专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种液态气体供应加热控制装置-CN202221190974.7有效
  • 郑世明;童华宁;刘霞 - 长兴云腾新能源科技有限公司
  • 2022-05-18 - 2022-09-27 - F17C7/04
  • 本实用新型公开了一种液态气体供应加热控制装置,旨在提供一种能维持所供应气体的压力稳定性的液态气体供应加热控制装置,它包括气体供应站和至少一个加热控制系统,加热控制系统包括加热控制站和供气瓶,供气瓶上设有气体管路,供气瓶通过气体管路与气体供应站相连接,气体管路内设有温度传感器一,温度传感器一与加热控制站电连接,温度传感器一与气体管路可拆卸连接,供气瓶的底部设有加热装置,加热装置与供气瓶可拆卸连接,加热装置与加热控制站电连接本实用新型的有益效果是:达到了能维持所供应气体的压力稳定性的目的;具有多种防护系统,能提供更完善的安全性;能有效控制双供气瓶同步供应
  • 一种液态气体供应加热控制装置
  • [实用新型]多床炉-CN200720181234.6无效
  • 埃米尔·洛纳尔迪;帕特里克·胡特马赫;埃德加·克雷默;保罗·托克尔特 - 保尔伍斯股份有限公司
  • 2007-10-31 - 2008-10-22 - F27B1/04
  • 本实用新型公开了一种多床炉,包括用于其中心炉身(20)和其耙柄(26)的气体冷却系统。该气体冷却系统包括炉身内用于向耙柄供应冷却气体的环形总分配通道(54,54′)和用于排出离开耙柄的冷却气体的中心排气通道(56)。气体冷却系统还包括围绕环形总分配通道并向外由炉身的外壳(50)界定的环形总供应通道(52,52′)。冷却气体入口(44′,44″)连接于该环形总供应通道。环形总供应通道(52,52′)与环形总分配通道(54,54′)之间的冷却气体通路(60′,60″)与冷却气体入口(44′,44″)隔开,以使供应至该冷却气体入口的冷却气体在流经该冷却气体通路进入环形总分配通道(54,54′)前必须穿过多个炉床室(12)流经环形总供应通道(52,52′)。
  • 多床炉
  • [发明专利]多床炉-CN200880005072.8无效
  • 埃米尔·洛纳尔迪;帕特里克·胡特马赫;埃德加·克雷默;保罗·托克尔特 - 保尔伍斯股份有限公司
  • 2008-01-31 - 2009-12-23 - F27B9/24
  • 本发明公开了一种多床炉,包括用于其中心炉身(20)和其把柄(26)的气体冷却系统。该气体冷却系统包括炉身(20)内用于向把柄(26)供应冷却气体的环形总分配通道(54,54′)和用于排出离开把柄(26)的冷却气体的中心排气通道(56)。气体冷却系统还包括围绕环形总分配通道(54,54′)并由炉身的外壳(50)向外界定的环形总供应通道(52,52′)。冷却气体入口(44′,44″)连接于环形总供应通道(52,52′)。环形总供应通道(52,52′)与环形总分配通道(54,54′)之间的冷却气体通路(60′,60″)与冷却气体入口(44′,44″)隔开,以使供应至冷却气体入口(44′,44″)的冷却气体在流经冷却气体通路(60′,60″)进入环形总分配通道(54,54′)前必须穿过多个炉床室(12)流经环形总供应通道(52,52′)。
  • 多床炉
  • [发明专利]用于半导体处理的气体分配装置-CN01816884.1有效
  • 布赖恩·K·迈克米林;罗伯特·诺普 - 兰姆研究公司
  • 2001-09-26 - 2004-01-14 - H01J37/32
  • 用于处理半导体衬底的气体分配系统,包括:多个气体供给设备;在其中将来自多个气体供给设备的气体混合在一起的混合歧管;将混合气体输送给室中的各个区的多条气体供应线;以及控制阀。气体供应线包括将混合气体输送给室中的第一区的第一气体供应线以及将混合气体输送给室中的第二区的第二气体供应线。控制阀控制第一和/或第二供应线中混合气体的流率以便在第一和第二气体供应线中实现混合气体的流率的想要的比率。在使用该装置的方法中,将半导体衬底提供给反应室以及通过将混合气体提供给第一和第二区来处理衬底,调整控制阀以便在第一和/或第二气体供应线中的混合气体的流率提供第一和第二区中混合气体的流率的想要的比率。
  • 用于半导体处理气体分配装置
  • [发明专利]具有快速气体切换能力的气体分配系统-CN200580013773.2有效
  • 黄志松;乔斯·T.·萨姆;埃里克·兰兹;拉金德·丁德萨;雷扎·萨德贾蒂 - 兰姆研究公司
  • 2005-04-22 - 2007-05-23 - C23F1/00
  • 本发明提供一种用于向腔室、诸如等离子处理设备的等离子处理腔室中供应不同气体组分的气体分配系统。气体分配系统可包括气体供应部件、流动控制部件和开关部件。气体供应部件提供第一和第二气体、通常为气体混合物至流动控制部件,流动控制部件控制第一和第二气体到腔室的流动。腔室可包括多个区域,而流动控制部件可以所需的气体流动速率供应第一和第二气体至多个区域。气体分配系统可连续供应第一和第二气体至开关部件,而开关部件可操作地切换第一和第二气体流动,使得第一和第二处理气体中的一种被供应至腔室,而另一种气体供应至旁通管线,并然后切换气体流动。开关部件优选包括快速开关阀门,其可操作地快速地打开和关闭从而允许第一和第二气体的快速切换,优选在任一种气体流动时不出现不期望的压力波动或流动不稳定性。
  • 具有快速气体切换能力分配系统
  • [发明专利]一种基于CVD法制备sic的工艺-CN201810950305.7在审
  • 孙月静 - 孙月静
  • 2018-08-20 - 2019-04-26 - C23C16/32
  • 本发明公开了一种基于CVD法制备sic的工艺,包括以下步骤:(a)在具有小于5°的偏角的4H‑SiC(0001)面的SiC体衬底上进行第一外延生长,作为第一温度1480的主表面,通过使SiC本体衬底与Si供应气体和C供应气体接触,或者更低;(b)在SiC块体基板的温度从第一温度升高到高于第一温度的第二温度期间,停止SiC块体基板与Si供应气体和C供应气体接触;(c)在达到第二温度后,通过使SiC块体基板与Si供应气体和C供应气体接触,在第二温度下在SiC块体基板上进行第二外延生长。
  • 供应气体基板块体外延生长衬底主表面偏角

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