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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种预充电方法及使用该方法的存储器装置-CN202210097610.2在审
发明人： 安圣薰 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种预充电方法以及使用该方法的存储器装置。该预充电方法包含以下步骤：步骤1，对所有的位线进行预充电；步骤2，根据页面缓冲器中锁存器的值对位线电压进行设置，其中，当锁存器上的值为“1”时，将与该页面缓存器连接的位线电压升高到高电平；当锁存器上的值为“0”时，将与该页面缓存器连接的位线电压保持为低电平。采用本发明中提供的预充电方法，将会减小因为耦合电容而导致的锁存节点上的电压值的改变，可以有效地减少位线间耦合电容对存储器装置的影响，使得位线上有较大的容性负载时，存储器装置也能正常工作。
一种充电方法使用存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法-CN201911148599.2在审
发明人：高正美;白侊虎;金志桓;朴成济;安圣薰;郑映燉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置通过以下步骤来操作：将编程脉冲施加到所选字线；更新编程脉冲计数值；基于编程脉冲计数值来确定电流感测模式；并且基于电流感测模式来执行编程验证操作。电流感测模式通过确定单状态电流感测操作和全状态电流感测操作之一来确定，所述单状态电流感测操作用于针对一个目标编程状态确定验证通过还是失败，所述全状态电流感测操作用于针对所有目标编程状态确定验证通过还是失败。
半导体存储器装置及其操作方法

[发明专利]半导体存储器件-CN201310045952.0有效
发明人：梁仁坤;安圣薰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括电流镜，所述电流镜被配置成包括用于将第一线的电流镜像到第二线的电流镜部和并联耦接的晶体管；检测器，所述检测器被配置成基于感测节点的电压来控制第一线的电压；失败比特设定部，所述失败比特设定部被配置成控制第二线的电压；以及比较器，所述比较器被配置成将第一线的电压与第二线的电压进行比较，并且基于比较结果产生通过和失败检查信号。
半导体存储器件

[发明专利]非易失性存储器件-CN201210306235.4有效
发明人：车载元;安圣薰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器件，非易失性存储器件包括：被设置在页的标志区域中的N个非易失性存储器单元；N个标志页缓冲器，被配置成将标志数据输入到标志区域的非易失性存储器单元中以及从标志区域的非易失性存储器单元输出标志数据；以及数据输入/输出控制单元，被配置成选择R个标志页缓冲器使得将标志数据输入到R个选中的标志页缓冲器中以及从R个选中的标志页缓冲器输出标志数据，并且不经由未选中的N-R个标志页缓冲器输入和输出标志数据，其中R个选中的标志页缓冲器中没有一个与R个选中的标志页缓冲器中的另一个直接相邻。
非易失性存储器

[发明专利]半导体器件及其编程方法-CN201210191136.6有效
发明人： 安圣薰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种对半导体器件进行编程的方法，包括以下步骤：对选在的存储器单元执行最低有效位(LSB)编程操作；对除已执行了LSB编程操作的存储器单元以外的其余的存储器单元执行软编程操作；以及对从已执行了LSB编程操作的存储器单元和已执行了软编程操作的存储器单元中选择的存储器单元执行最高有效位(MSB)编程操作。
半导体器件及其编程方法

[发明专利]半导体存储器件及其操作方法-CN201110454135.1有效
发明人： 安圣薰 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了半导体存储器件及其操作方法。根据本公开的一个方面的半导体存储器件包括：第一页缓冲器，耦接到第一偶数位线和第一奇数位线；第二页缓冲器，耦接到第二偶数位线和第二奇数位线；以及控制器，被配置为控制第一和第二页缓冲器，使得当执行耦接到第一奇数位线的存储器单元的读取操作时，第二页缓冲器将第二偶数位线设定在浮置状态，使得第二偶数位线的电压根据第一奇数位线的电压漂移而改变，并且第二页缓冲器通过检测第二偶数位线的电压漂移来存储与存储器单元的阈值电压电平对应的数据。
半导体存储器件及其操作方法

[发明专利]非易失性存储装置及操作该存储装置的方法-CN201010004059.X无效
发明人： 安圣薰 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性存储装置及操作该存储装置的方法。所述非易失性存储装置包括：第一节点；电流源，被配置为具有根据提供给所述第一节点的电压确定的电流值；以及耦合到所述第一节点的存储单元串，所述存储单元串包括至少一个存储单元。基于提供给所述第一节点的电压确定包括在所述存储单元串中的存储单元是否已被编程。
非易失性存储装置操作方法

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