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[发明专利]一种单晶体石墨材料制备提纯装置-CN201610774914.2有效
发明人：沈宇栋;蔡峰烽;章钰锋 -专利权人：无锡东恒新能源科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C01B32/215 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶体石墨材料制备提纯装置，包括反应炉，反应炉内设置有多层用于放置石墨片材的隔层，反应炉内壁上还设置有多个与隔层对应的磨损板，磨损板朝向隔层的面上具有磨擦颗粒，连接磨损板设置有振动装置，与现有技术相比，本发明的一种单晶体石墨材料制备提纯装置，首先将石墨片材进行高温加热，然后利用磨损板对石墨片材进行物理磨损，将高温下石墨片材表面上分离出的单晶体从石墨片材上分离，完成石墨单晶体制备，而提纯罐收集从石墨片材上分离的物质，利用石墨单晶体相比其他杂质或多晶体较轻的特点，吸收漂浮在提纯罐上部单晶体含量较高的空气，提取到纯度较高的石墨单晶体。
单晶体石墨片反应炉磨损板制备石墨材料提纯装置石墨提纯罐隔层高温加热磨擦颗粒物理磨损振动装置多晶体多层内壁漂浮吸收

[发明专利]一种用于四元卤化物晶体制备的模具装置及制备方法-CN202011418143.6有效
发明人：李静;温航;王彪 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于四元卤化物晶体制备的模具装置及制备方法，包括：容器和浮动模具，其中，所述浮动模具包括晶体生长平台、模具核心和浮体，模具核心位于晶体生长平台的中部，且贯穿晶体生长平台设置，其一端与晶体生长平台的工作面平齐，另一端向外延伸设定距离，模具核心的中央有一上下贯穿的毛细管；浮体环绕晶体生长平台的四周设置；晶体生长平台的横截面形状与容器的横截面形状相适应。将浮动模具浮于熔液的表面，浮动模具随熔液液面的下降而下移，使浮动模具的模具毛细管始终插入熔液中，并控制毛细管与熔体液面的距离，消除不一致熔融化合物制备过程中极易形成的杂项，提高晶体质量。
一种用于卤化物晶体制备模具装置方法

[发明专利]一种有机非线性光学晶体材料PBSB及其制备工艺-CN201710425558.8在审
发明人：滕冰;曹丽凤;钟德高;纪少华;孙箐;刘娇娇 -专利权人：青岛大学
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C07D209/60 文献下载
摘要：本发明属于功能材料技术领域，具体涉及一种有机非线性光学晶体材料及其制备工艺，特别是一种(E)‑2‑(4‑(二甲氨基)苯乙烯基)‑1,1,3‑三甲基‑1H‑苯并[e]吲哚‑3‑苯磺酸盐及其制备方法，其制备方法包括合成反应、缩合反应、离子交换反应、过滤重结晶四步，本发明制备的晶体，结构中带有苯并吲哚环的阳离子和苯磺酸阴离子，形成较大的π电子共轭体系，非中心对称性显著提高，有利于产生较大的非线性光学系数；同时，该晶体在250℃之前不发生分解，热学稳定性好，纯度高，制备方法简单，原料易得，晶体制备和生长条件温和，不需要严格控制各过程的含水量；是一种新非线性光学晶体材料，具有较高的潜在实用价值。
一种有机非线性光学晶体材料 pbsb 及其制备工艺

[发明专利]温度场可控的氮化铝晶体生长装置及工艺-CN201510116383.3在审
发明人：武红磊;郑瑞生;徐百胜;梁逸;贺姝慜 -专利权人：深圳大学
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明属于晶体制备领域，特别涉及一种氮化铝晶体的生长装置及对应的工艺。本发明提供温度场可控的氮化铝晶体生长装置及工艺，具有温度场控制精确、操作性强等优点，由此发展的相应生长工艺符合氮化铝晶体的结晶特性。该制备装置包括顶加热器、中加热器、底加热器、顶保温层、侧保温层、底保温层、红外测温仪、坩埚和坩埚支架组成。装置根据三个红外测温仪返回的生长区域三个不同位置的温度信号，进行顶加热器、中加热器和底加热器加热功率的温控调节，满足了氮化铝晶体生长的合适温度场条件。本发明为制备大尺寸、高品质的氮化铝单晶体提供合适的生长装置及有效、可行的工艺。
温度场可控氮化晶体生长装置工艺

[发明专利]一种钇钡铜氧光子晶体及其制备方法-CN202211609261.4在审
发明人：张伟;宋海智;陈剑;谭杨;胡卫英;黄帅;蒋若梅;徐强;李远航;芦鹏飞 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提出一种钇钡铜氧光子晶体及其制备方法，光子晶体结构由周期性的钇钡铜氧(YBa2Cu3O7‑x本发明的光子晶体通过改变光入射角可以改变带隙的位置和宽度从而实现中红波段带隙。本发明的光子晶体采用磁控溅射方法在钛酸锶单晶基底上制备钇钡铜氧薄膜，再通过聚焦离子束方法将钇钡铜氧薄膜加工成由钇钡铜氧圆形晶柱组成的周期性纳米结构，得到钇钡铜氧光子晶体。本发明的钇钡铜氧光子晶体制备方法工艺简单，易于控制。
一种钇钡铜氧光子晶体及其制备方法

[发明专利]一种具有有序畴结构的钙钛矿单晶、制备方法及辐射探测器-CN202210546973.X有效
发明人：董庆锋;宋益龙;毕伟辉 -专利权人：吉林大学;董庆锋
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有有序畴结构的钙钛矿单晶、制备方法及辐射探测器，属于钙钛矿辐射探测器技术领域。本发明中对限域逆温生长法的空间限制的刚性基底进行低表面能的凝胶化处理来获得与晶体软接触的基底，与无凝胶层的硬接触基底相比可以释放晶体与基底之间的应力，获得晶体内部的高度有序晶畴，从而实现高度均一性的钙钛矿单晶，相对传统方法制备的钙钛矿单晶，本发明中高度有序晶体具有更低的缺陷密度，提高的结晶质量和电荷传输性质，本方法也大幅提升了获得的晶体尺寸。基于此方法生长的晶体制备的射线探测器实现了具有领先水平的γ射线能谱分辨率。
一种具有有序结构钙钛矿单晶制备方法辐射探测器

[发明专利]一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉-CN200410100460.8无效
发明人：王宁会;王晓臣;黄耀;戚栋;吴彦;李国锋 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2004-12-21 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： F27B3/08 文献下载
摘要：本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁晶体的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉。本发明通过对保温材料，水冷设备，感温探头和计算机控制技术的综合运用来产生适宜晶体生长的温度场。本发明的效果和益处是依据本发明设计的电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时提高了电能的利用率有效地降低了成本。另外，该技术也可用于生产其他高温晶体。
一种制备氧化镁晶体电弧炉

[发明专利]一种制备柔性碳纳米管场效应晶体管的方法-CN201510683113.0在审
发明人：郭奥;胡少坚;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造领域，公开了一种制备柔性碳纳米管场效应晶体管的方法，首先提供一硅衬底，接着在硅衬底上制备碳纳米管；然后制备以碳纳米管为沟道材料的场效应晶体管；再接着在碳纳米管场效应晶体管四周形成沟槽，且沟槽的四周相邻的端点处保留预设尺寸的桥接；然后对硅衬底进行横向刻蚀，以使碳纳米管场效应晶体管的底部保持悬空；最后采用PDMS印章工艺将碳纳米管场效应晶体管转移至柔性衬底，形成柔性碳纳米管场效应晶体管本发明兼容了目前主流的高性能碳纳米管晶体管的制备工艺，通过集成柔性封装工艺，实现了柔性碳纳米管场效应晶体管的大规模量产，其市场应用价值广阔。
一种制备柔性纳米场效应晶体管方法

[发明专利]近化学比铌酸锂晶体制备工艺-CN200410019732.1无效
发明人：孙军;张玲;孔勇发;李兵;刘士国;黄自恒;陈绍林;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2004-06-23 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的制备，特别是成分均匀的铌酸锂晶体的制备工艺，属于光电材料制备技术领域。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，熔体的成分不断发生变化，结晶的固体成分也不断发生变化。因此难以得到成分均匀的铌酸锂晶体。为此本发明公开了一种近化学比铌酸锂晶体制备工艺，其技术方案是：在双坩埚直拉法生长铌酸锂晶体的工艺中，随着晶体的生长，往熔体中加入Nb∶Li＝64∶36的熔融原料颗粒，使熔体的成分维持不变。本发明的有益效果：加入熔体有利于扩散，使晶体生长速度加快，提高生产效率；原料是含量36mol％的Li，是Li含量小于50mol％的Li₂O·Nb₂O
化学铌酸锂晶体制备工艺

[发明专利]一种碳量子点基凝胶光子晶体的制备方法及应用-CN201910479129.8在审
发明人：王建颖;朱玉华;王贤保 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明提供一种碳量子点基凝胶光子晶体制备方法及应用，其合成方法包括以下步骤：(1)量取1％海藻酸钠水溶液与乙二胺于水热反应，反应完获得适量碳点原液与丙烯酸(AA)改性获得改性碳点。(2)用二氧化硅(SiO2)胶体晶体模板制备碳量子点基凝胶光子晶体。本发明制备了一种以AA，甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)共聚物为基质，改性碳量子点(CDs)为交联中心的反蛋白石结构凝胶光子晶体，从荧光和反射双模式检测水中Cu2+
一种量子凝胶光子晶体制备方法应用

[发明专利]三维光子晶体的制造方法-CN200910218943.0有效
发明人：李涤尘;王敏捷;张伟;陈世斌;吴海华 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： C30B1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种三维光子晶体制造的新工艺方法，在计算机中设计具有微波特性的三维光子晶体模型；构建此模型的负型，并依据此光子晶体模型设计浇注系统，导出浇注系统模型为STL格式，利用光固化成型技术快速制备树脂模具，采用凝胶注模工艺成型结构，最后烧蚀树脂以制造三维光子晶体，具有制造周期短、成本低、可控性好等优点，适用于各种复杂结构三维光子晶体的加工制造。
三维光子晶体制造方法

[发明专利]一种以水滑石为前体制备紫外阻隔材料的方法-CN201310745834.0有效
发明人：林彦军;王桂荣;李凯涛;宁波 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明公开了属于无机功能材料制备技术领域的一种以水滑石为前体制备紫外阻隔材料的方法。本发明采用成核晶化隔离法合成粒径分布均一的不同层板组成的水滑石，然后利用多种酸性溶液与水滑石表面金属进行酸处理，在水滑石粒子表面或内部形成晶体缺陷，利用形成的晶体缺陷增加微粒对紫外光的反射和散射作用，制备出了对紫外光有良好的屏蔽作用的紫外阻隔材料
一种滑石体制紫外阻隔材料方法

[发明专利]利用两步纳米压印法制备的双钙钛矿横向异质结、制备方法及其应用-CN202210817546.0在审
发明人：夏虹;李顺心;孙洪波 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明公开了利用两步纳米压印法制备的双钙钛矿横向异质结、制备方法及其应用，属于有机无机杂化钙钛矿横向异质结技术领域，具体包括钙钛矿前驱体制备、压印模板制备、异质结晶体的制备；利用两步纳米压印法制备双钙钛矿横向异质结的方法，通过两步纳米压印在温度场和重力场的辅助下，避免第二种钙钛矿结晶过程中涉及的溶剂将先沉积的第一种钙钛矿晶体溶解，从而可得到由两种高质量钙钛矿晶体横向拼接而成的横向钙钛矿异质结；制备的横向异质结晶体表面形貌良好，缺陷较少，晶体生长取向良好；并利用两步纳米压印法制备双钙钛矿横向异质结的方法制备了具备自供电、柔性、偏振灵敏性的高性能光电探测器，并且提升了光电响应特性和对环境的稳定性。
利用纳米压印法制双钙钛矿横向异质结制备方法及其应用

[发明专利]一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法-CN201610915278.0在审
发明人：王穗东;高旭;徐建龙;董彬;刘杰;张精宇 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法，所述纳米复合体晶体管存储器所述存储器包括一柔性基底、一栅电极、一栅绝缘层、一电荷存储层、一隧穿绝缘层、一半导体层以及一源漏电极。其中所述电荷存储层采用由两种或两种以上材料制备的纳米复合体制成，可以有效增加电荷存储密度，性能优于其中单一材料单独作为电荷存储层的性能。所述纳米复合体晶体管存储器的制备方法工艺简单，生产成本较低。
一种纳米复合体晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]一种表面粗糙、形貌可控的氧化亚铜纳米晶体的制备方法-CN201410340699.6有效
发明人：杜毅;李彦春;孙丹丹;李中付;陈忠涛 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种表面粗糙、形貌可控的氧化亚铜纳米晶体的制备方法，属于纳米晶体制备技术领域。本发明采用水热法，将溶性铜盐、丝胶蛋白、表面活性剂和氢氧化钠置于高压釜反应制备出了表面粗糙的氧化亚铜纳米晶体。
一种表面粗糙形貌可控氧化亚铜纳米晶体制备方法