“法介电”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1881042个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电容器层形成材料及该电容器层形成材料的制造方法-CN200680013453.1无效
发明人：阿部直彦;杉冈晶子;菅野明弘;中岛弘毅 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2006-04-28 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供电容器层形成材料，其具有由溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中任意一种方法形成的介电层，能够减少电容器电路的漏电流。为了达成上述目的，采用在用于形成上部电极的第一导电层和用于形成下部电极的第二导电层之间具有介电层的电容器层形成材料，其特征是，该介电层是由溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意方法形成的氧化物介电膜，并在构成该氧化物介电膜的粒子之间浸渍树脂成分。另外，采用电容器层形成材料的制造方法，其特征是，在下部电极的构成材料表面，通过溶胶-凝胶法、MOCVD法、溅射蒸镀法中的任意一种方法形成氧化物介电膜，在该氧化物介电膜的表面浸渍树脂清漆，经树脂干燥、树脂固化形成介电层，然后在该介电层上设置上部电极构成层。
电容器形成材料制造方法

[发明专利]介电膜制造方法以及使用了该介电膜制造方法的电容器层形成材料的制造方法-CN200980110443.3无效
发明人：井手本康;北村尚斗;一柳彰;阿部直彦 -专利权人：学校法人东京理科大学;三井金属矿业株式会社
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： C25D13/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种使用含有介电体粒子的含介电体粒子浆料，并通过电泳沉积法形成高密度介电膜时，电泳稳定性优异的介电膜制造方法。为达到上述目的，采用一种介电膜制造方法，其是通过在分散有介电体粒子的介电体粒子分散浆料中配置阴极和阳极并进行电解，从而在任意一方的电极上形成介电膜的、采用电泳沉积法的介电膜制造方法，其特征在于，该介电体粒子分散浆料中含有的介电体粒子，是经过临时烧成的介电体粒子。
介电膜制造方法以及使用电容器形成材料

[发明专利]MRAM的制作方法-CN201710250894.3在审
发明人：刘鲁萍 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：该制作方法包括：在衬底的表面上间隔设置多个预存储单元，各预存储单元包括一个MTJ器件；采用旋涂法在多个预存储单元的远离衬底的表面上设置介电材料，介电材料覆盖各MTJ器件并充满相邻两个MTJ器件之间的间隙；对介电材料进行硬化，形成介电层。该制作方法采用旋涂法在预存储单元的表面上设置介电材料，其在填充间隙的同时不会在MTJ的表面上形成较高的台阶，使得形成的介电层的表面平整度好，后续可以直接采用刻蚀法去除MTJ上多余的介电材料，且由于用于旋涂的液态介电材料的反流特性好且具有一定的粘度而使得形成的介电层具有均匀平直性和高耐破裂性
介电材料预存储介电层旋涂法制作衬底液态介电材料表面平整度间隔设置耐破裂性平直性反流刻蚀旋涂去除填充硬化覆盖申请

[发明专利]用以制造高效能金属氧化物和金属氮氧化物薄膜晶体管的栅极介电层处理-CN200980125888.9无效
发明人：叶雁 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-06-29 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：TFT的栅极介电层会影响TFT的临界电压。经由在沉积主动通道材料前处理栅极介电层，可改进临界电压。处理栅极介电层的一方法涉及使栅极介电层接触N2O气体。处理栅极介电层的另一方法涉及使栅极介电层接触N2O等离子体。氧化硅虽未实际应用到硅基TFT的栅极介电层，但其用于金属氧化物TFT时，也可改进临界电压。经由处理栅极介电层及/或使用氧化硅，可改进TFT的临界电压。
用以制造高效能金属氧化物薄膜晶体管栅极介电层处理

[发明专利]一种纳米复合介电薄膜的制备方法-CN201210112271.7有效
发明人：杨亚杰;蒋亚东;徐建华;杨文耀 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： B32B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米复合介电薄膜的制备方法，首先通过Langmuir-Blodgett(LB)膜法获得聚合物介电薄膜，然后采用LB膜法在聚合物介电薄膜上制备高介电无机/有机复合纳米粒子薄膜，最后在复合纳米粒子薄膜上通过LB膜方法制备聚合物介电薄膜，从而形成一种纳米粒子分散于聚合物的高介电复合薄膜材料。该方法所制备的聚合物-纳米粒子复合介电薄膜材料克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。
一种纳米复合薄膜制备方法

[实用新型]具有高介电常数介电层的栅极结构-CN200420050503.1无效
发明人：邱显光;彭宝庆;陶宏远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-27 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有高介电常数介电层的栅极结构。该栅极结构包括一半导体基底，该基底实质上无凹进(recess)或离子造成损伤(damage)，一具有高介电常数的栅极介电层，形成于该基底表面，以及一栅极，形成于该栅极介电层表面。其中该具有高介电常数的栅极介电层是利用干蚀刻法蚀刻部分该具有高介电常数的栅极介电层，然后利用湿蚀刻法蚀刻剩余部分该具有高介电常数的栅极介电层而形成。
具有介电常数介电层栅极结构

[发明专利]用以制造高效能金属氧化物和金属氮氧化物薄膜晶体管的栅极介电层处理-CN201510540494.7有效
发明人：叶雁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-06-29 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：TFT的栅极介电层会影响TFT的临界电压。经由在沉积主动通道材料前处理栅极介电层，可改进临界电压。处理栅极介电层的一方法涉及使栅极介电层暴露于N2O气体。处理栅极介电层的另一方法涉及使栅极介电层暴露于N2O等离子体。氧化硅虽未实际应用到硅基TFT的栅极介电层，但其用于金属氧化物TFT时，也可改进临界电压。经由处理栅极介电层及/或使用氧化硅，可改进TFT的临界电压。
用以制造高效能金属氧化物薄膜晶体管栅极介电层处理

[发明专利]具有高介电常数介电层的栅极结构及其制作方法-CN200310117145.1有效
发明人：邱显光;彭宝庆;陶宏远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-12-02 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高介电常数介电层的栅极结构及其制作方法。包括下列步骤：提供一半导体基底，于上述半导体基底上形成一具有高介电常数的栅极介电层。形成一栅极导电层于介电层上。于上述栅极导电层上形成一图案化罩幕，以干蚀刻法蚀刻栅极导电层及部分具有高介电常数的栅极介电层，再利用湿蚀刻法蚀刻剩余部分具有高介电常数的栅极介电层，以形成一具有高介电常数栅极介电层的栅极结构。
具有介电常数介电层栅极结构及其制作方法

[发明专利]结合旋转涂布的化学机械研磨法-CN01109527.X无效
发明人：林启发 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-03-30 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种结合旋转涂布的化学机械研磨法，包括提供一半导体基底，此基底具有一不平坦的表面。其次，在此基底上形成一介电层，此介电层通常做为牺牲层或阻绝层。接着，以旋转涂布法在介电层上形成一旋涂材料层，此旋涂材料层包括硅玻璃层或/与聚合物层。最后，以化学机械研磨法进行一平坦化处理。
结合旋转化学机械研磨

[发明专利]集成电路中介电层的制造方法-CN96101197.1无效
发明人：陈光钊;涂玉堂 -专利权人：台湾茂矽电子股份有限公司
申请日： 1996-02-14 - 公布日： 2000-02-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种集成电路中介电层的制造方法，其主要步骤如下首先，沉积一层金属导电层，并利用活性离子式电浆蚀刻技术制定所述金属导电层的图案，使金属导电层图案并与半导体元件电性接触，然后利用等离子增强式化学沉积法沉积一介电层，其为介电层底层，最后以热解化学气相沉积法，利用四乙氧基硅烷和臭氧气体在介电层底层上沉积形成另一介电层，此介电层厚度均匀且可完全填满所述金属导电层图案之间的空隙，以达到平坦化效果。
集成电路中介制造方法

[实用新型]金属氧化物半导体场效应晶体管-CN200420112318.0无效
发明人：王志豪;陈尚志;王焱平;邱显光;姚亮吉;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-11-01 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：位于基底上的高介电常数栅极介电质，以及位于该栅极介电质上的栅极电极，且栅极介电质突出于栅极电极外。栅极的每一侧形成有深源极和深漏极，其具有浅延伸区。深源极与深漏极区通过选择性原位掺杂外延法或离子注入法形成，延伸区通过选择性原位掺杂外延法形成。延伸区位于栅极下方并与栅极介电质接触。栅极介电质的材料以及其突出至栅极电极外的程度可以选择，以使外延及其相关步骤不会引发栅极电极与源极/漏极延伸区间发生桥接而导致的短路。
金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法-CN200410086769.6有效
发明人：王志豪;陈尚志;王焱平;邱显光;姚亮吉;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-11-01 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该金属氧化物半导体场效应晶体管包括：位于基底上的高介电常数栅极介电质，以及位于该栅极介电质上的栅极电极，且栅极介电质突出于栅极电极外。栅极的每一侧形成有深源极和深漏极，其具有浅延伸区。深源极与深漏极区通过选择性原位掺杂外延法或离子注入法形成，延伸区通过选择性原位掺杂外延法形成。延伸区位于栅极下方并与栅极介电质接触。栅极介电质的材料以及其突出至栅极电极外的程度可以选择，以使外延及其相关步骤不会引发栅极电极与源极/漏极延伸区间发生桥接而导致的短路。
金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]改善低介电常数材料的破裂临界值及机械特性的方法-CN200480000687.3无效
发明人：李丽华;黄子芳;胡安·C·罗奇阿尔瓦雷斯;夏立群 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2004-01-12 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明的一实施例是一种用于沉积低k值介电薄膜的方法，其包括下列步骤(a)以CVD法沉积一低k值介电薄膜；以及(b)以等离子体处理该CVD沉积的低k值介电薄膜。
改善介电常数材料破裂临界值机械特性方法

[发明专利]一种交替层状氧化石墨烯/聚乙烯醇介电材料及其制备方法-CN201310409099.6有效
发明人：范萍;黄方麟;钟明强;孔丹萍;赵蓓鸳;王博;周永厅;周杰 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种交替层状氧化石墨烯/聚乙烯醇介电材料，是由20～100nm厚度的氧化石墨烯层与0.03～2.4μm的聚乙烯醇层交替堆积组成的0.7～56μm厚度的层状介电材料，采用浸渍提拉法或旋涂法交替涂膜，制备得到氧化石墨烯层与聚乙烯层交替结构的介电材料。本发明制备的交替层状氧化石墨烯/聚乙烯醇介电材料具有以下优点：1）介电常数高，介电损耗小；2）柔韧性好。同时本发明中该复合材料的制备方法具有制备条件温和，操作简单易行等优点。
一种交替层状氧化石墨聚乙烯醇材料及其制备方法

[发明专利]蓝光波段非对称超材料偏振调控器及其制造方法-CN202010471047.1有效
发明人：杜庆国;陈志伟;李政颖;任芳芳 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光波段非对称超材料偏振调控器，它的硅基层的顶面通过电子束蒸发沉积法和电子束刻蚀工艺制备第二金属光栅层，第二金属光栅层的顶面通过电子束蒸发沉积法制备第二低折射率介电材料层，第二低折射率介电材料层的顶面通过电子束蒸发沉积法和电子束刻蚀工艺制备图形化的高折射率介电材料偏振转换层，图形化的高折射率介电材料偏振转换层的顶面通过电子束蒸发沉积法制备第一低折射率介电材料层，第一低折射率介电材料层的顶面通过电子束蒸发沉积法和电子束刻蚀工艺制备第一金属光栅层；本发明能解决透射率小，偏振转换率低的问题
波段对称材料偏振调控及其制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条