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[发明专利]一种氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202011024601.8在审
发明人：庞东方;赵化愚 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷，化学通式为[N‑(1‑x)(Na0.5Bi0.5)TiO钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，包括以下步骤：采用传统固相法制备钛酸铋钠基无铅压电陶瓷；将制备的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷置于氨气氛中，并在低温下进行保温处理，制得氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷，氨气或脲提供氮源制得的氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的电致应变为0.52‑1.1％，矫顽场为25.54‑48.47kv/cm，适合于制造大应变无铅压电致动器。
一种掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法-CN201910873427.5在审
发明人：杜毅;王佳佳 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，所述钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的化学计量比为：（1‑x)Bi
钛酸铋钠基无铅压电陶瓷化学计量比烘干预烧制备传统烧结工艺二次球磨介电常数介电性能烧结工艺压电陶瓷极化烧结陶瓷片锆元素被银排胶球磨压片造粒掺杂改进

[发明专利]高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法-CN202211726940.X在审
发明人：沈波;朱坤;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜，化学通式为：0.9212(Bi0.5Na0.5)TiO钛酸铋钠基无铅压电薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，按照钛酸铋钠基无铅压电薄膜的化学通式的化学计量比称取硝酸铋、乙酸钠、乙酸钡、乙酸镧、乙酸锶溶于乙酸，制得第一溶液；步骤S2，按照钛酸铋钠基无铅压电薄膜的化学通式的化学计量比称取乙酰丙酮、钛酸四丁酯、四水合乙酸锰溶于乙二醇甲醚，制得第二溶液；步骤S3，将第一溶液和第二溶液混合得到混合溶液，调整混合溶液的浓度和酸碱度，制得前驱体溶液；步骤S4，清洗基片，并将基片吹干；步骤S5，将前驱体溶液涂覆在基片上，制备得到高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜。
高电致应变钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法

[发明专利]钛酸铋钠—钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷及其制备方法-CN200610041830.4无效
发明人：张昌松;高峰;郭晨洁;田长生 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提出一种钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷及其制备方法，以替代传统的含铅系压电陶瓷。本发明以微晶模板钛酸铋与原始粉料、有机溶剂和粘结剂混合生成最终的钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷，其中，织构陶瓷的微晶模板是用二氧化钛、氧化铋、氯化钠以及氯化钾生成形貌为片状的钛酸铋粉体，原始粉料包括碳酸钠、碳酸钾、二氧化钛和氧化铋，经过球磨制浆、流延、叠压、热水等静压、切割、预烧及涂银工序，最终生成钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷。本发明的优点在于可以利用工厂现有的片式电子元件生产设备，同时整个过程完全符合环保要求，所制备出的钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷其电性能已经达到压电陶瓷实用化要求。
钛酸铋钠钛酸铋钾无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种大应变小迟滞的钛酸铋钠基无铅陶瓷及其制备方法-CN201710898077.9在审
发明人：张海波;范鹏元;张小明;朱义为;马伟刚;谢兵 -专利权人：华中科技大学;武汉华陶创新科技有限公司;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明属于无铅压电材料相关技术领域，其公开了一种大应变小迟滞的钛酸铋钠基无铅陶瓷，其化学式为Bi1/2(Na0.82K0.18)1/2Ti1‑x(Fe0.5Nb0.5)xO3，其中，x＝0.01～0.05本发明还涉及上述大应变小迟滞的钛酸铋钠基无铅陶瓷的制备方法。本发明采用(Fe0.5Nb0.5)4+离子替换了BNT‑BKT中部分Ti4+离子，在提高了BNT‑BKT基无铅陶瓷场致应变的同时，还有效减小了应变迟滞。
一种变小迟滞钛酸铋钠基无铅陶瓷及其制备方法

[发明专利]钛酸铋钠基高应变无铅压电陶瓷及其制备方法-CN201110030540.0无效
发明人：樊慧庆;时婧 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠基高应变无铅压电陶瓷，还公开了这种钛酸铋钠基高应变无铅压电陶瓷的制备方法，用于解决现有的铅基压电陶瓷应变量低的技术问题。0.5Bi0.5TiO3-BaTiO3配料，其中：0≤x≤0.09；将配料放入球磨罐中球磨，球磨混合料烘干后压块，预煅烧，取出煅烧的料打碎，再球磨、过筛；将过筛后的粉料预压成片，然后等静压成型；成型后的圆片经过烧结，得到钛酸铋钠基高应变无铅压电陶瓷
钛酸铋钠基高应变压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种锰掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法和应用-CN202210638119.6在审
发明人：顾美晶;曹文武;穆忠民 -专利权人：江苏省声学产业技术创新中心
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供了一种锰掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法和应用。BaCO3、TiO2和MnO2混合，加入无水乙醇，球磨后烘干，锻烧，得到具有钙钛矿结构的预烧粉体；向具有钙钛矿结构的预烧粉体加入无水乙醇球磨，烘干，压制成型；在500℃‑650℃排粘合剂2h‑4h，在1150‑1200℃烧结，保温2‑3h，升温速率为2‑3℃/min，降温速率为4‑5℃/min，得到锰掺杂钛酸铋钠‑钛酸铋钾‑钛酸钡陶瓷片；将烧结后的陶瓷片镀金10min‑20min，进行极化处理，得到锰掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷。通过上述制备方法制备得到的锰掺杂钛酸铋钠‑钛酸铋钾‑钛酸钡压电陶瓷可以用于压电器件。
一种掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]无铅压电薄膜材料及其制备方法-CN201610583008.4在审
发明人：刘洁;郭菲菲 -专利权人：安阳华森纸业有限责任公司
申请日： 2016-07-23 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及无铅压电薄膜材料及其制备方法，可有效解决铅基薄膜材料的制备及在制备、使用及废弃的过程中对生态环境和人类健康带来危害的问题，本发明解决的技术方案是，本发明无铅压电薄膜材料为钛酸铋钠‑钴酸铋无铅压电薄膜材料0.5TiO₃‑xBiCoO₃(BNT‑BC)，其中x为摩尔数，0＜x≤0.06，其制备方法采用PLD制备钛酸铋钠钴酸铋压电薄膜，本发明组分简单，原料丰富，易于制备，产品质量好，性能稳定、优异，是无铅压电薄膜材料上的创新，有良好的经济和社会效益。
压电薄膜材料及其制备方法

[发明专利]铌酸钾钠-钛酸铋钠钾压电陶瓷及其制备方法-CN201010223340.2无效
发明人：刘来君;吴枚霞;杨曌;方亮;胡长征 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钾钠-钛酸铋钠钾压电陶瓷及其制备方法。铌酸钾钠-钛酸铋钠钾压电陶瓷的化学组成通式为：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBi0.5(K0.82Na0.18)TiO3，其中：0＜x＜0.2；x为摩尔分数。将碳酸钾、碳酸钠、二氧化钛、五氧化二铌、三氧化二铋，按化学计量比(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBi0.5(K0.82Na0.18)TiO3(0＜x＜0.2；x为摩尔分数)配料，经过球磨、煅烧、二次球磨、造粒、成型、排胶、高温烧结等工序，最终制备具有高压电性能的钛酸铋钾钠铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。本发明方法大大的提高了无铅压电陶瓷体系的压电性能、提高了材料的工艺稳定性，从成分和工艺两方面使铌酸钾钠体系的无铅压电陶瓷达到了实用化水平。
铌酸钾钠钛酸铋钠钾压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种无铅压电陶瓷纤维复合材料及制作工艺-CN201911012529.4在审
发明人：龚文;吴超峰 -专利权人：嘉兴清锋新材料有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种无铅压电陶瓷纤维复合材料，该复合材料由无铅压电陶瓷纤维及高分子聚合物材料相间排列而成，其中无铅压电陶瓷纤维材质可选包括铌酸钾钠（KNN）基无铅压电陶瓷，钛酸铋钠（BNT）基无铅压电陶瓷，钛酸钡（BT）基无铅压电陶瓷；高分子聚合物材料可选包括环氧树脂、聚酰亚胺等。同时，本发明提供一种用于制备上述无铅压电陶瓷纤维复合材料的制作工艺。
无铅压电陶瓷铅压电陶瓷基无高分子聚合物材料纤维复合材料可选环氧树脂聚酰亚胺纤维材质相间排列制作工艺钛酸铋钠铌酸钾钠复合材料钛酸钡制备纤维

[发明专利]一种钛酸铋钠和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜的制备方法-CN201010127246.7无效
发明人：任巍;纪红芬;史鹏;王玲艳;闫兴伟;姚姗姗;陈晓峰;吴小清;姚熹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2010-03-18 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及无机材料中的压电厚膜的制备方法，公开了一种钛酸铋钠和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)按照Bi0.5Na0.5TiO3的化学计量比，制备钛酸铋钠先驱体溶胶；(2)制备微纳米级铌酸钾钠粉体；(3)将微纳米级铌酸钾钠粉体与钛酸铋钠先驱体溶胶混合，其中铌酸钾钠的质量含量为40％～70％，制备混合浆料；(4)重复旋涂工艺-热处理工艺，得到钛酸铋钠和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜
一种钛酸铋钠铌酸钾钠复合压电制备方法

[发明专利]高度择优取向钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电薄膜的制备方法-CN201510051148.2有效
发明人：翟继卫;李朋;沈波;李伟 -专利权人：同济大学
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及高度择优取向钛酸铋钠‑钛酸钡无铅压电薄膜的制备方法：(1)配置钛酸铋钠‑钛酸钡前驱体溶液；(2)在Pt/Ti/SiO2/Si基片上溅射镍酸镧，并在700℃热处理30分钟；(3)将溅射有镍酸镧的基片清洗干净后烘干；(4)在步骤(3)获得的基片上，使用钛酸铋钠‑钛酸钡前驱体溶液逐层进行旋转涂覆得到所需厚度的薄膜；(5)将步骤(4)获得的薄膜在700℃进行退火处理120分钟，即得到高度择优取向的钛酸铋钠‑钛酸钡无铅压电薄膜本发明制备的钛酸铋钠‑钛酸钡无铅压电薄膜取向度高、低电场下具有较高的电致应变，较高的介电常数和较低的介电损耗，在高精度位移控制器和微型执行器等领域具有很好的实用前景。
高度择优取向钛酸铋钠钛酸钡压电薄膜制备方法

[发明专利]钛酸铋钠基压电/电致伸缩无铅陶瓷材料及其制备方法和应用-CN201811017614.5在审
发明人：徐志军;初瑞清;贺笑春 -专利权人：烟台大学
申请日： 2018-09-01 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸铋钠基压电/电致伸缩无铅陶瓷材料，涉及压电/电致伸缩陶瓷技术领域。钛酸铋钠基压电/电致伸缩无铅陶瓷材料化学组成为：(1‑x)(Bi_0.5Na_0.5)_0.935Ba_0.065Ti钛酸铋钠基压电/电致伸缩无铅陶瓷材料既具有高的压电常数d₃₃（＞200pC/N），又具有高的电致伸缩系数Q₃₃（＞0.02m⁴
压电无铅陶瓷材料钛酸铋钠基电致伸缩高精度位移传感器环境友好型材料制备方法和应用驱动器电致伸缩陶瓷电致伸缩系数化学组成压电常数换能器应用

[发明专利]钛酸铋钠基和钛酸钡基多层复合压电薄膜及其制备方法-CN201410245430.X有效
发明人：翟继卫;李伟 -专利权人：同济大学
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸铋钠基和钛酸钡基多层复合压电薄膜，其中钛酸铋钠基材料化学通式为Bi_1/2Na_1/2TiO₃-xBaTiO_3(1-y)Sn_yO₃(BCTS)，采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO₂/Si衬底上旋转涂覆制备多层结构复合的无铅压电薄膜与现有技术相比，本发明获得了高压电活性、低损耗、低漏导的高性能钛酸铋钠基与钛酸钡基多层复合无铅压电薄膜，在微执行器和驱动器领域具有很好的实用前景。
钛酸铋钠基钛酸钡基多复合压电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铋钠-钛酸钡无铅复合压电厚膜的制备方法-CN201310660896.1有效
发明人：任巍;赵金燕;纪红芬;史鹏;吴小清;王玲艳 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠-钛酸钡无铅复合压电厚膜的制备方法，属于压电材料制备技术领域。包括以下步骤：1）按照（1-x）Bi0.5Na0.5TiO3-xBaTiO3的化学计量比，制备微纳米级钛酸铋钠-钛酸钡粉体；2）按照Bi0.5Na0.5TiO3的化学计量比，制备钛酸铋钠先驱体溶胶；3）将钛酸铋钠-钛酸钡粉体分散到钛酸铋钠先驱体溶胶中，制备混合浆料；4）旋涂沉积钛酸铋钠先驱体溶胶-热处理-旋涂沉积混合浆料-热处理，制得单层复合膜；5）重复步骤4）直至制得厚度为1～20微米的钛酸铋钠-钛酸钡无铅复合压电厚膜
一种钛酸铋钠钛酸钡复合压电制备方法

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