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[发明专利]压粉磁芯-CN202080017912.3有效
发明人：渡边洋史;森智史;藤井爱实;高冈胜哉;竹内裕贵;小塚久司 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B22F1/12 文献下载
摘要：压粉磁芯(1)是具备平均粒径为5μm以上且30μm以下的软磁性金属颗粒(3)、以及晶界相(6)而成的。晶界相(6)包含含有Al(铝)的多晶化合物而构成。并且，观察压粉磁芯(1)的截面结构时，α‑Al2O3在晶界相(6)中所占的面积比率为75％以下。此外，晶界相(6)的平均厚度Ta为10nm以上且300nm以下。根据本发明，铁损受到抑制。
压粉磁芯

[发明专利]多晶硅晶棒及来自其的硅晶片-CN201510208262.1在审
发明人：周鸿昇;杨瑜民;余文怀;许松林;徐文庆;蓝崇文;翁煜庭 -专利权人：中美矽晶制品股份有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本公开提供多晶硅(mc-Si)晶棒，其包含从底部开始至高度100mm的底部分；从高度100mm开始至高度200mm的中间部分；以及从高度200mm开始至顶部的顶部分。在底部分中的非共格晶界的百分比大于顶部分中的非共格晶界的百分比。本公开也提供多晶硅(mc-Si)晶片。mc-Si晶片包含非Σ晶界的百分比为约60至约75，以及Σ3晶界的百分比为约12至约25。
多晶硅晶棒来自晶片

[发明专利]抑制激光增材制造难熔高熵合金中热裂纹的方法及应用-CN202310326520.0在审
发明人：欧阳迪;柳林;张诚;陈仁顺;周庆军 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B22F10/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制激光增材制造难熔高熵合金中热裂纹的方法及应用，属于增材制造技术领域；针对激光增材制造难熔高熵合金成形过程中易产生热裂纹的问题，本发明通过向难熔高熵合金的预合金粉末或混合单质粉末中添加微量小原子元素，抑制难熔高熵合金中晶界的氧富集，降低晶界脆性，有利于降低晶界上的应力集中，此外，小原子元素在晶界附近富集，提高了固相线温度，降低了固液结晶区宽度，有利于降低合金熔体凝固时的晶间收缩应力。本发明降低了晶界应力集中和晶间凝固收缩应力，能够抑制激光增材制造难熔高熵合金中热裂纹的产生，具有工艺简单、成分可调的特点，在航空航天、核电等领域有着巨大的应用前景。
抑制激光制造难熔高熵合金裂纹方法应用

[发明专利]显示IF钢晶界的侵蚀剂及侵蚀方法-CN201910710742.6在审
发明人：彭红兵;唐尧;颉震;汪晓勇;周超洋 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示IF钢晶界的侵蚀剂及侵蚀方法，该侵蚀剂的成分及配比为：高氯酸5％‑10％，无水乙醇90％～95％，并公开了采用该侵蚀剂进行侵蚀的方法。本发明提供的晶界侵蚀剂及侵蚀方法，步骤简单，时间短，操作方便，可快速得到清晰的IF钢晶界以及晶粒特征。
侵蚀剂晶界侵蚀晶粒特征无水乙醇高氯酸配比为清晰

[发明专利]一种提高烧结Nd‑Fe‑B磁体抗腐蚀性能的表面晶界改性方法及其制备的产品-CN201611150743.2在审
发明人：张培;黄火根;柯海波;吴敏;张鹏国;徐宏扬;胡梅娟 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高烧结Nd‑Fe‑B磁体抗腐蚀性能的表面晶界改性方法及其制备的产品，目的在于解决采用表面防护镀层对烧结Nd‑Fe‑B磁体进行防护时，会大大增加磁体的生产成本，造成环境污染，且表面镀层结合力较差本发明采用合金粉末RxMy作为烧结Nd‑Fe‑B磁体的表面改性晶界合金，经时效处理，让高电位元素M通过晶界富Nd相扩散到磁体的表面晶界区域，进行表面晶界改性，并形成高电位、高化学稳定性的表面晶界相。
一种提高烧结 nd fe 磁体腐蚀性能表面改性方法及其制备产品

[发明专利]TA1和IF钢复合的钛钢板晶界显示方法-CN201911051762.3在审
发明人：张达富;刘兆华;刘希斌 -专利权人：攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： G01N23/2202 文献下载
摘要：本发明公开了一种TA1和IF钢复合的钛钢板晶界显示方法，涉及晶界显示技术领域，解决按照分步腐蚀法来观察钛钢复合板的微观组织，需要分别腐蚀出钛和钢两种晶界并进行拼图，效率低下的问题。本发明采用的技术方案是：TA1和IF钢复合的钛钢板晶界显示方法，包括以下步骤：S1制备试样，并对试样进行抛光；S2将试样固定在扫描电镜样品台上；S3使用扫描电镜观察试样，将画面调整到合适的焦距；S4使用电子背散射衍射仪采集试样的衍射照片；S5设置扫描电镜的扫描参数并进行采集；S6对数据结果进行处理，得到钛钢板两侧的晶界形貌图片。本发明在不使用步腐蚀法，实现了钛钢板晶界Ti‑α相和钢的铁素体相在同一张图片中的显示。
晶界钛钢板腐蚀电子背散射衍射仪采集复合形貌扫描电镜观察扫描电镜样品钛钢复合板画面调整扫描参数扫描电镜数据结果铁素体相微观组织焦距抛光衍射制备种晶图片观察

[发明专利]R－T－B系永久磁铁-CN202011387605.2在审
发明人：三轮将史;田中美知;三浦晃嗣;坪仓多惠子 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明提供一种永久磁铁，其含有稀土元素R(Nd等)、过渡金属元素T(Fe等)、B、Zr和Cu，永久磁铁具有含有Nd、T和B的主相颗粒和晶界多重点，一个晶界多重点为由三个以上的主相颗粒包围的晶界，一个晶界多重点包含Sub>的结晶和含有R及Cu的富R－Cu相，Fe包含于ZrB2的结晶中，包含ZrB2的结晶和富R－Cu相这两者的一个晶界多重点中的Nd和Pr的浓度的合计高于主相颗粒中的Nd和Pr的浓度的合计，包含ZrB2的结晶和富R－Cu相这两者的一个晶界多重点中的Cu的浓度高于主相颗粒中的Cu的浓度，Nd
永久磁铁

[发明专利]层状氮化硼晶界相增韧的闪锌矿氮化硼陶瓷及其制备方法-CN202110056514.9在审
发明人：赵智胜;孙磊;罗坤;陈俊云;刘兵;何巨龙;于栋利;柳忠元;胡文涛;徐波;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：本发明公开了一种层状氮化硼晶界相增韧的闪锌矿氮化硼陶瓷及其制备方法。该陶瓷体包括两种典型组织结构：一种是当层状BN晶界相分布于闪锌矿氮化硼晶粒周围时，材料的硬度达到20～40GPa，断裂韧性达到6～9MPa·m1/2；另一种是当层状BN晶界相只存在于闪锌矿氮化硼晶界交汇处(三角区)时，材料的硬度达大于40GPa，断裂韧性大于9MPa·m1/2。本发明还公开一种制备上述层状氮化硼(BN)晶界相增韧的闪锌矿氮化硼陶瓷体的工艺。该工艺包括无压或高温高压烧结一种或多种相结构的BN粉体原料，原位形成了以闪锌矿氮化硼为主相，层状BN为晶界相的陶瓷体。
层状氮化硼晶界相增韧闪锌矿陶瓷及其制备方法

[发明专利]冶金级多晶硅太阳能电池磷扩散工艺-CN200910029711.0有效
发明人：盛健 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2009-04-02 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及制造太阳能电池的扩散工艺，尤其是冶金级多晶硅太阳能电池磷扩散工艺，该工艺首先进行高温晶界吸杂，利用高温使杂质原子在原沉淀处释放，同时扩散并移动至晶界缺陷处沉积，在晶界附近形成洁净区；其次进行中低温磷沉积，在中低扩散温下短时间进行淡磷扩散沉积，完成表面低浓度磷沉积，为下步长时间高温驱入做准备；然后进行高温深结晶界扩散钝化，在高温长时间磷源驱入，形成晶界处的深PN结，使磷在晶界面处会产生磷吸杂及磷漂移场钝化本发明利用杂质在多晶硅中扩散的一些特性，可以大大降低本会发生在晶界处的少子复合，工艺完成后硅片少子寿命较正常工艺生产硅片的少子寿命有所提升，对最后电池性能有积极作用。
冶金多晶太阳能电池扩散工艺

[发明专利]晶界相重构的高强韧性烧结钕铁硼磁体及其制备方法-CN200810060360.5有效
发明人：严密;周向志;崔熙贵;樊熊飞 -专利权人：浙江大学;浙江英洛华磁业有限公司
申请日： 2008-04-08 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶界相重构的高强韧性烧结钕铁硼磁体及其制备的方法。≤g≤6，M为Dy、Tb、Pr、Sm、Ce、Yb、Co、Ni、Mn、Nb、Ta、Zr、Si、Ti、Mo、Ag、Au、Mg、Cu、Al、Zn、Ga、Bi、Sn、In元素中一种或几种；方法为：将主相合金和晶界相合金分别制粉本发明通过晶界相成分的重构，得到具有低熔点以及高强韧性的固溶晶界相合金，在保证磁性能的基础上提高了晶界相的强韧性，从而提高了磁体本身的强韧性，而且工艺过程简单，成本较低，适合于批量化生产。因此，结合晶界重构和双合金法可以制备具有高强韧性的烧结钕铁硼磁体。
晶界相重构高强韧性烧结钕铁硼磁体及其制备方法

[实用新型]一种压敏电阻-CN202022727937.2有效
发明人：马胜越 -专利权人：惠州市嵩隆鑫电电子科技有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01C7/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压敏电阻，包括壳体和晶界层，所述晶界层设置在壳体的内部，所述晶界层的顶部固定连接有第一电极板，所述晶界层的底部固定连接有与所述第一电极板极性相反的第二电极板，所述第一电极板和所述第二电极板均设置为波浪形，所述晶界层的两侧填充有聚氯乙烯层，所述第一电极板、所述晶界层和所述第二电极板组成压敏电阻，所述壳体与所述压敏电阻之间填充有防火层，所述壳体的侧面固定连接有第一引脚和第二引脚，所述第一引脚与所述第二引脚均为铝合金引脚
一种压敏电阻

[发明专利]一种LOCA高温辐照后UO2-CN202210908935.4在审
发明人：滕常青;张伟;吴璐;伍晓勇;宁知恩;匡慧敏;方忠强;潘荣剑;毛建军;莫华均;李佳文;周小均;宋小蓉;江艳;斯嘉轩 -专利权人：中国核动力研究设计院
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：:Sub>2燃料试样、辐照后LOCA高温保温热处理的UO2燃料试样；获取各所述UO2燃料试样的晶界处、晶内气孔形貌，根据所述晶界处、晶内气孔形貌获得不同条件下晶界处、晶内的气孔尺寸与分布数据；比对所述不同条件下试样的晶界处、晶内气孔尺寸及分布数据，获得LOCA高温辐照后UO2
一种 loca 高温辐照 uo base sub

[发明专利]沸石膜复合体、沸石膜复合体的制造方法以及分离方法-CN201980006596.7有效
发明人：木下直人;市川真纪子;谷岛健二;宫原诚;清水克哉 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2019-02-04 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：沸石膜(12)具备：沸石晶相，其由多个沸石晶体构成；以及致密的晶界相，其为该多个沸石晶体之间的区域。晶界相的至少一部分的密度小于沸石晶相的密度。另外，晶界相的宽度为2nm以上且10nm以下。
沸石膜复合体制造方法以及分离

[发明专利]一种单层片式晶界层陶瓷电容器的切割方法-CN201910566840.7在审
发明人：关秋云;吴继伟;刘溪笔;杨国兴;郝泳鑫;王迪 -专利权人：大连达利凯普科技有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明属于晶界层陶瓷电容器及其制造工艺的技术领域，提供一种单层片式晶界层陶瓷电容器的切割方法，通过设置多步切割、切割速度、主轴转速及每步切割的切割高度，可整齐的切断晶界层陶瓷电容器材料的晶格，而不产生崩瓷现象
切割晶界层陶瓷电容器单层片式陶瓷电容器材料整齐制造工艺主轴转速崩瓷晶格

[发明专利]电子零件用钛铜-CN201510799260.4在审
发明人：江良尚彦;堀江弘泰 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：电子零件用铜合金，其为含有2.0~4.0%质量的Ti，残余部分由铜和不可避免的杂质组成的电子零件用铜合金，在通过电子显微镜对平行于辊轧方向的截面进行的组织观察中，存在含有沿结晶晶界析出的Ti-Cu系粒子的晶界反应相，对于各个晶界反应相而言，包围晶界反应相的最小圆直径D₂相对于晶界反应相所包围的最大圆直径D₁之比(D₂/D₁)的平均值Avg(D₂/D₁)为1.0~6.0，D₁的平均值AvgD₁为0.4~2.0μm，此外晶界反应相在每1000μm<
电子零件用钛铜