“江良尚彦”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]表面处理金属材、附载体金属箔、及印刷电路板的制造方法-CN201480042390.7有效
发明人：新井英太;福地亮;森岗理;江良尚彦 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C25D7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种热的吸收性及散热性良好的表面处理金属材。表面处理金属材其金属材的热传导率为32W/(m·K)以上，表面的根据JISZ8730的色差ΔL满足ΔL≦－40。
表面处理金属载体连接器端子积层体屏蔽印刷电路板金属加工零件电子机器制造

[发明专利]电子零件用钛铜-CN201510799260.4在审
发明人： 江良尚彦;堀江弘泰 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供虽然积极析出作为稳定相的TiCu₃，但强度和弯曲加工性优异的钛铜。电子零件用铜合金，其为含有2.0~4.0%质量的Ti，残余部分由铜和不可避免的杂质组成的电子零件用铜合金，在通过电子显微镜对平行于辊轧方向的截面进行的组织观察中，存在含有沿结晶晶界析出的Ti-Cu系粒子的晶界反应相，对于各个晶界反应相而言，包围晶界反应相的最小圆直径D₂相对于晶界反应相所包围的最大圆直径D₁之比(D₂/D₁)的平均值Avg(D₂/D₁)为1.0~6.0，D₁的平均值AvgD₁为0.4~2.0μm，此外晶界反应相在每1000μm²的观察视野中占1.5~15%的面积。
电子零件用钛铜

[发明专利]电子零件用钛铜-CN201080053888.5无效
发明人： 江良尚彦;堀江弘泰 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供虽然积极析出作为稳定相的TiCu3，但强度和弯曲加工性优异的钛铜。电子零件用铜合金，其为含有2.0～4.0％质量的Ti，残余部分由铜和不可避免的杂质组成的电子零件用铜合金，在通过电子显微镜对平行于辊轧方向的截面进行的组织观察中，存在含有沿结晶晶界析出的Ti-Cu系粒子的晶界反应相，对于各个晶界反应相而言，包围晶界反应相的最小圆直径D2相对于晶界反应相所包围的最大圆直径D1之比(D2/D1)的平均值Avg(D2/D1)为1.0～6.0，D1的平均值AvgD1为0.4～2.0μm，此外晶界反应相在每1000μm2的观察视野中占1.5～15％的面积。
电子零件用钛铜

[发明专利]电子部件用钛铜-CN201080053288.9有效
发明人： 江良尚彦;堀江弘泰 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供具有优异的强度和弯曲加工性的钛铜。还提供电子部件用铜合金，该电子部件用铜合金含有2.0-4.0质量%Ti，其余部分含有铜和不可避免的杂质，来自压延面的{220}晶面的X射线衍射强度峰的半值宽度β{220}与来自纯铜标准粉末的{220}晶面的X射线衍射强度峰的半值宽度β0{220}满足下式：3.0≤β{220}/β0{220}≤6.0，且在与压延方向平行的截面的组织观察中，平均晶体粒径以圆当量直径表示，为30μm以下。
电子部件用钛铜

[发明专利]电子材料用Cu－Ni－Si－Co系铜合金和其制造方法-CN200980161688.9无效
发明人：桑垣宽;江良尚彦 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供适合作为电子材料用的铜合金的机械特性和电特性、且机械特性均一的Cu－Ni－Si－Co系合金。电子材料用的铜合金，其含有Ni：1.0～2.5质量％、Co：0.5～2.5质量％、Si：0.3～1.2质量％，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，其中，平均晶粒直径为15～30μm，每0.5mm2观察视野的最大晶粒直径与最小晶粒直径的差的平均值为10μm以下。
电子材料 cu ni si co 铜合金制造方法

[发明专利]铜合金、锻制铜、电子元件及连接器-CN201110342312.7有效
发明人： 江良尚彦;堀江弘泰 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供可以实现钛铜的特性改善的新型铜合金、锻制铜、电子元件和连接器。该铜合金为含有2.0～4.0质量％的Ti，总计含有0～0.5质量％作为第三元素的选自Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B、P中的1种以上，剩余部分包含铜和不可避免的杂质的铜合金，其特征在于，轧制面的电解抛光后的表面的通过电子显微镜进行的组织观察中，粒径为0.5μm以上的第二相粒子的个数密度(X)为0.04～0.11个/μm2，粒径为0.5μm以上的第二相粒子沿着晶界析出的个数比率(Y)为45～80％。
铜合金锻制电子元件连接器

[发明专利]电子部件用钛铜-CN201110334046.3无效
发明人：堀江弘泰;江良尚彦 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明涉及电子部件用钛铜，其提供具有优异的强度及弯曲加工性的钛铜。一种铜合金，其是含有2.0～4.0质量%的Ti，进而含有总计为0.01～0.15重量%的选自Fe、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Mn、Zr、Si、Mg、B、及P中的一种以上，且剩余部分由铜及不可避免的杂质构成的电子部件用铜合金，其中，轧制面的X射线衍射积分强度满足以下的（1）及（2）的关系。（1）30≤（I/I0｛220｝）/（I/I0｛200｝）≤95、（2）0.36≤2×（I/I0｛111｝）＋（I/I0｛311｝）≤0.48。
电子部件用钛铜

[发明专利]铜合金及使用其的锻制铜、电子元件及连接器以及铜合金的制造方法-CN201110342285.3有效
发明人：堀江弘泰;江良尚彦 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供具有优异的强度和弯曲加工性的钛铜、锻制铜、电子元件、连接器及其制造方法。铜合金，其含有2.0～4.0质量％的Ti，总计含有0～0.2质量％作为第三元素的选自Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B和P中的1种或2种以上，剩余部分包含铜和不可避免的杂质，其中，测定轧制面的X射线衍射强度时，轧制面的X射线衍射强度I与(311)面及(200)面中的纯铜粉末的X射线衍射强度I0之比(I/I0)满足以下的关系式：{I/I0(311)}/{I/I0(200)}≤2.54，且轧制面的X射线衍射强度I与(220)面及(200)面中的纯铜粉末的X射线衍射强度I0之比(I/I0)满足以下的关系式：15≤{I/I0(220)}/{I/I0(200)}≤95。
铜合金使用锻制电子元件连接器以及制造方法

[发明专利]铜合金、锻制铜、电子元件及连接器-CN201110342260.3有效
发明人：堀江弘泰;江良尚彦 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供具有优异的强度和弯曲加工性的铜合金、锻制铜、电子元件以及连接器。铜合金为含有2.0～4.0质量％的Ti，总计含有0～0.5质量％的作为第三元素的选自Mn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Mo、Nb、Zr、Si、B和P中的1种或2种以上，剩余部分包含铜和不可避免的杂质的铜合金，其中，使用扫描型透射电子显微镜对电子元件用铜合金的母相中的钛浓度进行观察的结果，铜合金的与轧制方向平行的截面的母相中的Ti浓度的振幅为Y(wt％)、上述电子元件用铜合金中的Ti浓度为X(wt％)时，满足0.83X-0.65＜Y＜0.83X+0.50的关系。
铜合金锻制电子元件连接器

[发明专利]电子材料用Cu-Ni-Si-Co-Cr系合金-CN200980111916.1有效
发明人： 江良尚彦;桑垣宽 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-03-02 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种通过在Cu-Ni-Co-Si系合金中使Cr添加效果更佳地发挥而使特性飞跃性提高，即高强度、高导电性的科森系合金。该电子材料用铜合金含有Ni：1.0～4.5质量％、Si：0.50～1.2质量％、Co：0.1～2.5质量％、Cr：0.0030～0.3质量％，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成；Ni与Co的合计质量与Si的质量浓度比([Ni+Co]/Si比)为4≤[Ni+Co]/Si≤5，对于分散于材料中的大小为0.1μm～5μm的Cr-Si化合物，其分散粒子中的Cr与Si的原子浓度比为1～5；其分散密度大于1×104个/mm2、且为1×106个/mm2以下。
电子材料 cu ni si co cr 合金

[发明专利]电子材料用Cu-Ni-Si系合金-CN200880010189.5有效
发明人： 江良尚彦 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供一种通过在Cu-Ni-Si系合金中使添加Cr的效果更良好地发挥，而使特性飞跃性提高，即高强度、高导电性的科森系合金。该电子材料用铜合金含有Ni：1.0～4.5质量％、Si：0.50～1.2质量％、Cr：0.0030～0.3质量％(其中，Ni与Si的质量比为3≤Ni/Si≤5.5)，且剩余部分包含Cu及不可避免的杂质，其中，关于分散在材料中的大小为0.1μm以上～5μm以下的Cr-Si化合物而言，其分散粒子中的Cr与Si的原子浓度比为1～5，其分散密度为1×10⁶个/mm²以下。
电子材料 cu ni si 合金

[发明专利]电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法-CN200880000652.8有效
发明人： 江良尚彦;桑垣宽 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种强度、电导率及冲裁性优异的Cu-Ni-Si-Co系合金。本发明为一种电子材料用铜合金，含有Ni：1.0～2.5质量％、Co：0.5～2.5质量％、Si：0.30～1.2质量％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在平行于轧制方向的剖面上进行观察时，对于粒径在0.1μm以上、1μm以下的第二相粒子的组成的差异及面积率，〔Ni+Co+Si〕量的中间值：ρ(质量％)为20(质量％)≤ρ≤60(质量％)，标准偏差：σ(Ni+Co+Si)为σ(Ni+Co+Si)≤30(质量％)，面积率：S(％)为1％≤S≤10％。
电子材料 cu ni si co 铜合金及其制造方法

[发明专利]电子材料用铜合金的制造方法-CN200780037203.6有效
发明人：桑垣宽;江良尚彦 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2007-10-02 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供适合用作端子、连接器、开关、继电器用途的材料的电子材料用铜合金，所述铜合金在强度、导电率及弯曲加工性的平衡方面优异。电子材料用铜合金，其特征在于，含有Co：1.00-2.50％质量、Si：0.20-0.70％质量，余量由Cu及不可避免的杂质构成，Co和Si的质量浓度比(Co/Si比)为3.5≤Co/Si≤5，导电率为55％IACS以上，优选60％IACS以上，优选下述铜合金：含有Cr：0.05-0.50％质量，作为不可避免的杂质的碳为50ppm以下，还含有0.001-0.300％质量的Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及Ag中至少1种物质的铜合金。所述合金的制造方法，其中，在熔融铸造后进行热轧和冷轧，在最终冷轧前进行下述热处理：加热至700-1050℃后，以每秒10℃以上的速度冷却。
电子材料铜合金制造方法

[发明专利]电子材料用Cu－Ni－Si系铜合金-CN200710087819.6有效
发明人： 江良尚彦;深町一彦;桑垣宽 -专利权人：日矿金属加工株式会社
申请日： 2007-03-19 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供科森铜镍硅合金，通过更加优异地发挥Cr添加效果，从而使其特性大幅提高。提供电子材料用铜合金，其为含有Ni：2.5～4.5质量％、Si：0.50～1.2质量％、Cr：0.0030～0.2质量％(其中，Ni与Si的重量比为3≤Ni/Si≤7)，余量由Cu和不可避免的杂质构成的铜合金，其中，碳的量为50质量ppm以下。
电子材料 cu ni si 铜合金

[发明专利]电子材料用Cu－Ni－Si－Co－Cr系铜合金及其制造方法-CN200680009829.1有效
发明人： 江良尚彦;深町一彦;桑垣宽 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明提供强度和导电性极大提高、具有优异特性的电子材料用Cu－Ni－Si－Co－Cr系铜合金。该电子材料用Cu－Ni－Si－Co－Cr系铜合金的特征是含有Ni：约0.5～约2.5质量％、Co：约0.5～约2.5质量％、和Si：约0.30～约1.2质量％，Cr：约0.09～约0.5质量％，其余部分由Cu和不可避免的杂质构成，该合金组成中的Ni和Co的合计量相对于Si的质量浓度比为：约4≤[Ni+Co]/Si≤约5，该合金组成中的Ni和Co的质量浓度比为：约0.5≤Ni/Co≤约2，对于分散在材料中的大小为1μm以上的夹杂物的个数(P)、其中的含碳浓度为10质量％以上的夹杂物的个数(Pc)，Pc约为15个/1000μm²以下，且其比Pc/P≤约0.3以下。
电子材料 cu ni si co cr 铜合金及其制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 16 条