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[发明专利]制造三维半导体器件的方法-CN201810445608.3有效
发明人：权容贤;张大铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种制造三维半导体器件的方法，所述方法包括：在包括图案区和与图案区相邻的缓冲区的下层上堆叠第一硬掩模层和第二硬掩模层，第一硬掩模层和第二硬掩模层分别用于形成第一硬掩模图案和第二硬掩模图案；图案化所述第二硬掩模层以形成所述第二硬掩模图案，所述第二硬掩模图案包括所述图案区上的多个第一掩模孔和所述缓冲区上的至少一个凹部，所述多个第一掩模孔暴露所述第一硬掩模层；以及使用所述第二硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一硬掩模层，以形成所述第一硬掩模图案
制造三维半导体器件方法

[发明专利]丝网印刷装置以及丝网印刷方法-CN201810042096.6有效
发明人：山本孝大;万谷正幸;村上稔 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： B41F15/08 文献下载
摘要：丝网印刷装置具有掩模引导件、掩模移动机构以及刮刀机构。掩模引导件从第一端朝向第二端依次设定有掩模待机位置、印刷作业位置、掩模退避位置。掩模移动机构通过使位于印刷作业位置的使用完毕的掩模向掩模退避位置移动，能够从掩模引导件的第二端取出使用完毕的掩模。
丝网印刷装置以及方法

[发明专利]图案化方法-CN201810342023.9有效
发明人：张峰溢;李甫哲;蒋欣妤 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开一种图案化方法，其包括下列步骤，在第一掩模层上形成第二掩模层。对第一掩模层以及第二掩模层进行图案化制作工艺。第一掩模层被图案化成为第一掩模图案，且第二掩模层被图案化成为第二掩模图案。第二掩模图案形成于第一掩模图案上。对第二掩模图案进行等离子体处理。第二掩模图案的一部分被等离子体处理转换成被处理层。移除被处理层，用以使第二掩模图案的宽度小于第一掩模图案的宽度。
图案方法

[发明专利]一种通用掩模版盒-CN201811041483.4在审
发明人：朱希进;尤春;刘维维;季书凤;杨长华;薛文卿;张月圆;刘浩;陈青;刘孝君 -专利权人：无锡中微掩模电子有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种通用掩模版盒，包括掩模版盒上合盖，掩模版盒上合盖一侧设有掩模版存放盒，掩模版盒上合盖和掩模版存放盒之间通过两个软铰链连接，掩模版盒上合盖和掩模版存放盒上均设有5009掩模版限板，5009掩模版限板分别设置于掩模版盒上合盖和掩模版存放盒的四边中心位置，每个设有两个限位杆，上的限位板之间设有5009掩模版限位槽，掩模版盒上合盖和掩模版存放盒四周均设有6025掩模版限位板，5009掩模版限板内侧设有互为直角的倾斜面
掩模版掩模版盒合盖存放盒限板通用掩模版限位板四边中心位置绿色环保防尘防水雾倾斜面软铰链限位槽限位杆加工

[发明专利]一种掩模版的制备方法-CN202310340788.X在审
发明人：张政 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩模版的制备方法，包括：根据预设掩模版的掩模图案，以逐级放大的方式设计M级掩模图案直至一级掩模图案，M为大于或等于1的整数；采用直写工艺利用一级掩模图案制作一级掩模版；采用光刻工艺，由一级掩模版以逐级缩小的方式制作二级掩模版直至M级掩模版，再由M级掩模版制作预设掩模版，预设掩模版的精度高于直写工艺及光刻工艺的精度。本发明中，通过精度相对较低的直写工艺及光刻工艺制备精度较高的预设掩模版，而且可利用上述过程中的一级至M级掩模版批量制备高精度的预设掩模版，有利于提高制备预设掩模版的生产效率及降低成本。
一种模版制备方法

[发明专利]一种掩模吸收层厚度优化方法、装置、设备及存储介质-CN202211489498.3在审
发明人：何建芳;韦亚一 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本申请提供一种掩模吸收层厚度优化方法、装置、电子设备及存储介质。方法包括：利用仿真软件构建多层膜超透镜结构的仿真模型；获取第一掩模参数，第一掩模参数包括掩模侧壁角和初始掩模吸收层厚度；根据第一掩模参数，生成多组第二掩模参数；所述多组第二掩模参数包括相同的掩模侧壁角和不同的掩模吸收层厚度；基于所述仿真模型进行仿真计算，得到每组第二掩模参数对应的成像对比度；根据成像对比度，从所述多组第二掩模参数中选取所述掩模侧壁角对应的最优掩模吸收层厚度，从而根据成像对比度找到同一掩模侧壁角对应的最优掩模吸收层厚度从而，通过对多层膜超透镜中的掩模吸收层厚度进行优化，提高了多层膜超透镜的成像对比度和分辨力。
一种吸收厚度优化方法装置设备存储介质

[发明专利]一种呈阵列布置的多掩模光刻机硅片台系统-CN200910172953.5有效
发明人：朱煜;张鸣;汪劲松;田丽;徐登峰;尹文生;段广洪;胡金春;许岩 -专利权人：清华大学
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种呈阵列布置的多掩模光刻机硅片台系统，该系统含有基台，至少一个硅片台，一组光学透镜和掩模台系统，所述的掩模台系统包括掩模台基座、掩模运动台和掩模承载台，所述的掩模台基座的长边为Y方向，短边为X方向，掩模运动台在掩模台基座上沿Y方向作直线运动，掩模承载台在掩模运动台上沿X方向作直线运动；在掩模承载台上设有多个掩模版安装槽，多个掩模版安装槽呈阵列布置，每个掩模版安装槽内放置一块掩模版。本发明与现有技术相比，一是在扫描曝光时可以减少多次步进的时间；二是多块掩模版一次安装，节省对准的时间，从而显著提高了工作效率。
一种阵列布置多掩模光刻硅片系统

[发明专利]曝光方法和曝光装置-CN02154533.2无效
发明人：平柳德行 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2002-12-06 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种能容易地进行掩模交换和温度管理的曝光方法和曝光装置。在真空初缩掩模版库64上设有用于承载放置被搬运的初缩掩模版的多级初缩掩模版台68。在该初缩掩模版台68内形成液道68a。通过使温度调节用的水流过初缩掩模版台68的液道68a，可以对初缩掩模版台上的初缩掩模版进行温度调节。另一方面，在大气初缩掩模版库66上设有多级初缩掩模版台69。初缩掩模版容器67分别放置在各初缩掩模版台69上。在初缩掩模版容器67和各初缩掩模版上贴有条形码70。当搬运初缩掩模版时，通过读取贴在初缩掩模版上的条形码70，可以对所搬运的初缩掩模版进行确认。
曝光方法装置

[实用新型]一种通用掩模版盒-CN201821461009.2有效
发明人：朱希进;尤春;刘维维;季书凤;杨长华;薛文卿;张月圆;刘浩;陈青;刘孝君 -专利权人：无锡中微掩模电子有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通用掩模版盒，包括掩模版盒上合盖，掩模版盒上合盖一侧设有掩模版存放盒，掩模版盒上合盖和掩模版存放盒之间通过两个软铰链连接，掩模版盒上合盖和掩模版存放盒上均设有5009掩模版限板，5009掩模版限板分别设置于掩模版盒上合盖和掩模版存放盒的四边中心位置，每个设有两个限位杆，上的限位板之间设有5009掩模版限位槽，掩模版盒上合盖和掩模版存放盒四周均设有6025掩模版限位板，5009掩模版限板内侧设有互为直角的倾斜面
掩模版掩模版盒合盖存放盒本实用新型限板通用掩模版限位板四边中心位置绿色环保防尘防水雾倾斜面软铰链限位槽限位杆加工

[实用新型]呈阵列布置的多掩模光刻机硅片台系统-CN200920173486.3无效
发明人：朱煜;张鸣;汪劲松;田丽;徐登峰;尹文生;段广洪;胡金春;许岩 -专利权人：清华大学
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：呈阵列布置的多掩模光刻机硅片台系统，该系统含有基台，至少一个硅片台，一组光学透镜和掩模台系统，所述的掩模台系统包括掩模台基座、掩模运动台和掩模承载台，所述的掩模台基座的长边为Y方向，短边为X方向，掩模运动台在掩模台基座上沿Y方向作直线运动，掩模承载台在掩模运动台上沿X方向作直线运动；在掩模承载台上设有多个掩模版安装槽，多个掩模版安装槽呈阵列布置，每个掩模版安装槽内放置一块掩模版。本实用新型与现有技术相比，一是在扫描曝光时可以减少多次步进的时间；二是多块掩模版一次安装，节省对准的时间，从而显著提高了工作效率。
阵列布置多掩模光刻硅片系统

[发明专利]掩模组件和制造掩模组件的方法-CN202110006236.6在审
发明人：金世一;李尚玟;金義圭;白大源 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本公开涉及掩模组件和用于制造掩模组件的方法。掩模组件包括：掩模框架，包括在第一方向上并排地定位并由支撑条限定的第一掩模开口和第二掩模开口；第一分离掩模，与所述第一掩模开口重叠；以及第二分离掩模，与所述第二掩模开口重叠，并且所述第一分离掩模和所述第二分离掩模在与所述支撑条重叠的区域中彼此间隔开
模组制造方法

[发明专利]掩模开口尺寸测量方法、掩模版拉伸装置以及张网机-CN201910967774.4有效
发明人：肖蓉;邓帅飞;李运锋;周许超 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种掩模开口尺寸测量方法、掩模版拉伸装置以及张网机。该掩模开口尺寸测量方法包括：对当前进行拉伸的掩模版进行图像采集，形成当前图像采集结果，所述掩模版包括掩模开口；基于所述当前图像采集结果，确定所述掩模版上当前所述掩模开口的几何中心；基于当前所述掩模开口的几何中心，计算当前所述掩模开口的尺寸，以有效判断当前掩模版上的掩模开口的尺寸是否达到预设值。
开口尺寸测量方法模版拉伸装置以及张网机

[发明专利]一种大尺寸OLED蒸镀用掩模板组件-CN201210329228.6在审
发明人：魏志凌;高小平;张炜平 -专利权人：昆山允升吉光电科技有限公司
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸OLED蒸镀用掩模板组件，包括掩模外框、掩模部以及支撑部，其中，所述掩模部与和固定在所述掩模外框的所述支撑部连接；所述支撑部包括N大于等于2个支撑部单元；所述支撑部单元由所述支撑条构成，所述掩模部上有掩模开口，所述支撑部单元不会遮挡所述掩模开口，所述掩模开口构成所述掩模部上的掩模图案区。本发明提供的大尺寸OLED蒸镀用掩模板组件可以解决掩模主体板面产生下垂造成精度下降、良品率低等问题，以及对现有由多个掩模单元组装而成的掩模部出现的位置错动问题，有效的改善产品的精度、质量，并提高良品率。
一种尺寸 oled 蒸镀用掩模板组件

[发明专利]掩模组件以及用于制造掩模组件的方法-CN202111010804.6在审
发明人：文英慜;文敏浩;宋昇勇;任星淳 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供了掩模组件以及用于制造掩模组件的方法。该掩模组件包括：其中限定有第一开口的掩模框架，掩模框架包括第一开口延伸通过的前表面；以及沉积掩模，附接到掩模框架的前表面，并且多个第二开口被限定为通过沉积掩模。掩模框架包括其中前表面沿着重力方向延伸的附接定向，沉积掩模包括附接到在附接定向中的掩模框架的前表面并且多个第二开口被限定为通过的初始掩模，并且具有沿着重力方向延伸的前表面的掩模框架的附接定向沿着重力方向将掩模框架的第一开口设置为对应于初始掩模的多个第二开口中的全部
模组以及用于制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201910005235.2有效
发明人：黄玉莲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法包括形成一第一掩模层于一目标层上；形成一第二掩模层于第一掩模层上；图案化第二掩模层；形成一第三掩模层于图案化的第二掩模层上；图案化第三掩模层；利用图案化的第二掩模层及图案化的第三掩模层作为蚀刻掩模组合来蚀刻第一掩模层；去除图案化的第三掩模层以露出一部分的第一掩模层；对第一掩模层的露出部分上进行修整制程；以及利用第一掩模层来蚀刻目标层，以在目标层内形成开口。
半导体装置制造方法