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[发明专利]一种晶圆表面平坦化工艺-CN201410037773.7有效
发明人：由云鹏;潘光燃;王焜;石金成 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆表面平坦化工艺，包括以下步骤在有台阶的晶圆表面形成第一正硅酸乙酯层；在所述第一正硅酸乙酯层上形成第一旋涂玻璃层，所述第一旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；对形成的第一旋涂玻璃层进行离子注入；在离子注入后的所述第一旋涂玻璃层上形成第二旋涂玻璃层，所述第二旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；对形成第二旋涂玻璃层后的晶圆进行烘烤；对所述第一旋涂玻璃层和所述第二旋涂玻璃层进行回刻；在回刻后的旋涂玻璃层上形成第二正硅酸乙酯层该平坦化工艺不但简化了工艺流程，极大程度的节约成本，而且大大降低了不同位置处介质层起伏波动状况的发生，极大程度的避免了金属残留。
一种表面平坦化工

[发明专利]形成沟槽隔离结构的方法-CN02131995.2有效
发明人：施信益;廖建茂;吴昌荣 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：接着，在沟槽中填入一旋涂式玻璃层(spin on glass，SOG)并对旋涂式玻璃层进行一第一烘烤处理。之后，回蚀刻旋涂式玻璃层至一既定深度。接着，对旋涂式玻璃层进行一第二烘烤处理。最后，在旋涂式玻璃层上形成一高密度电浆氧化硅层，以填满沟槽。
形成沟槽隔离结构方法

[发明专利]集成电路的制造方法-CN98107934.2无效
发明人：张良冬;廖志成 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 1998-05-06 - 公布日： 1999-11-10 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种集成电路的制造方法包括步骤预备半导体基板,其上形成半导体元件结构;形成绝缘层,在绝缘层上形成第一导电层,第一导电层向下延伸穿过绝缘层,与半导体元件结构之一接触;形成层间介电层,其包括在第一导电层上沉积第一介电层;涂布旋涂玻璃层;对旋涂玻璃层回蚀刻,使旋涂玻璃层上形成高分子堆积物;以氧等离子处理旋涂玻璃层,去除高分子堆积物;并且在旋涂玻璃层上沉积第二介电层等步骤;在层间介电层内蚀出通孔,通往第一导电层;并沉积第二导电层填入通孔内
集成电路制造方法

[发明专利]一种晶圆表面平坦化工艺-CN201410037579.9有效
发明人：由云鹏;潘光燃;王焜;石金成 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆表面平坦化工艺，包括以下步骤在有台阶的晶圆表面形成第一正硅酸乙酯层；在所述第一正硅酸乙酯层上形成旋涂玻璃层，所述旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；对形成旋涂玻璃层后的晶圆依次进行烘烤和离子注入；在离子注入后的所述旋涂玻璃层上形成第二正硅酸乙酯层；在所述第二正硅酸乙酯层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层和所述第二正硅酸乙酯层进行回刻；去除回刻残留的光刻胶，并对晶圆进行清洗。该工艺采用光刻胶层替代第二旋涂玻璃层，并采用光刻胶回刻技术，不但简化了工艺流程，极大程度的节约成本，而且大大降低了钨火山现象的发生，利于封装打线。
一种表面平坦化工

[发明专利]一种金属介电层及其制作方法以及一种电路板-CN201110452554.1有效
发明人：陈建国;李天贺;贺冠中 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属介质层及其制作方法以及一种电路板，所述电路板的具体结构为：基板；至少一个焊盘，通过所述焊盘将至少一个电路元件连接于其他电路；所述焊盘包括：第一导电层和第二导电层；压线点，设置于所述第二导电层的上表面；金属介电层，位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，其中，所述金属介电层包括：第一介电层，设置在所述第一导电层的上表面；第一旋涂玻璃层，设置在所述第一介电层的上表面，所述第一旋涂玻璃层为包括有砷的旋涂玻璃层；第二介电层，位于所述第一旋涂玻璃层的上表面。
一种金属介电层及其制作方法以及电路板

[发明专利]后段制造工艺的钝化层结构及其制造方法-CN202011356145.7有效
发明人：林宛瑶;陈旷举;杨炯仕 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种后段制造工艺的钝化层结构及其制造方法。所述钝化层结构包括具有多条导线结构的半导体芯片、第一氧化层、旋涂式玻璃层、第二氧化层以及氮化物层。这些导线结构之间具有大于1.5的深宽比。第一氧化层则共形地沉积于导线结构的表面与半导体芯片的表面。旋涂式玻璃层位于每两条导线结构之间的第一氧化层上，且旋涂式玻璃层具有U型截面与0.3～0.8的第二深宽比。第二氧化层共形地沉积于第一氧化层的表面与旋涂式玻璃层的表面，氮化物层则位于第二氧化层上。
后段制造工艺钝化结构及其方法

[发明专利]形成拴塞孔的方法-CN02118194.2有效
发明人：郑培仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-04-24 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种可以避免因误对准所产生的镂空(un－landed)现象的制造方法，该方法包括：提供一具有金属层与抗反射层形成于其上的基材；形成一旋涂式玻璃层(SOG，spinonglass)于该抗反射层上；定义多条金属线，所述金属线是由蚀刻该金属层、该抗反射层与该旋涂式玻璃层完成；沉积一氧化层于该基材上，并覆盖该多条金属线；以及定义多个拴塞孔，所述拴塞孔是由蚀刻该氧化层完成。本发明的旋涂式玻璃层可以被一染料旋涂式玻璃层取代，此时，抗反射层的形成步骤可省去。
形成拴塞孔方法

[实用新型]一种硅基微显示器及电子设备-CN202121579244.1有效
发明人：张成明;周文斌;沈倩;冯峰;朱文慧;齐发科;陆炎;周丽婷;孙剑;高裕弟 -专利权人：昆山梦显电子科技有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种硅基微显示器及电子设备，其中硅基微显示器包括：驱动背板；第一电极层，第一电极层包括多个间隔设置在驱动背板一侧的第一电极；旋涂玻璃像素定义层，旋涂玻璃像素定义层位于相邻两个第一电极之间的空隙；旋涂玻璃像素定义层相对驱动背板的高度小于或等于第一电极层相对驱动背板的高度；发光层，发光层位于第一电极层和旋涂玻璃像素定义层远离驱动背板的一侧；第二电极层，第二电极层位于发光层远离驱动背板的一侧。本实用新型实施例提供的技术方案减小了像素定义层与第一电极层之间的高度差，改善了第二电极层断裂问题，提高了工艺的良率，并且简化了像素定义层的制备工艺。
一种硅基微显示器电子设备

[发明专利]一种蓝光截止玻璃镀膜层的制备方法-CN201811586624.0在审
发明人：殷仕龙;王哲飞;余磊;王旭红;田奇 -专利权人：苏州京浜光电科技股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光截止玻璃镀膜层的制备方法，包括如下步骤：（1）将分析纯正硅酸乙酯加入到无水乙醇中，通过搅拌得到正硅酸乙酯溶液；将分析纯钛酸四丁酯加入到无水乙醇中，搅拌得到钛酸四丁酯溶液；（2）将洁净玻璃片放置到旋涂台上，滴加正硅酸乙酯溶液，旋涂完成后，先进行烘干，再将玻璃片置于马弗炉中进行热处理，热处理完后自然冷却；（3）将步骤（2）热处理完后的玻璃片放置到旋涂台上，调节到一定转速，滴加钛酸四丁酯溶液，旋涂完成后，先进行烘干，再将玻璃片置于马弗炉中进行热处理，热处理完后自然冷却；（4）按照步骤（2）和（3），重复旋涂氧化硅和氧化层，得到镀膜层。
热处理旋涂玻璃片正硅酸乙酯溶液钛酸四丁酯溶液玻璃镀膜无水乙醇马弗炉烘干滴加蓝光制备截止钛酸四丁酯硅酸乙酯洁净玻璃人眼疲劳人眼损伤镀膜层分析纯氧化层氧化硅重复分析

[发明专利]基于PVDF的微针型压电微力传感器及其制备方法-CN201610712097.8在审
发明人：杨斌;刘洁;刘景全;杨春生 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PVDF的微针型压电微力传感器及其制备方法，包括上电极层、下电极层、玻璃微针尖端、压电层；所述上、下电极层为导电层；所述压电层为聚偏氟乙烯PVDF及其二元、多元聚合物材料；所述玻璃微针尖端为微力传感器的基底；制备时，通过激光加热玻璃毛细管拉制形成玻璃微针尖端，通过溅射、旋涂或蒸发工艺在玻璃微针尖端上制作下电极层，采用刮涂、旋涂或静电纺丝工艺制备PVDF及其二元、多元聚合物材料薄膜层，再通过溅射、旋涂或蒸发工艺在覆有PVDF压电层的玻璃微针尖端上制作上电极层。
基于 pvdf 微针型压电传感器及其制备方法

[发明专利]双通道滤波器及采用旋涂蓝色染料制备双通道滤波器的方法-CN201710445446.9在审
发明人：李冰霞;吴江波;金波;艾曼灵;顾培夫;刘俊鹏 -专利权人：杭州科汀光学技术有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种双通道滤波器及采用旋涂蓝色染料制备双通道滤波器的方法，双通道滤波器包括玻璃基底；设置在所述玻璃基底一侧表面上的蓝色染料层；设置在所述蓝色染料层上的粘附层；设置在所述粘附层上的超宽带减反射膜；以及，设置在所述玻璃基底另一侧表面上的双通道滤光片。制备双通道滤波器方法，包括在玻璃基底采用旋涂法涂制蓝色染料层；釆用真空镀膜法并结合低能离子辅助淀积粘附层；釆用真空镀膜法并结合高能离子辅助淀积超宽带减反射膜和双通道滤光片。该旋涂染料层的玻璃基底及其双通道滤波器在手机拍摄系统、安防电视系统等领域具有广阔的应用前景。
双通道滤波器采用蓝色染料制备方法

[发明专利]一种电致变色器件及其制备方法-CN201910287562.1在审
发明人：刘振;黄伟;邱礼荣 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：该方法包括以下操作步骤：将偏钨酸铵和聚乙烯亚胺利用溶胶凝胶法制备氧化钨前驱液；将氧化钨前驱液用旋涂法沉积在ITO玻璃的导电面上，在马沸炉中退火，得到沉积了电致变色层的ITO玻璃；将沉积了电致变色层的ITO玻璃采用旋涂法，在电致变色层上面沉积电解质层；将未沉积电致变色层的ITO玻璃采用旋涂法，在ITO玻璃的导电面上沉积电解质层；将沉积了电解质层的两片玻璃在60℃干燥20s，取出后在其中一片玻璃的电解质层上再滴加电解液，然后将另外一片玻璃合上，排除气泡，置于干燥箱内60℃干燥48h，得到电致变色器件。
沉积电致变色层电解质层电致变色器件旋涂法前驱液氧化钨导电制备退火电子器件领域溶胶凝胶法制玻璃聚乙烯亚胺两片玻璃偏钨酸铵电解液滴加炉中取出

[发明专利]一种内金属介电层结构及其形成方法-CN01112321.4有效
发明人：林启发;曾伟志;冯明宪 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-03-29 - 公布日： 2002-11-06 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明为一种内金属介电层结构及其形成方法,该集成电路具有第一金属层以及第二金属层,本方法包含在第一金属层之上形成第一氧化硅层;在第一氧化硅层之上形成旋涂式玻璃层;在旋涂式玻璃层之上形成蚀刻终止层;在蚀刻终止层之上形成第二氧化硅层,进而在完成第一金属层与第二金属层之间的内金属介电层,其中蚀刻终止层于后续的导通孔制作过程中所进行的湿蚀刻,相对于这些氧化硅层在旋涂式玻璃层具有低蚀刻比的特性,而能得较佳的导通孔轮廓。
一种金属介电层结构及其形成方法

[实用新型]一种双通道滤波器-CN201720682451.7有效
发明人：李冰霞;吴江波;金波;艾曼灵;顾培夫;刘俊鹏 -专利权人：杭州科汀光学技术有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用旋涂蓝色染料层的玻璃作为基底的双通道滤波器，双通道滤波器包括玻璃基底；设置在所述玻璃基底一侧表面上的蓝色染料层；设置在所述蓝色染料层上的粘附层；设置在所述粘附层上的超宽带减反射膜；以及，设置在所述玻璃基底另一侧表面上的双通道滤光片。该旋涂染料层的玻璃基底及其双通道滤波器在手机拍摄系统、安防电视系统等领域具有广阔的应用前景。
一种双通道滤波器

[发明专利]一种半导体芯片及其制作方法-CN201410357060.9在审
发明人：石金成;潘光燃;高振杰;王琨 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片及其制作方法，用以实现减小钝化层机械应力，提升半导体芯片可靠性的目的。所述半导体芯片，包括半导体衬底、器件层和顶层金属层，该半导体芯片还包括依次位于所述顶层金属层上的第一钝化层、用作平坦层的旋涂硅玻璃SOG层和第二钝化层，且所述顶层金属层的上方区域不覆盖所述旋涂硅玻璃SOG
一种半导体芯片及其制作方法

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