆料真空脱泡制作过程制备导热性金属化浆料印刷不易变形叠片错位二次研磨厚度控制流延成型密度均匀生产过程生产效率生产原料一次研磨流延机匹配性平整度生瓷带研磨球有机类打孔偏移裁切废液覆膜浆料流延配置填孔装入收缩加工

[发明专利]一种高Q值微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法及高Q值微波介质陶瓷制备方法-CN201910907939.9有效
发明人：张标;叶枫;刘强;叶健;高晔;叶凯 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷与铝超低温共烧方法及陶瓷制备方法，更具体的说是一种高Q微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法及高Q微波介质陶瓷制备方法，采用放电等离子烧结SPS工艺对高Q微波介质陶瓷与铝之间的进行快速超低温共烧，CuMoO4陶瓷粉体与溶剂充分混合，依次加入分散剂、粘结剂、增塑剂和消泡剂，继续混合8～12小时，得到CuMoO4的流延浆料；CuMoO4的流延浆料采用流延成型工艺制备CuMoO4生瓷带；CuMoO4生瓷带采用丝网印刷工艺用铝浆印刷电路；对丝网印刷工艺完成的CuMoO4生瓷带进行叠压和排胶，并装入电等离子烧结SPS模具中；该高Q微波介质陶瓷在600℃以下，仅需3～5分钟即可实现与铝共烧
一种微波介质陶瓷超低温方法制备

[发明专利]一种厚度大于200μm的铁氧体片、及其制备方法和用途-CN201811548840.6有效
发明人：王媛珍;苏艳锋;於扬栋 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01F1/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种厚度大于200μm的铁氧体片、及其制备方法和用途，所述铁氧体片的制备方法包括如下步骤：(1)将流延生片冲压，得到具有预定图案的流延生片，所述流延生片在流延过程中与空气接触的面记为自由面；(2)将所述具有预定图案的流延生片叠片，得到烧结组件；(3)将所述烧结组件进行装烧，制得铁氧体片。本发明通过在流延生片表面冲压和每个烧结组件之间留出缝隙，形成气体排出通道，进而在后续烧结过程中，排出通道可以排放在烧结时流延生片内产生的气体，本发明采用多层叠片和在延流片最上层层覆盖盖板的方式，解决了现有技术在烧结过程中铁氧体片的翘曲、开裂和匹配共烧一致性差等问题，并且提高了产品的成品率。
一种厚度大于 200 铁氧体及其制备方法用途

[发明专利]一种氮化硅/钨高温共烧陶瓷基板的制备方法-CN202211172774.3在审
发明人：张景贤;王铃沣;段于森 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C04B35/593 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅/钨高温共烧陶瓷基板的制备方法，包括：（1）以硅粉/氮化硅粉作为原料粉体，稀土氧化物和碱土金属氧化物作为复合烧结助剂，与溶剂进行一次球磨混合，再加入塑性剂和粘结剂进行二次球磨，最后经真空脱泡，得到混合浆料；（2）采用流延成型设备将混合浆料流延成型，制备得到生料带；（3）以金属W浆料作为印刷导电浆料，通过丝印机在流延膜上绘制导电图形，待干燥后，得到印刷有导电图形的生料带；（4）将所得印刷有导电图形的生料带经切割、叠层后得到需要厚度的氮化硅膜片，再经真空脱粘和气压烧结，得到氮化硅/钨高温共烧陶瓷。
一种氮化高温陶瓷制备方法

[发明专利]LTCC功率电感基体与非磁性铁氧体材料匹配共烧方法及电感-CN202010469409.3在审
发明人：简丽勇;周志斌;陈鑫;马龙;梁启新 -专利权人：深圳市麦捷微电子科技股份有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明公开一种LTCC功率电感基体与非磁性铁氧体材料匹配共烧方法，该方法为由低温烧结NiCuZn铁氧体材料和非磁性铁氧体材料通过LTCC湿法流延工艺进行匹配共烧。本发明应用LTCC工艺实现NiCuZn铁氧体与非磁性铁氧体材料匹配，其中将非磁性铁氧体层作为非磁性气隙调节整个共烧体的磁性能和元件的电性能，得到一种能在低温900℃烧结，无分层开裂，无变形且结合良好的叠层共烧体；并且以该共烧体为基体材料制作的叠层功率电感的直流特性优于无非磁性气隙电感。
ltcc 功率电感基体磁性铁氧体材料匹配方法

[发明专利]一种硼硅酸盐玻璃及球形氧化铝低温共烧陶瓷生瓷带及其制备方法-CN201310049370.X有效
发明人：彭寿;王芸;彭程;方亮;曹志强;周鸣 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼硅酸盐玻璃及球形氧化铝低温共烧陶瓷生瓷带及其制备方法，该生瓷带由玻璃-陶瓷复合材料和流延介质组成，其中玻璃-陶瓷复合材料是由硼硅酸盐玻璃、球形氧化铝组成；流延介质是由混合溶剂、单体粘结剂本发明制备的低温共烧陶瓷生带表面平整、光滑，生带固含量可达88~92wt%，烧成收缩率为9~11%，各个方向烧结收缩率差异小，能在850℃实现与Au、Ag等低熔点金属布线共烧。
一种硅酸盐玻璃球形氧化铝低温陶瓷生瓷带及其制备方法

[发明专利]LTCC功率电感器件基体与陶瓷介质材料匹配共烧方法-CN201510140967.4有效
发明人：李元勋;邓龙超;王旭;苏桦;沈健;韩莉坤;李颉;张怀武 -专利权人：电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明提供一种LTCC功率电感器件基体与陶瓷介质材料匹配共烧方法，由低温烧结NiCuZn铁氧体材料和陶瓷硅酸盐材料通过LTCC湿法流延工艺进行匹配共烧；本发明应用LTCC工艺实现NiCuZn铁氧体与硅酸盐介质匹配，其中将硅酸盐作为非磁性气隙层来调节整个共烧体的磁性能和器件的电性能，得到一种能够在低温900℃烧结、无分层开裂、无翘曲变形且结合良好的叠层共烧体；并且以该共烧体为基体材料制作的叠层功率电感的直流特性相较于无介质气隙的电感有更好的直流特性
ltcc 功率电感器件基体陶瓷介质材料匹配方法

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