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[发明专利]掺镱硼酸氧钙钇镧激光晶体及其制备方法和用途-CN200510063995.7无效
发明人：王国富;韦波;林州斌;胡祖树 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：掺镱硼酸氧钙钇镧激光晶体及其制备方法和用途涉及人工晶体领域，特别是涉及一种激光晶体掺镱硼酸氧钙钇镧及其制备方法和用途。采用提拉法，在1500℃左右，以5－20转/分钟的晶体转速，0.5－2毫米/小时的拉速，生长出了高质量、较大尺寸的Yb³⁺∶Y_0.8La_0.2Ca₄O(BO₃)₃晶体。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1μm左右波长的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。
硼酸氧钙钇镧激光晶体及其制备方法用途

[发明专利]一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法-CN202110418044.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C01B21/072 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，属于氮化铝晶体制备技术领域。为解决现有多孔氮化铝原料制备工艺复杂，成本高的问题，本发明提供了一种氮化铝晶体生长用多孔氮化铝原料的制备方法，包括配制浆料、球磨处理、冻干处理和烧结、酸洗处理步骤。本发明提供的多孔氮化铝制备方法工艺简单，对设备要求低、成本低，更适用于氮化铝晶体的工业化生产。本发明通过准确控制冻干温度使多孔孔径相对可控，制备得到的多孔氮化铝原料孔径小于30μm，这样的孔径不但利于气体上升，还能够对碳颗粒进行过滤，提高晶体质量。本发明制备过程中添加的粘接剂、分散剂能够在烧结过程中完全除去，保证了氮化铝原料的高纯度。
一种氮化晶体生长多孔原料制备方法

[发明专利]一种B型3,6‑二碘‑N‑苯基咔唑的晶体结构及其制备方法-CN201610865572.5在审
发明人：汤桂梅;董彦平;汪永涛 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C07D209/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种B型3,6‑二碘‑N‑苯基咔唑的晶体结构及其制备法,属于光电材料领域，具体制备方法如下0.1mmol 3,6‑二碘‑N‑苯基咔唑溶解在10 mL乙酸乙酯溶剂中，静置1周，过滤，洗涤，制备出一种B型3,6‑二碘‑N‑苯基咔唑的无色块状晶体。其晶体结构属于单斜P21/n空间群，晶胞参数。本发明的化合物是一种优良光学材料中间体。
一种苯基晶体结构及其制备方法

[发明专利]一种光子晶体塑料闪烁体的制备方法-CN201510736521.8有效
发明人：刘波;刘金良;陈亮;程传伟;陈鸿;顾牡;欧阳晓平 -专利权人：同济大学
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光子晶体塑料闪烁体的制备方法，选取合适的压印模板和所需的塑料闪烁体；对模板进行防粘处理；利用进行过防粘处理的模板对塑料闪烁体进行热纳米压印；将压印处理后的模板与塑料闪烁体分离，从而获得与模板图形互补的光子晶体结构与现有技术相比，本发明无须进行图形转移，避免了大多数光子晶体制备过程中光刻胶的旋涂和后续图形转移的复杂过程，使得整个制备过程大大简化。
一种光子晶体塑料闪烁制备方法

[发明专利]一种基于钙钛矿晶体制备密码原语的方法-CN202110489949.2有效
发明人：巫金波;赵丽丹;温维佳;张萌颖;薛厂 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于钙钛矿晶体制备密码原语的方法及其应用，包括制备不同的具有成分偏析钙钛矿晶体的芯片，扫描和读取上述钙钛矿晶体芯片上目标阵列的荧光发射光谱，根据上述目标阵列的发射峰数目将阵列图案分为四类：本发明提供了基于钙钛矿晶体制备密码原语的方法，具备随机性强、不可克隆、快捷编码、可大规模低成本生产的技术效果。
一种基于钙钛矿晶体制备密码方法

[发明专利]硝酸钠晶体的制备方法及其应用-CN202010024991.2在审
发明人：崔进;杨帆;孟骁;詹苏昌;胡益成 -专利权人：陕西华燕航空仪表有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明提供一种硝酸钠晶体的制备方法，包括：S1溶解，将硝酸钠粉末溶于蒸馏水，获得硝酸钠饱和溶液，溶解温度为60～80℃，溶解时间为10～20min；S2结晶，降低温度至23～30℃，获得硝酸钠单晶；S3洗涤，冲洗硝酸钠单晶；S4干燥，干燥获得所述硝酸钠晶体。本发明制得的硝酸钠晶体，可作为较小规格的光纤陀螺仪的偏振晶体使用，无需再进行二次加工，简化工作流程，减少资源浪费，提高经济效益。此外，本发明中提供的硝酸钠晶体的制备方法，无需采用晶种，成本低，且本发明制得的硝酸钠晶体可作为晶种用于后续较大尺寸的硝酸钠晶体的制备，在硝酸钠晶体制备工艺中具有应用价值。本发明还提供一种硝酸钠晶体的制备方法在光纤陀螺仪偏振晶体中的应用。
硝酸钠晶体制备方法及其应用

[发明专利]一种纳米晶体制备方法-CN201610907436.8有效
发明人：王允军;王军佐;孔祥兴 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C01G9/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种纳米晶体制备方法，属于半导体纳米材料的制备技术领域。本发明通过对多个工艺条件的严密控制，在100‑300℃的温度范围下，将溶解有反应气体的第一前体溶液加入到溶解有第二前体和表面活性剂的第二前体溶液中，反应制备得纳米晶体。通过本发明的制备方法，气态的第一前体的量可被精确控制，反应更均匀，更可控，所制得的纳米晶体体积分布均匀，发光量子产率更高。
纳米晶体制备前体溶液前体溶解半导体纳米材料制备技术领域表面活性剂发光量子反应气体工艺条件体积分布产率可控

[发明专利]一种氧化镥基质的闪烁晶体制备方法及应用-CN201910547121.0在审
发明人：徐军;赵衡煜;王东海;李东振;王庆国 -专利权人：南京同溧晶体材料研究院有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镥基质的闪烁晶体制备方法，按照化学通式(Lu_1‑xM_xYb_y)₂O₃称取化学计量比的氧化镥，氧化镱和所需的稀土离子氧化物，混合均匀后，根据需要等静压成料饼或料棒，烧结后，选用氧化镥陶瓷棒或单晶作为籽晶进行晶体生长，获得晶体中掺杂了Yb³⁺作为激活离子，将氧化镥的超快闪烁体基质的优势充分发挥出来，且制备方法简单易操作，制备的闪烁晶体质量优良。
氧化镥制备闪烁晶体基质稀土离子氧化物超快闪烁体化学计量比氧化镥陶瓷化学通式激活离子晶体生长烧结等静压氧化镱称取单晶料棒料饼籽晶掺杂应用

[发明专利]一种半绝缘磷化铟的制备装置-CN202110618242.7有效
发明人：王书杰;孙聂枫;徐森锋;孙同年;刘惠生 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：一种半绝缘磷化铟的制备装置，属于晶体制备领域，包括炉体，炉体内设置坩埚及加热和支持系统、穿过炉体的籽晶杆，在炉体侧面设置氢气管、惰性气体管、排气管；在炉体内设置有注入器，连接注入器的注入升降杆探出炉体外采用本发明提出的制备装置，可以完成晶体的生长，并且在合适的空间内实现晶体的原位退火，尤其是需要在磷气氛下退火时，保证磷气体不凝结，维持退火空间内的压力，建立良好的退火环境，保证半绝缘磷化铟晶体质量。
一种绝缘磷化制备装置

[发明专利]一种氮化物光子晶体及其制备方法-CN201810517091.4在审
发明人：高娜;卢诗强;葛树成;冯向;黄凯;康俊勇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物光子晶体及其制备方法，有机地结合了各向同性的干法刻蚀技术和各向异性的湿法腐蚀技术，可实现大面积、亚波长量级的小尺寸光子晶体制作，且光子晶体晶胞的形状和结构可控，无需多次掩膜光刻与刻蚀
光子晶体氮化物制备干法刻蚀技术规模化生产亚波长量级工艺成本工艺过程结构可控湿法腐蚀光刻晶胞刻蚀掩膜制作优化

[发明专利]一种大面积层数可控胶体晶体的制备方法-CN201811611261.1在审
发明人：彭寿;汤永康;金良茂;马立云;鲍田;甘治平;李刚 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开一种大面积层数可控胶体晶体的制备方法，以浓度固含量2～10%的聚苯乙烯微球乳液为原料，以线棒刮涂法在基底表面刮涂聚苯乙烯微球乳液，线棒刮涂法使用间隙尺寸为2～20µm的线棒，刮涂速率为1～5m/min，在基底表面得到胶体晶体薄膜；该方法能够容易地实现大面积高质量并且层数可控的胶体晶体制备，也能够容易的制备大面积单层致密的胶体晶体，这对于二维薄膜材料器件的加工制备与优化具有重要作用；改变聚苯乙烯微球乳液浓度、线棒间隙尺寸、刮涂速率即可实现不同致密度、不同层数的胶体晶体薄膜。
刮涂制备胶体晶体线棒聚苯乙烯微球乳液胶体晶体薄膜基底表面可控致密二维薄膜材料固含量可控的单层加工优化

[发明专利]一种无裂纹光子晶体制备方法-CN202210213342.6有效
发明人：程群峰;杨田田 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B29C41/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种无裂纹光子晶体制备方法，所述制备方法是通过高分子聚合物溶液或熔体填充含裂纹的光子晶体模板，然后在一定温度下挥发溶剂、干燥或冷却固化实现的；在此过程中，光子晶体胶体球发生解组装与再组装。光子晶体模板制备方法包括垂直沉降法、刮涂法、旋涂法、喷涂法、滴涂法、界面自组装等，所填充的聚合物包括淀粉、壳聚糖、纤维素、聚乳酸、聚丙烯酸、丝蛋白及其衍生物等。本发明制备的无裂纹光子晶体具有良好的光子带隙，并且具有自支撑性，在高性能光电器件、催化、炫彩包装等方面具有重要的应用前景。
一种裂纹光子晶体制备方法

[发明专利]铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法-CN200910195565.9有效
发明人：丁栋舟;杨帆;任国浩;潘尚可;张卫东;陈晓峰 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及晶体领域，具体涉及一种铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法。本发明的铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体的化学式为：Li6Gd1-x-yYxCey(BO3)3，其中x的取值范围为0～0.9999，y的取值范围为0.0001～0.1。本发明的铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体通过以电负性及离子半径相近，而原子序数相对更小的元素Y来部分置换Gd元素，优化了硼酸钆锂晶体对于中子的探测性能，并降低了晶体制备的原料成本。本发明的下降法制备具有工艺设备简单，操作方便，能耗低，生长效率高、成本低可实现工业化生产等特点。
掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制方法

[发明专利]掺镱钼酸镧钾激光晶体及其制备方法和用途-CN200610135381.X无效
发明人：王国富;王国建;龙西法;林州斌;张丽珍 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：掺镱钼酸镧钾激光晶体及其制备方法和用途，涉及人工晶体领域。采用提拉法(Czochralski方法)，在1070℃左右，以5－20转/分钟的晶体转速，0.5－2毫米/小时的拉速，生长出了高质量、较大尺寸的Yb³⁺:KLa(MoO₄)₂晶体。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1μm左右波长的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。
钼酸激光晶体及其制备方法用途

[发明专利]掺钕钼酸钆钠激光晶体及其制备方法和用途-CN200510119539.X无效
发明人：王国富;李修芝;林州斌;张莉珍 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2005-11-14 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：掺钕钼酸钆钠激光晶体及其制备方法和用途涉及人工晶体领域。采用提拉法，在1182℃左右，以10~30转/分钟的晶体转速，0.5~1毫米/小时的拉速，生长出了高质量、较大尺寸的Nd³⁺:NaGd(MoO₄)₂晶体。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1060nm和900nm左右波长的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。
钼酸激光晶体及其制备方法用途