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[发明专利]一种低功耗高速缓存的实现方法及其高速缓存器-CN200510061127.5无效
发明人：严晓浪;孟建熠;刘坤杰;葛海通 -专利权人：杭州中天微系统有限公司
申请日： 2005-10-14 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：一种低功耗高速缓存的实现方法，包括以下步骤：(1)将高速缓存的标志位进行拆分，分别存储到不同的标志位存储器中，标志位包括第一标志位、第二标志位，第一标志位比第二标志位的位数小；(2)第一次访问第一标志位，与请求地址的相应标志位进行比较，并用所得的结果分析是否访问存储第二标志位存储器及相应的数据存储器；(3)第二次访问时，访问前一步中打开的标志位存储器和数据存储器，进行标志位的比较和数据的选择。一种高速缓存器，包括标志位存储器、数据存储器，标志位存储器包括第一标志位存储器、第二标志位存储器，第一标志位比第二标志位的位数小。本发明在没有改变存储器大小的情况下，极大地降低了高速缓存低功耗。
一种功耗高速缓存实现方法及其

[发明专利]测试装置以及选择装置-CN200680009099.5无效
发明人：土井优 -专利权人：爱德万测试株式会社
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：一种测试被测试存储器的测试装置，该被测试存储器具有复数块和修复用列；该测试装置具有：测试部；标志存储器，其存储表示各列是否良好的标志；计数存储器，其存储各列的不良块数；失效写入部，其以至少满足测试结果为不良，以及对应的列的标志存储器内的标志显示不良中的某一方为条件，将显示不良的标志写入标志存储器；计数部，其以测试结果为不良，且对于对应的列，标志存储器内未存储显示不良的标志为条件，累加对应的列的计数存储器的块数量
测试装置以及选择

[发明专利]一种指令高速缓冲存储器装置及其控制方法-CN201210242426.9有效
发明人：张铁军;李泉泉;王东辉;洪缨;侯朝焕 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种指令高速缓冲存储器装置及其控制方法，该装置包括指令Cache控制器、与所述指令高速缓冲存储器控制器相连接的标志存储器和数据存储器，其中指令Cache控制器包括片选控制电路，该片选控制电路用于在执行循环体代码时，禁能所述标志存储器；当所述循环体代码执完毕后，使所述标志存储器正常工作。该控制方法包括：在循环体代码执行时，禁能标志存储器；当循环体代码执行完毕后，所述标志存储器正常工作。本发明在处理器内核执行循环体代码时，通过禁能标志存储器，减少了处理器内核对标志存储器的读操作和比较操作，从而降低了处理器的整体功耗。
一种指令高速缓冲存储器装置及其控制方法

[发明专利]存储器装置及使用非易失性存储器对系统进行开机的方法-CN201310521695.3在审
发明人：郭忠山;陈致豪 -专利权人：晶豪科技股份有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：存储器装置及使用非易失性存储器对系统进行开机的方法。根据本发明一实施例的一种存储器装置，包含一非易失性存储器元件，一状态寄存器，一控制单元以及一漏电流校正单元。该非易失性存储器元件包含多个存储器区块。该状态寄存器电性连接至该非易失性存储器元件，其配置以存储一状态标志，该状态标志用以指示施加至该非易失性存储器元件中的至少一存储器区块的一完整的抹除运作是否已完成。该控制单元配置以在该存储器装置供电后读取该状态标志的标志值。该漏电流校正单元电性连接至该控制单元，其配置以根据该状态标志的标志值对该等存储器区块选择性地执行一漏电流抑制程序。
存储器装置使用非易失性存储器系统进行开机方法

[发明专利]一种先入先出存储器及其输出空满标志的方法-CN200610073194.3无效
发明人：雷春 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2006-04-12 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： G06F5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种先入先出存储器及其输出空满标志的方法。该先入先出存储器包括存储器、写地址计数器、读地址计数器、字节计数器和空满标志产生逻辑，其中，所述包计数器用于对存储器中存储的包进行计数，并将得到的包计数值发送到空满标志产生逻辑，所述空满标志产生逻辑用于根据接收到的字节计数值和/或包计数值判断存储器是否为空或满，并输出相应的空标志或满标志，所述空满标志产生逻辑在接收到的包计数值等于0时，确定存储器为空，并输出空标志，所述空满标志产生逻辑在接收到的字节计数值达到设定的阈值时，确定存储器为满，并输出满标志。本发明的先入先出存储器在最大效率地利用存储器资源的同时，最大效率地实现了调度效率。
一种先入先出存储器及其输出标志方法

[发明专利]执行迭代解码的解码器和使用该解码器的存储设备-CN201811247776.8在审
发明人：张宰薰;申东旻;郑宪华;孔骏镇;孙弘乐;林世镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H03M13/37 文献下载
摘要：提供了包括主存储器、标志存储器和解码逻辑器件的解码器。标志存储器被配置为存储标志数据，并且解码逻辑器件被配置为执行迭代。此外，解码逻辑器件被配置为：使用第一数据执行第i次操作，其中，i是自然数，对第二数据进行标志编码，第二数据是通过对第一数据执行第i次操作所获得的结果，如果标志编码成功，则将通过对第二数据执行标志编码所获得的结果作为第一标志数据存储在标志存储器中，并且如果标志编码失败，则将与第二数据的第一标志数据不同的预定第二标志数据存储在标志存储器中。
标志存储器标志编码解码器标志数据第一数据解码逻辑配置存储存储标志数据存储设备迭代解码逻辑器件数据执行主存储器迭代失败成功

[发明专利]多媒体播放器的标志显示方法和设备-CN200710136266.9无效
发明人：梁必承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-07-12 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G11B31/00 文献下载
摘要：提供一种用于多媒体播放器的标志显示的方法和设备。该设备包括：存储器，存储将在多媒体播放器上显示的至少一个标志；标志位置指针，指向存储将要在多媒体播放器上显示的标志的存储器的位置；显示单元，显示标志；和控制器，基于标志位置指针从存储器读取标志，如果请求多媒体播放器的标志显示，则将标志输出到显示单元，其中，如果媒体标题被插入到多媒体播放器中，则所述标志位置指针指向存储基于媒体标题的标志的存储器的位置。
多媒体播放标志显示方法设备

[发明专利]在存储器错误检测和存储器错误校正之间动态选择-CN201280077359.8有效
发明人： J.C.莫古尔;N.穆拉里马诺哈;M.A.莎;E.A.安德森 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本文公开了用于在存储器错误检测和存储器错误校正之间动态选择的示例方法、系统和装置。示例系统包括缓冲器，用于存储标志，所述标志可被设定为第一值以指示存储器页要存储检测但不校正存储器页中的错误的错误保护信息。该标志可被设定为第二值以指示要检测并且校正存储器页的错误的错误保护信息。该示例系统包括储器控制器，用于接收基于标志的请求以当标志被设定为第一值时使能不具有校正的错误检测用于存储器页，并且当标志被设定为第二值时使能错误检测和校正用于存储器页。
存储器错误检测校正之间动态选择

[发明专利]将弱单元用作读取标识符的非易失性半导体存储器器件-CN200710167207.8无效
发明人：金厚成;韩义奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-11-01 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：非易失性半导体存储器被配置为监视读取干扰(例如，由于软编程)的发作并且执行保护其中数据的操作。非易失性半导体存储器具有包括正常存储器单元和标志存储器单元的存储器单元阵列。标志存储器单元被配置为在其数据保留方面比正常存储器单元更易受电压力影响。存储器监视存储在标志存储器单元中的数据，以便监视正常存储器单元的数据保留特性。
单元用作读取标识符非易失性半导体存储器器件

[发明专利]一种通信数据去交织装置与去交织方法-CN201510711382.3在审
发明人：韩铁峰 -专利权人：无锡峰巢美家网络科技有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种通信数据去交织装置及去交织方法，包括CPU、寄存器、以及两个存储器，所述两个存储器的数据容量相同，其中第一存储器用于存储通信数据，第二存储器用于存储状态标志位，所述第二存储器内的状态标志位标志的是第一存储器内对应位置存储的数据的读取状态本发明采用数据标志位标志第一存储器中每个数据位的通信数据的读取状态实现了采用一大一小两个存储器实现通信数据去交织，节约资源，降低成本，且效率也较高。
一种通信数据交织装置方法

[发明专利]一种降低指令高速缓冲存储器功耗的装置及方法-CN201610167317.3有效
发明人：李泉泉;郭二辉;洪一 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低指令高速缓冲存储器功耗的装置，包括：页标志缓冲器，用于存储内核地址中的页标志位；页有效位，用于指示页标志缓冲器对应行是否有效；页索引存储器，用于存储内核地址中的页索引位；行有效位，用于指示页索引存储器对应行是否有效；数据存储器，用于存储指令块数据；行有效位控制电路、第一比较器、第二比较器和与门。本发明还公开了一种降低指令高速缓冲存储器功耗的方法。本发明增加一个容量很小的页标志缓冲器，并利用位宽较小的页索引存储器取代传统结构中位宽较大的标志存储器，可以减小指令高速缓冲存储器的面积，从而有效降低每次访问指令高速缓冲存储器的功耗。
指令高速缓冲存储器功耗标志缓冲器索引存储器有效位存储内核比较器高速缓冲存储器标志存储器数据存储器传统结构存储指令访问指令控制电路标志位块数据减小位宽与门中位索引

[发明专利]数据保护电路-CN97101883.9无效
发明人：樋欣也;森公夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1997-01-22 - 公布日： 2002-01-30 - 主分类号： G06F12/14 文献下载
摘要：数据保护电路包括第一总线，接ＣＰＵ１０、易失性存储器、非易失性存储器；第二总线，接ＲＯＭ；第三总线，接存储器检验用程序的专用存储器；保密标志存储电路，输入保密标志，提供控制信号而写入使保密标志的逻辑电平以一个方向变化，以一次写入后不能重写的状态存储保密标志；保密标志监视电路，当收到电源接通复位信号时，读取存储在保密标志存储电路的保密标志，识别该内容；控制电路，根据识别结果控制各总线连接。
数据保护电路

[发明专利]非易失性存储器件-CN201210306235.4有效
发明人：车载元;安圣薰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器件，非易失性存储器件包括：被设置在页的标志区域中的N个非易失性存储器单元；N个标志页缓冲器，被配置成将标志数据输入到标志区域的非易失性存储器单元中以及从标志区域的非易失性存储器单元输出标志数据；以及数据输入/输出控制单元，被配置成选择R个标志页缓冲器使得将标志数据输入到R个选中的标志页缓冲器中以及从R个选中的标志页缓冲器输出标志数据，并且不经由未选中的N-R个标志页缓冲器输入和输出标志数据，其中R个选中的标志页缓冲器中没有一个与R个选中的标志页缓冲器中的另一个直接相邻。
非易失性存储器

[发明专利]半导体存储器件及其读取方法和数据储存器件-CN201210465995.X有效
发明人：李完燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多电平存储器单元的半导体存储器件的读取方法，包括以下以下步骤读取标志数据，所述标志数据指示编程在多电平存储器单元中的数据的最高有效位（MSB）是否被编程；储存读取的标志数据；基于读取的标志数据，读取编程在多电平存储器单元的数据的最低有效位（LSB）；以及基于储存的标志数据，读取编程在多电平存储器单元中的数据的MSB。
半导体存储器件及其读取方法数据储存

[发明专利]半导体存储器-CN03824440.3有效
发明人：松崎康郎 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-04-24 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：多个标志被形成以对应于各自的存储器单元组，每个存储器单元组由多个易失性存储器单元组成。每个标志指示存储器单元以第二存储器模式存储数据。在将模式从第一存储器模式改变到第二存储器模式的改变操作中，响应于对相应的存储器单元组的第一次访问，每个标志被复位，其中在第一存储器模式中由每个存储器单元独立地保持数据，而在第二存储器模式中，每个存储器单元组中的存储器单元保持相同数据为此，在每个存储器单元组中，只有第一次访问是以第二存储器模式进行的。在上述改变操作中，通过以与标志一致的模式访问存储器单元，使得即使在改变操作期间，管理半导体存储器的系统也能够自由地访问存储器单元。
半导体存储器

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