专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]单层电容器用无氰镀金设备-CN201910481297.0有效
  • 刘云志;吴继伟;杨国兴;王迪;郝泳鑫 - 大连达利凯普科技有限公司
  • 2019-06-04 - 2023-05-12 - C25D7/00
  • 本发明公开了一种单层电容器用无氰镀金设备,包括托盘,托盘上安装有主体、PH碱性添加桶、PH酸性添加桶、镀金液添加桶;主体的内腔通过工作台面分隔为上腔室和下腔室。通过PH探头、镀金液添加桶等结构,节省了分析人工、完全不需要分析用的原液及分析药品,极大提高了药液稳定性,降低了人力物力成本;通过氮气的保护,延迟镀液寿命数倍,大大降低镀金液使用成本;设计了可调节速率的阴极移动装置和可调节的变频过滤泵,可对不同产品进行对应调整,达到最佳镀金效果;在镀金液回收槽中增加加热器、比重探头,通过加热将金回收液进行浓缩,通过比重感应计算金含量,可随意对回收的镀金液浓度进行控制,以达到最大的金回收效率。
  • 单层电容器用镀金设备
  • [实用新型]应用于5G元件的谐振腔-CN202021516052.1有效
  • 许光;吴继伟;杨国兴 - 大连达利凯普科技有限公司
  • 2020-07-28 - 2021-01-26 - G01R27/26
  • 一种应用于5G元件的谐振腔,属于谐振腔测试技术领域。方案如下:包括:夹具柱塞、中心导体、衰减器、精密电阻、连接矢网一端口、连接矢网二端口、谐振腔主体,所述夹具柱塞可活动地安装在所述谐振腔主体一端,所述中心导体内置于所述谐振腔主体,所述夹具柱塞与中心导体相对设置;所述衰减器安装在所述谐振腔主体的另一端,所述连接矢网一端口和连接矢网二端口与所述谐振腔主体连接,所述精密电阻与所述连接矢网一端口连接。有益效果:本实用新型通过衰减器的设置,防止电磁波泄露,有效减少了测试误差,提高了测试的稳定性;通过衰减器与所述谐振腔主体之间设置密封圈,能更加有效防止电磁波泄露,保证测试结果的稳定性和准确性。
  • 应用于元件谐振腔
  • [发明专利]应用于5G元件的谐振腔及测试方法-CN202010736819.X在审
  • 许光;吴继伟;杨国兴 - 大连达利凯普科技有限公司
  • 2020-07-28 - 2020-10-09 - G01R27/26
  • 一种应用于5G元件的谐振腔及测试方法,属于谐振腔测试技术领域。方案如下:程序初始化,输入测试参数;输入谐振腔的校准参数;依次寻找第一至第八谐振点的频率,降低扫描时间,减小扫描范围,重新扫描,分别读取各谐振点的频率和Q值;计算分别计算每个谐振点的ESR值、Corrected ESR值、Cp值和Q值。有益效果:本发明所述的应用于5G元件的谐振腔测试方法通过使用矢量网络分析仪,可计算高Q电容3.5GHz以下各个谐振点的ESR值等参数,测试精度更高,测试效率更快。
  • 应用于元件谐振腔测试方法
  • [发明专利]一种单层电容器陶瓷基片的制备方法-CN201910481289.6有效
  • 杨国兴;刘云志;吴继伟;王迪;郝泳鑫 - 大连达利凯普科技有限公司
  • 2019-06-04 - 2020-06-16 - C04B35/622
  • 本发明属于单层电容器制造工艺的技术领域,提供一种单层电容器陶瓷基片的制备方法,包括配料、流延、叠层、层压、切割、预整平、排胶、烧结、整平、研磨等步骤,通过上述方法在排胶前进行预整平,避免基片生坯排胶过程中受热变形问题;排胶过程可将基片生坯中的有机组分充分分解排出,避免有机组分在高温烧结过程中反应影响基片外观及性能;烧结过程中采用特制匣钵,可使基片生坯受温均匀一致从而收缩均匀,平整度好;整平后基片表面会有玻璃相析出,影响基片外观和性能,用研磨设备进行研磨,保证基片表面均匀一致,提高基片与溅射层之间结合力,同时节省成本提高合格率。
  • 一种单层电容器陶瓷制备方法

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