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[发明专利]有机发光二极管和包含其的有机发光装置-CN202111527443.2在审
发明人：申智彻;田成秀;金信韩;刘璇根 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本公开涉及一种有机发光二极管，其包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；位于所述第一电极和所述第二电极之间的第一p型掺杂层；位于所述第一p型掺杂层与所述第二电极之间的第二p型掺杂层；位于所述第二p型掺杂层与所述第二电极之间的第三p型掺杂层；位于第一p型掺杂层和第二p型掺杂层之间的第一发射材料层；位于所述第二p型掺杂层和所述第三p型掺杂层之间的第二发射材料层；以及位于所述第三p型掺杂层与所述第二电极之间的第三发射材料层；其中第三p型掺杂层的电导率大于第一p型掺杂层的电导率且等于或小于所述第二p型掺杂层的电导率。
有机发光二极管包含发光装置

[发明专利]显示面板、制作方法及显示装置-CN202210255408.8在审
发明人：周黎斌 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：显示面板包括：基板；第一柔性基底层，设于基板上；金属层，设于第一柔性基底层上；无机层，设于金属层上；第二柔性基底层，设于无机层上，设有第一过孔穿透无机层暴露金属层的一部分；遮光层，设于第二柔性基底层上，沉积在第一过孔中与金属层接触；缓冲层，覆盖第二柔性基底层和遮光层，设有第二过孔暴露遮光层的一部分；电容驱动组合，设于缓冲层上，沉积在第二过孔中与遮光层接触；平坦层，设于电容驱动组合上，设有第三过孔暴露电容驱动组合的一部分；像素电极层，设于平坦层上，沉积在第三过孔中与电容驱动组合接触。
显示面板制作方法显示装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011541237.2在审
发明人：蔡巧明 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成第一器件的第一区域以及用于形成第二器件的第二区域，所述第一器件的沟道长度大于所述第二器件的沟道长度；在所述第一区域的基底上形成多晶硅栅极层；在所述第二区域的基底上形成由下而上依次堆叠的高k栅介质层、金属阻挡层和伪栅层；在所述多晶硅栅极层和伪栅层侧部的基底上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅层的顶部；去除所述伪栅层，并在所述伪栅层的位置处形成金属栅极层本发明未在多晶硅栅极层下方形成金属阻挡层，有利于使得第一器件的阈值电压能够满足器件的性能需求，从而提高半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]3D存储器件及其制造方法-CN202210223761.8在审
发明人：马闯;郑晓芬;郭振 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开提供了一种3D存储器件及其制造方法，该制造方法包括：在衬底上形成具有多个台阶的叠层结构，包括交替堆叠的多个绝缘层与多个牺牲层，多个台阶的表面暴露相应的牺牲层；在相应台阶的表面分别形成导电的接触垫，接触垫与相邻的台阶侧壁分隔，在叠层结构上形成隔离层，隔离层覆盖接触垫；刻蚀多个牺牲层形成空隙；以及在空隙中形成栅极导体层，接触垫与牺牲层以及栅极导体层的材料均不同，在刻蚀多个牺牲层的步骤中，牺牲层的刻蚀速率大于接触垫的刻蚀速率，且接触垫暴露在空隙中，各接触垫与相应的栅极导体层接触。该制造方法通过将接触垫与牺牲层设置为不同的材料，在将牺牲层置换为栅极导体层的过程中，降低了栅极导体层填充空隙时的难度。
存储器件及其制造方法

[发明专利]一种夹层发光玻璃装置及汽车天窗-CN202210309555.9在审
发明人：孙利强;林友建;谭之海;彭书鑫 -专利权人：浙江彩丞科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： F21V21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种夹层发光玻璃装置，包括光源组件和发光玻璃组件，所述光源组件用于提供光线且设于所述发光玻璃组件的入光侧，所述光线从所述入光侧入射至所述发光玻璃组件内；所述发光玻璃组件依次包括第一玻璃层、第一粘合层、保护层、微结构层、第二粘合层和第二玻璃层，所述微结构层一表面设有若干微结构，所述保护层设于所述微结构层设有所述微结构的一表面，所述第一玻璃层和所述第二玻璃层分别通过所述第一粘合层和所述第二粘合层贴覆于所述保护层和所述微结构层的另一表面；所述光线进入所述发光玻璃组件内并传导至所述微结构时被其散射，散射后从所述第一玻璃层射出。
一种夹层发光玻璃装置汽车天窗

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202210287250.2在审
发明人：高庭庭;吴采宇;刘小欣;杜小龙;孙昌志;袁伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法，该方法包括：在衬底上交替叠置牺牲层和绝缘层以形成叠层结构，将叠层结构图案化为多个台阶；在多个台阶上形成第一电介质层，在每个台阶处形成贯穿第一电介质层和叠层结构的虚拟沟道孔；在虚拟沟道孔的内表面形成绝缘阻隔层，在虚拟沟道孔的剩余空间填充虚拟沟道填充层；将第一电介质层、台阶上的部分绝缘阻隔层以及部分虚拟沟道填充层置换为隔离部，其中隔离部将虚拟沟道填充层分隔为位于其靠近衬底的一侧的第一虚拟沟道填充层和位于其远离衬底的一侧的第二虚拟沟道填充层；将牺牲层替换为栅极层；以及去除第二虚拟沟道填充层和部分隔离部以形成暴露台阶顶部的栅极层的空隙，并在空隙中填充导电材料。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]一种光学镜片减反射膜及其制备方法-CN202210277654.3在审
发明人：丁磊 -专利权人：苏州镭云海创光电科技有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学镜片减反射膜，光学镜片减反射膜从镜片基材的表面到外依次设有第一层YF3膜层、第二层ZnS膜层、第三层YF3膜层和第四层ZnS膜层，第一层YF3膜层的厚度为1200‑1400nm，第二层ZnS膜层的厚度为750‑850nm，第三层YF3膜层的厚度为1200‑1400nm，第四层ZnS膜层的厚度为750‑850nm。
一种光学镜片减反射膜及其制备方法

[发明专利]一种屋面自修复免维修防水系统及施工方法-CN202210213626.5在审
发明人：徐德明;徐乐辰 -专利权人：安徽凯辰新材料有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： E04D11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种屋面自修复免维修防水系统及施工方法，涉及屋面防水技术领域，为解决现有的传统防水系统一旦屋面一层防水系统遭到破坏或者局部防水材料破损难以修复的问题。所述第一防水复合层设置在第二防水复合层的上表面，且第一防水复合层与第二防水复合层通过热熔密封胶粘连，所述第一防水复合层的下表面设置有结构基层，所述结构基层的下表面设置有找平层，结构基层和第一防水复合层均与找平层粘连，所述找平层的下表面设置有找坡层，找坡层和找平层均为混凝土材质，所述找坡层的下表面设置有塑料板，所述第二防水复合层的上表面设置有隔离层，且隔离层与第二防水复合层之间通过防水密封胶紧密贴合固定。
一种屋面修复维修防水系统施工方法

[发明专利]一种复合制导微系统电路-CN202210299578.6在审
发明人：陈涛;丁涛杰;杨兵;郑利华;潘晗 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开一种复合制导微系统电路，属于半导体封装领域，包括具有六层电路布线结构，分别为SURFACE层、L2层、L3层、L4层、L5层和BASE层；所述SURFACE层上装配有裸芯和阻容，所述L2层为地平面，所述L3层和所述L4层为信号层，所述L5层为电源层，所述BASE层为芯片植球层；所述裸芯通过键合金丝引出至基板上，实现电气互连；所述裸芯、所述阻容及所述键合金丝通过塑封料密封起来，使其不受外界影响。
一种复合制导系统电路

[发明专利]一种miniLED制作方法以及miniLED-CN202210253074.0在审
发明人：班国训;赵鹏;徐洲;马英杰;蔡和勋 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种miniLED制作方法以及miniLED，该制作方法包括：提供外延衬底和预设衬底，在外延衬底表面依次形成外延结构、第一粘附层、第一胶层，在预设衬底表面依次形成第二粘附层和第二胶层，将第一胶层和第二胶层键合，实现外延结构与预设衬底相接，去除外延衬底，最后在外延结构背离第一粘附层一侧形成P电极和N电极，第一胶层和第二胶层均为BCB胶层，使得第一胶层与第二胶层的键合温度和压强均较低，键合难度较小，并使得第一胶层与第二胶层键合时，不需要对第一胶层和第二胶层进行抛光和活化，工艺流程较简单，从而该制作方法实现外延结构与预设衬底相接的工艺难度低且简单，有利于miniLED的制备。
一种 miniled 制作方法以及

[发明专利]一种MEMS换能器-CN202210390737.3在审
发明人：王东平 -专利权人：苏州感芯微系统技术有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS换能器，包括由下向上依次层叠的基体、绝缘层、第二膜层、牺牲层、第一膜层；所述基体、绝缘层、牺牲层中部分别设置通孔；所述第一膜层和第二膜层的其中一层为压应力膜，另一层为张应力膜，压应力膜压力释放后向外弯曲本发明通过将其中较软的膜层采用压应力的薄膜代替原来的张应力薄膜，释放掉两层薄膜之间的牺牲层后，在压应力的作用下，较软的薄膜自然凸起，较软的薄膜与较硬的薄膜自然形成较大的距离。采用本发明的设计使用较薄的牺牲层就可以在两层薄膜之间形成较大的间距，可以避免厚牺牲层导致的翘曲和高成本问题。
一种 mems 换能器

[发明专利]一种基于区块链的自适应竞价多能源P2P交易平台-CN202210275780.5在审
发明人：王荣茂;何晓洋;张建;李青春;张晔;杜维春;蒯继鹏;赵适宜;回旋;李泓言;黄博南 -专利权人：国网辽宁省电力有限公司;国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院;东北大学;国家电网有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G06Q30/06 文献下载
摘要：该平台包括物理层、数据层、网络层、共识层、交易层、执行层和应用层；物理层包括多能源市场中的各种能源设备；数据层是一个带时间戳的链式数据库，对多能源市场所有历史交易数据进行备份存储；网络层用于用户身份认证和识别，提供点对点网络协议和数据传输；共识层用于封装区块链的共识机制和共识机制的算法，并向交易层提供应用编程接口；交易层在能源买卖双方之间进行能源匹配和协议，形成智能合约；执行层用于执行交易层的智能合约以及执行能源传输和计量；应用程序层用于为能源交易的参与者和管理者提供交易录入，以及信息查询和数据分析。
一种基于区块自适应竞价多能 p2p 交易平台

[发明专利]钙钛矿光电器件及其制备方法-CN202210217320.7在审
发明人：孙雪;黄锋;刘桂雄;马婷婷;张力玲;袁筱东;杨叶花;蔡永洪 -专利权人：广州计量检测技术研究院
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于光电技术领域，公开了一种钙钛矿光电器件及其制备方法，方法包括：制备器件半成品，器件半成品包括依次连接的导电基底、第一电荷传输层和钙钛矿吸光层；在顶电极层上沉积第二电荷传输层并进行后处理，获得目标电极层；将目标电极层平整放置于器件半成品上，保持第二电荷传输层与钙钛矿吸光层背离第一电荷传输层的一面相贴合；进行加压处理获得钙钛矿光电器件。本发明通过将部分界面电荷传输层在顶电极层上制备后再压制在钙钛矿吸光层上方，无需引入溶剂制备钙钛矿吸光层上方的界面电荷传输层，可以避免电荷传输层的材料选择范围受限于溶剂，扩大电荷传输层的材料选择范围，同时降低钙钛矿光电器件的制备成本
钙钛矿光电器件及其制备方法

[发明专利]改善n型层的发光二极管外延片及其制备方法-CN202210204171.0在审
发明人：陈张笑雄;葛永晖;贾胜敏;陆香花;龚逸品;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本公开公开了改善n型层的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。n型层中，第一氮化铝镓子层使更多电子可以进入发光层中进行复合发光。第一氮化镓子层提高氮化镓材料的质量。第一掺硅氮化镓子层中硅的掺杂浓度低于第二掺硅氮化镓子层中硅的掺杂浓度，便于电子从n型层移动至发光层内。第二掺硅氮化镓子层上层叠的第二氮化铝镓子层，阻挡电子回流。且第一氮化铝镓子层中的Al组分高于第二氮化铝镓子层中的Al组分，保证电子从n型层稳定进入发光层内进行复合发光。可以提高n型层的质量并提高发光二极管外延片的发光效率。
改善发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202011611620.0在审
发明人：贺腾飞;冯冰;黄仁瑞;张建栋 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；蚀刻所述半导体衬底以形成凹槽；在所述凹槽的底部和侧壁上沉积屏蔽介质层；在所述凹槽中形成屏蔽栅极层；蚀刻去除所述屏蔽栅极层的一部分，所述屏蔽栅极层的上表面低于所述屏蔽介质层的上表面；蚀刻所述屏蔽介质层，所述屏蔽介质层的上表面低于所述屏蔽栅极层的上表面；利用干法刻蚀对所述屏蔽栅极层进行形貌处理，以使所述屏蔽栅极层的两端不高于所述屏蔽介质层；在所述凹槽内形成栅极介质层；向所述凹槽中填充栅极材料以形成栅极材料层，所述栅极材料层的上表面高于所述半导体衬底的上表面；对所述栅极材料层进行平坦化，以使所述栅极材料层的上表面与所述半导体衬底的上表面平齐。
一种半导体器件制造方法